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Módulo IGBT 1200V

Módulo IGBT 1200V

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GD400HFU120C2S, Módulo IGBT, STARPOWER

Módulo IGBT,1200V 400A

Brand:
El sistema de energía
Spu:
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las
  • Introducción
  • Esquema
  • Esquema del circuito equivalente
Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1200V 400A.

Características

  • capacidad de cortocircuito de 10 μs
  • Bajas pérdidas de conmutación
  • Robusto con un rendimiento ultra rápido
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Base de cobre aislada con tecnología DBC

Aplicaciones típicas

  • Fuentes de alimentación conmutadas
  • Calentamiento por inducción
  • Saldadoras electrónicas

En absoluto Máximo Calificaciones El Do =25 a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Descripción

El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las

Unidades

V El CES

Voltagem del colector-emittente

1200

V

V El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V

I Do

Corriente Colectora @ T Do =25

@ T Do =80

660

400

A

I Cm (1)

Corriente Colectora Pulsada t p =1 ms

800

A

I F

Diodo de corriente continua hacia adelante

400

A

I - ¿ Qué? (1)

Corriente directa máxima del diodo alquiler

800

A

P D

Disipación de potencia máxima @ T j = 150

2660

W

El SC

Tiempo de resistencia a cortocircuito @ T j =125

10

μs

El j

Temperatura máxima de unión

150

El El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

V ISO

El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Par de montaje

El sistema de control de la velocidad de la corriente de corriente será el siguiente:

entre 2,5 y 5.0

Nuevo Méjico

Montaje Tornillo:M6

3,0 a 6.0

Nuevo Méjico

Eléctrico Características de El IGBT El Do =25 a menos que de otro modo anotado

Desactivado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

V (BR )El CES

Recolector-emittente

Voltaje de ruptura

El j =25

1200

V

I El CES

El colector Corte -Off Corriente

V CE =V El CES ,V El sector de la energía =0V, El j =25

5.0

el número de

I El GES

Fugas de los emisores de puertas

Corriente

V El sector de la energía =V El GES ,V CE =0V, El j =25

400

nA

Sobre las características

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

V El sector de la energía (th )

Umbral de emisor de puertas

Voltaje

I Do =4.0el número de ,V CE =V El sector de la energía , El j =25

4.4

4.9

6.0

V

V CE (sat)

Recolector al emisor

Voltagem de saturación

I Do =400A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j =25

3.10

3.60

V

I Do =400A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j = 125

3.45

Cambiar de características

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

el d (on )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I Do =400A, R GRAMO = 2,2Ω,V El sector de la energía =±15 V, El j =25

680

el Consejo

el r

Tiempo de ascenso

142

el Consejo

el d (off )

Apagado Tiempo de retraso

638

el Consejo

el f

Tiempo de caída

99

el Consejo

Mi on

Conmutación de encendido

Pérdida

19.0

mJ

Mi off

Cambiar el encendido

Pérdida

32.5

mJ

el d (on )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I Do =400A, R GRAMO = 2,2Ω,V El sector de la energía =±15 V, El j = 125

690

el Consejo

el r

Tiempo de ascenso

146

el Consejo

el d (off )

Apagado Tiempo de retraso

669

el Consejo

el f

Tiempo de caída

108

el Consejo

Mi on

Conmutación de encendido

Pérdida

26.1

mJ

Mi off

Cambiar el encendido

Pérdida

36.7

mJ

Do ies

Capacidad de entrada

V CE =30V,f=1MHz,

V El sector de la energía el valor de la energía de la corriente

33.7

nF (número de trabajo)

Do es

Capacidad de salida

2.99

nF (número de trabajo)

Do res

Transferencia inversa

Capacidad

1.21

nF (número de trabajo)

I SC

Datos de la SC

El P 10 μs, V El sector de la energía =15 V, El j =25,

V CC el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. V El CEM 1200V

2600

A

R El ginto

Resistencia interna de puerta tancia

0.5

ω

L CE

Inductividad de alejamiento

18

nH

R CC ’+EE

Resistencia de plomo del módulo ce, Terminal a el chip

El Do =25

0.32

mETRO ω

Eléctrico Características de Diodo El Do =25 a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

V F

Diodo hacia adelante

Voltaje

I F =400A

El j =25

1.95

2.35

V

El j = 125

1.85

¿Qué es? r

Cargo recuperado

I F =400A,

V R =600 V,

una presión de presión de más de 100 kPa, V El sector de la energía =- 15V

El j =25

24.1

el valor de la concentración

El j = 125

44.3

I RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

El j =25

220

A

El j = 125

295

Mi reconocimiento

Recuperación inversa Energía

El j =25

13.9

mJ

El j = 125

24.8

Características térmicas ics

El símbolo

Parámetro

Es el tipo.

Máx.

Unidades

R θ JC, el otro

Enlace a caso (por IG) BT)

0.047

El número de unidades

R θ JC, el otro

Enlace a la caja (por D) Yodo)

0.096

El número de unidades

R θ CS

Caja a disipador (grasa conductiva a plicada)

0.035

El número de unidades

GRAMO

Peso de Módulo

350

gRAMO

Esquema

image(c3756b8d25).png

Esquema del circuito equivalente

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