Breve introducción:
Módulos IGBT de alta tensión, IGBT único producidos por CRRC. 6500V 250A .
Características
- SPT+chip-set para bajas pérdidas de conmutación
- Baja VCEsat
- Baja potencia de conducción
-
Placa base de AlSiC para alta capacidad de ciclo de potencia capacidad
-
Sustrato de AlN para baja resistencia
Típico aplicación
- Las unidades de tracción
- Cortador DC
- Inversores/convertidores de alta tensión
Valores nominales máximos
Parámetro |
El símbolo |
Condiciones |
mín |
máx |
Unidad |
Recolector-emittente voltaje |
V El CES |
V El sector de la energía =0V,T vj ≥ 25°C |
|
6500 |
V |
Corriente de colector de CC |
Yo C |
T C =80°C |
|
250 |
A |
Corriente máxima del colector |
Yo Cm |
tp=1ms,Tc=80°C |
|
500 |
A |
Voltagem del emisor de la puerta |
V El GES |
|
-20 |
20 |
V |
Potencia total disipación |
P tot |
T C =25°C,perswitch(IGBT) |
|
3200 |
W |
Corriente directa DC |
Yo F |
|
|
250 |
A |
Pico hacia adelante corriente |
Yo El MFR |
tP=1 ms |
|
500 |
A |
Corto IGBT cIRCUITO SOA |
t el
|
V CC =4400V,V CEMCHIP ≤ 6500V V El sector de la energía ≤ 15V,Tvj≤ 125°C |
|
10
|
μ s
|
Voltaje de aislamiento |
V sólo |
1min, f=50Hz |
|
10200 |
V |
Temperatura de unión |
T vj |
|
|
125 |
℃ |
Temperatura de operación del unión |
T vj(op) |
|
-50 |
125 |
℃ |
Temperatura del caso |
T C |
|
-50 |
125 |
℃ |
Temperatura de almacenamiento |
T el GST |
|
-50 |
125 |
℃ |
Torques de montaje |
Ms |
|
4 |
6 |
Nm |
M T1 |
|
8 |
10 |
Valores de las características de las IGBT
Parámetro |
El símbolo |
Condiciones |
Mín |
tipo |
máx |
Unidad |
El colector (- emisor) tensión de ruptura |
V (BR) CES
|
VGE=0V,IC=3mA, Tvj=25°C |
6500
|
|
|
V
|
Recolector-emittente saturación voltaje |
VCEsat |
IC=250A,V GE=15V |
Tvj= 25°C |
2.6 |
3 |
3.4 |
V |
Tvj=125°C |
3.4 |
4 |
4.6 |
V |
El colector corriente de corte |
El CIEM |
VCE=6500V,VGE=0V |
Tvj= 25°C |
|
|
4 |
el número de |
Tvj=125°C |
|
|
50 |
el número de |
Puerta corriente de fuga |
El IGES |
VCE=0V,VGE=20V,Tvj=125°C |
-500 |
|
500 |
nA |
Umbral de emisor de puertas voltaje |
V El número de personas |
IC=80mA,VCE=VGE,Tvj=25°C |
5.4 |
6.2 |
7 |
V |
Tiempo de retraso de encendido |
t en el |
VCC=3600V, IC=250A,
RGon=6.8Ω ,
RGoff=33Ω ,
CGE=100nF
VGE=±15V,
Ls=280nH,
感性负载 (carga de la sensibilidad)
|
TVj = 25 °C |
|
1 |
|
μ s
|
TVj = 125 °C |
|
0.94 |
|
Elevación tiempo |
tr |
TVj = 25 °C |
|
0.76 |
|
TVj = 125 °C |
|
0.81 |
|
Tiempo de retraso de apagado |
t no se puede |
TVj = 25 °C |
|
3.9 |
|
μ s
|
TVj = 125 °C |
|
4.2 |
|
Tiempo de caída |
t f |
TVj = 25 °C |
|
2.2 |
|
TVj = 125 °C |
|
2.8 |
|
Conmutación de encendido pérdida de energía |
El EON |
TVj = 25 °C |
|
3081 |
|
mJ |
TVj = 125 °C |
|
3900 |
|
Cambiar el encendido pérdida de energía |
E off |
TVj = 25 °C |
|
2100 |
|
mJ |
TVj = 125 °C |
|
1236 |
|
Es corto. corriente de circuito |
Yo SC
|
tPSC ≤ 10μ s, V El sector de la energía
=15V, Tvj=125℃,V CC =
4400V
|
TVj = 125 °C
|
|
940
|
|
A
|
EN
