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Módulo IGBT 1200V

Módulo IGBT 1200V

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GD400SGU120C2S,Módulo IGBT,STARPOWER

1200V 400A

Brand:
El sistema de energía
Spu:
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las
  • Introducción
  • Esquema
Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1200V 400A.

Características

  • Tecnología NPT IGBT
  • capacidad de cortocircuito de 10 μs
  • Bajas pérdidas de conmutación
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Base de cobre aislada con tecnología DBC

Típico Aplicaciones

  • Fuente de alimentación de modo de conmutación
  • Calentamiento por inducción
  • Saldadoras electrónicas

En absoluto Máximo Calificaciones El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado

El IGBT

El símbolo

Descripción

Valor

UNIDAD

VCES

Voltagem del colector-emittente

1200

V

VGES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V

CI

Corriente Colectora @ TC=25oC

@ TC=70oC

549

400

A

MIC

Corriente Colectora Pulsada tp=1ms

800

A

PD

Disipación de potencia máxima @ T =150oC

2659

W

Diodo

El símbolo

Descripción

Valor

UNIDAD

VIRM

Voltado inverso de pico repetitivo

1200

V

IF

Diodo de corriente continua hacia adelante

400

A

IFM

Corriente Directa Máxima del Diodo tp=1ms

800

A

Módulo

El símbolo

Descripción

Valor

UNIDAD

Tjmax

Temperatura máxima de unión

150

oC

¿Qué es eso?

Temperatura de funcionamiento de las uniones

-40 a +125

oC

TSTG

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

oC

VISO (en inglés)

El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

El IGBT Características El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

V CE (sat)

Recolector al emisor

Voltagem de saturación

I Do =400A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j =25o Do

2.90

3.35

V

I Do =400A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j =125o Do

3.60

V El sector de la energía (th )

Umbral de emisor de puertas Voltaje

I Do = 16.0mA,V CE =V El sector de la energía , T j =25o Do

4.5

5.5

6.5

V

I El CES

El colector Corte -Off

Corriente

V CE =V El CES ,V El sector de la energía =0V,

El j =25o Do

5.0

el número de

I El GES

Fugas de los emisores de puertas Corriente

V El sector de la energía =V El GES ,V CE =0V, El j =25o Do

400

nA

R El ginto

Resistencia de la puerta interna el

0.6

ω

Do ies

Capacidad de entrada

V CE = 25V, f=1MHz,

V El sector de la energía el valor de la energía de la corriente

26.0

nF (número de trabajo)

Do res

Transferencia inversa

Capacidad

1.70

nF (número de trabajo)

¿Qué es? GRAMO

Cargo por puerta

V El sector de la energía =- 15...+15V

4.2

el valor de la concentración

el d (on )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I Do =400A, R GRAMO = 2,2Ω,

V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j =25o Do

76

el Consejo

el r

Tiempo de ascenso

57

el Consejo

el d (off )

Apagado Tiempo de retraso

529

el Consejo

el f

Tiempo de caída

73

el Consejo

Mi on

Enciende Conmutación

Pérdida

5.2

mJ

Mi off

Cambiar el encendido

Pérdida

23.2

mJ

el d (on )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I Do =400A, R GRAMO = 2,2Ω,

V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j = 125o Do

81

el Consejo

el r

Tiempo de ascenso

62

el Consejo

el d (off )

Apagado Tiempo de retraso

567

el Consejo

el f

Tiempo de caída

81

el Consejo

Mi on

Enciende Conmutación

Pérdida

9.9

mJ

Mi off

Cambiar el encendido

Pérdida

31.7

mJ

I SC

Datos de la SC

el P ≤ 10 μs, V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

El j =125o C, V CC =900V, V El CEM no más de 1200 V

2800

A

Diodo Características El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

V F

Diodo hacia adelante

Voltaje

I F =400A,V El sector de la energía =0V,T j =25o Do

1.96

2.31

V

I F =400A,V El sector de la energía =0V,T j = 125o Do

1.98

¿Qué es? r

Cargo recuperado

V R = 600 V,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,V El sector de la energía =- 15V El j =25o Do

24.9

el valor de la concentración

I RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

317

A

Mi reconocimiento

Recuperación inversa Energía

16.0

mJ

¿Qué es? r

Cargo recuperado

V R = 600 V,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,V El sector de la energía =- 15V El j = 125o Do

35.5

el valor de la concentración

I RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

391

A

Mi reconocimiento

Recuperación inversa Energía

21.4

mJ

Módulo Características El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

L CE

Inductividad de alejamiento

20

nH

R CC+EE

Resistencia de Conexión del Módulo a, Terminal al Chip

0.18

R el JC

Enlace a la caja (por IGB) T)

Junción-a-Caja (por D iodo)

0.047

0.100

El número de unidades

R el CH

En el caso de los equipos de refrigeración de aire acondicionado, el valor de la presión de refrigeración debe ser igual o superior a: El número de unidades de carga

Caja-a-disipador (pe r Diodo)

Caja-a-disipador (por M ódulo)

0.015

0.031

0.010

El número de unidades

METRO

El par de conexión de la terminal, Tornillo M6 Torque de montaje Tornillo M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Nuevo Méjico

GRAMO

Peso de Módulo

300

gRAMO

Esquema

image(6b521639e0).png

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