Introducción breve
Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1200V 400A.
Características
- Tecnología NPT IGBT
- capacidad de cortocircuito de 10 μs
- Bajas pérdidas de conmutación
- VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
- Cuadro de baja inductancia
- Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
- Base de cobre aislada con tecnología DBC
Típico Aplicaciones
- Fuente de alimentación de modo de conmutación
- Calentamiento por inducción
- Saldadoras electrónicas
En absoluto Máximo Calificaciones T C=25a C a menos que de otro modo anotado
El IGBT
El símbolo |
DESCRIPCIÓN |
Valor |
Unidad |
VCES |
Voltagem del colector-emittente |
1200 |
V |
VGES |
Voltagem del emisor de la puerta |
±20 |
V |
CI |
Corriente Colectora @ TC=25oC
@ TC=70oC
|
549
400
|
R |
MIC |
Corriente Colectora Pulsada tp=1ms |
800 |
R |
PD |
Disipación de potencia máxima @ T =150oC |
2659 |
R |
Diodo
El símbolo |
DESCRIPCIÓN |
Valor |
Unidad |
VIRM |
Voltado inverso de pico repetitivo |
1200 |
V |
IF |
Diodo de corriente continua hacia adelante |
400 |
R |
IFM |
Corriente Directa Máxima del Diodo tp=1ms |
800 |
R |
Módulo
El símbolo |
DESCRIPCIÓN |
Valor |
Unidad |
Tjmax |
Temperatura máxima de unión |
150 |
oC |
¿Qué es eso? |
Temperatura de funcionamiento de las uniones |
-40 a +125 |
oC |
TSTG |
Rango de Temperatura de Almacenamiento |
-40 a +125 |
oC |
VISO (en inglés) |
El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1min |
2500 |
V |
El IGBT Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
Unidad |
|
V CE (sat)
|
Recolector al emisor
Voltagem de saturación
|
Yo C=400A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =25a C |
|
2.90 |
3.35 |
V
|
Yo C=400A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =125a C |
|
3.60 |
|
V GE (th) |
Umbral de emisor de puertas Tensión |
Yo C= 16.0mA,V CE =V GE , T j =25a C |
4.5 |
5.5 |
6.5 |
V |
Yo El CES |
El colector Cortado -Off
Actual
|
V CE =V El CES ,V GE =0V,
T j =25a C
|
|
|
5.0 |
el número de |
Yo El GES |
Fugas de los emisores de puertas Actual |
V GE =V El GES ,V CE =0V, T j =25a C |
|
|
400 |
nA |
Barra El ginto |
Resistencia de la puerta interna el |
|
|
0.6 |
|
ω |
Cies |
Capacidad de entrada |
V CE = 25V, f=1MHz,
V GE el valor de la energía de la corriente
|
|
26.0 |
|
nF (número de trabajo) |
Cres |
Transferencia inversa
Capacidad
|
|
1.70 |
|
nF (número de trabajo) |
PG |
Cargo por puerta |
V GE =- 15...+15V |
|
4.2 |
|
el valor de la concentración |
t g (activado ) |
Tiempo de retraso de encendido |
V CC = 600 V,I C=400A, Barra G= 2,2Ω,
V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =25a C
|
|
76 |
|
el Consejo |
t barra |
Tiempo de ascenso |
|
57 |
|
el Consejo |
t g (off ) |
Apagado Tiempo de retraso |
|
529 |
|
el Consejo |
t f |
Tiempo de caída |
|
73 |
|
el Consejo |
Eactivado |
Enciende Cambio
Pérdida
|
|
5.2 |
|
mJ |
Eoff |
Cambiar el encendido
Pérdida
|
|
23.2 |
|
mJ |
t g (activado ) |
Tiempo de retraso de encendido |
V CC = 600 V,I C=400A, Barra G= 2,2Ω,
V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j = 125a C
|
|
81 |
|
el Consejo |
t barra |
Tiempo de ascenso |
|
62 |
|
el Consejo |
t g (off ) |
Apagado Tiempo de retraso |
|
567 |
|
el Consejo |
t f |
Tiempo de caída |
|
81 |
|
el Consejo |
Eactivado |
Enciende Cambio
Pérdida
|
|
9.9 |
|
mJ |
Eoff |
Cambiar el encendido
Pérdida
|
|
31.7 |
|
mJ |
|
Yo SC
|
Datos de la SC
|
t P≤ 10 μs, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.
T j =125a C, V CC =900V, V El CEM no más de 1200 V
|
|
2800
|
|
R
|
Diodo Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
Unidad |
V F |
Diodo hacia adelante
Tensión
|
Yo F =400A,V GE =0V,T j =25a C |
|
1.96 |
2.31 |
V |
Yo F =400A,V GE =0V,T j = 125a C |
|
1.98 |
|
Pbarra |
Cargo recuperado |
V Barra = 600 V,I F =400A,
-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j =25a C
|
|
24.9 |
|
el valor de la concentración |
Yo RM |
Pico invertido
Corriente de recuperación
|
|
317 |
|
R |
Ereconocimiento |
Recuperación inversa Energía |
|
16.0 |
|
mJ |
Pbarra |
Cargo recuperado |
V Barra = 600 V,I F =400A,
-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j = 125a C
|
|
35.5 |
|
el valor de la concentración |
Yo RM |
Pico invertido
Corriente de recuperación
|
|
391 |
|
R |
Ereconocimiento |
Recuperación inversa Energía |
|
21.4 |
|
mJ |
Módulo Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
Unidad |
CCE |
Inductividad de alejamiento |
|
|
20 |
nH |
Barra CC+EE |
Resistencia de Conexión del Módulo a, Terminal al Chip |
|
0.18 |
|
mΩ |
Barra el JC |
Enlace a la caja (por IGB) T)
Junción-a-Caja (por D iodo)
|
|
|
0.047
0.100
|
El número de unidades |
|
Barra el CH
|
En el caso de los equipos de refrigeración de aire acondicionado, el valor de la presión de refrigeración debe ser igual o superior a: El número de unidades de carga
Caja-a-disipador (pe r Diodo)
Caja-a-disipador (por M ódulo)
|
|
0.015
0.031
0.010
|
|
El número de unidades |
M |
El par de conexión de la terminal, Tornillo M6 Torque de montaje Tornillo M6 |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
Nuevo Méjico |
G |
Peso de Módulo |
|
300 |
|
g |
EN
