Breve introducción:
Producción personalizada por YT, paquete StakPak, módulo IGBT con FWD.
Características
-
las demás Puerta Planar & Estructura de Parada de Campo
-
Alto Robustez
-
Alto Fiabilidad
-
Temperatura Positiva Coeficiente
-
Alta Corto Capacidad de Circuito
Aplicaciones
- Sistema flexible HVDC
-
Eólica en alta mar generación de energía
-
Grande en escala Industrial Conducir
Máximo Nominal Valores
Parámetro |
El símbolo |
Condiciones |
Valor |
Unidad |
Voltagem del colector-emittente |
V El CES |
V El sector de la energía =0V, T vj = 25 ° C |
4500 |
V |
Colector DC Cu renta |
Yo C |
T C =100 ° C,T vj = 125 ° C |
2000 |
A |
Corriente máxima del colector |
Yo Cm |
t p =1 ms |
4000 |
A |
Puerta -Emisor Voltaje |
V El GES |
|
± 20 |
V |
Total Poder Disipación |
P tot |
T C = 25 ° C,T vj = 125 ° C |
20800 |
W |
CC Cobre Adelante renta |
Yo F |
|
2000 |
A |
Pico Corriente Adelante alquiler |
Yo El MFR |
t p =1 ms |
4000 |
A |
Corriente de sobretensión |
Yo FSM |
V R =0V,T vj = 125 ° C,
t p =10ms,media onda sinusoidal
|
14000 |
A |
Cortocircuito IGBT SOA |
t el |
V CC el valor de las emisiones de CO2 será el siguiente: V El CEM Chip ≤4500V V El sector de la energía ≤15V,T vj ≤125 ° C |
10 |
μs |
Temperatura Máxima de Unión Temperatura |
T vj (máx ) |
|
125 |
℃ |
Unión Temperatura de funcionamiento |
T vj (op ) |
|
-40~125 |
℃ |
Temperatura del caso |
T C |
|
-40~125 |
℃ |
Temperatura de almacenamiento |
T el GST |
|
-40~70 |
℃ |
Fuerza de Montaje |
F M |
|
60~75 |
kN |
Valores de las características de las IGBT
Parámetro |
El símbolo |
Condiciones |
Valor |
Unidad |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
Tensión de Ruptura Colector-Emisor |
V (BR) CES |
VGE=0V, IC=10mA, Tvj=25℃ |
4500 |
|
|
V |
Tensión de saturación colector-emisor |
VCE (sat) |
IC=2000A, VGE=15V |
Tvj=25℃ |
|
2.70 |
3.05 |
V |
Tvj=125℃ |
|
3.35 |
3.85 |
V |
Corriente de Corte Colector-Emisor |
El CIEM |
VCE=4500V, VGE=0V |
Tvj=25℃ |
|
|
1 |
el número de |
Tvj=125℃ |
|
15 |
100 |
el número de |
Corriente de Fuga de Puerta-Emisor |
El IGES |
VCE=0V, VGE=±20V, Tvj=125℃ |
-500 |
|
500 |
nA |
Voltaje de umbral de puerta-emisor |
VGE (h) |
IC=320mA, VCE=VGE, Tvj=25℃ |
6.7 |
|
7.7 |
V |
Cargo por puerta |
El número de |
IC=2000A, VCE=2800V, VGE=-15V~+15V |
|
10 |
|
el valor de la concentración |
Capacidad de entrada |
Las |
VCE=25V, VGE=0V, f=500kHz, Tvj=25℃
|
|
213 |
|
nF (número de trabajo) |
Capacidad de salida |
Coes |
|
15.3 |
|
nF (número de trabajo) |
Capacidad de transferencia inversa |
El Cres |
|
4.7 |
|
nF (número de trabajo) |
Resistencia de la puerta interna |
RGint |
|
|
0 |
|
ω |
Tiempo de retraso de encendido |
en el momento en que se inicia |
IC=2000A,
VCE=2800V,
VGE=±15V,
RGon=1.8Ω,
RGoff=8.2Ω,
CGE=330nF,
LS=140nH,
Carga inductiva
|
Tvj=25℃ |
|
1100 |
|
el Consejo |
Tvj=125℃ |
|
900 |
|
el Consejo |
Tiempo de ascenso |
tr |
Tvj=25℃ |
|
400 |
|
el Consejo |
Tvj=125℃ |
|
450 |
|
el Consejo |
Tiempo de retraso de apagado |
el número de teléfono |
Tvj=25℃ |
|
3800 |
|
el Consejo |
Tvj=125℃ |
|
4100 |
|
el Consejo |
Tiempo de caída |
tF |
Tvj=25℃ |
|
1200 |
|
el Consejo |
Tvj=125℃ |
|
1400 |
|
el Consejo |
Energía de Conmutación de Encendido |
El EON |
Tvj=25℃ |
|
14240 |
|
mJ |
Tvj=125℃ |
|
15730 |
|
mJ |
Energía de Conmutación de Apagado |
El número de personas |
Tvj=25℃ |
|
6960 |
|
mJ |
Tvj=125℃ |
|
8180 |
|
mJ |
Corriente de cortocircuito |
ISC
|
VGE≤15V, tpsc≤10µs, VCC=3400V, Tvj=125℃
VCEM CHIP≤4500V
|
|
8400
|
|
A
|
Valores característicos del diodo
Parámetro |
El símbolo |
Condiciones |
Valor |
Unidad |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
Voltaje de Adelante |
VF |
IF=2000A |
Tvj=25℃ |
|
2.60 |
|
V |
Tvj=125℃ |
|
2.85 |
|
V |
Corriente de recuperación inversa |
No |
IF=2000A, VR=2800V, VGE=15V, RGon=1.8Ω, LS=140nH,
Carga inductiva
|
Tvj=25℃ |
|
1620 |
|
A |
Tvj=125℃ |
|
1970 |
|
A |
Carga de Recuperación Inversa |
¿Qué es eso? |
Tvj=25℃ |
|
1750 |
|
uC |
Tvj=125℃ |
|
2700 |
|
uC |
Tiempo de recuperación inversa |
trr |
Tvj=25℃ |
|
4.0 |
|
eE. UU. |
Tvj=125℃ |
|
5.1 |
|
eE. UU. |
Pérdida de Energía de Recuperación Inversa |
El Erec |
Tvj=25℃ |
|
2350 |
|
mJ |
Tvj=125℃ |
|
3860 |
|
mJ |
Configuración del Circuito
Esquema
Laboratorio bien equipado
Disponemos de un laboratorio bien equipado para pruebas y controlamos estrictamente la calidad de nuestros productos . Esto asegura que el índice de aprobación de los productos que entregamos a los clientes alcance el 100%.
Fábrica moderna automatizada
La fábrica moderna automatizada garantiza que todos los indicadores de rendimiento de nuestros productos sean altamente consistentes, minimizando al máximo las diferencias en los parámetros de cada producto. Esto no solo asegura la confiabilidad y consistencia de nuestros productos, sino que también sirve como una garantía importante para el funcionamiento seguro y confiable de los equipos de nuestros clientes.
Capacidad productiva suficiente
La sólida capacidad integral del fabricante y su suficiente capacidad de producción garantizan la entrega puntual de cada pedido.
Caso de Aplicación:
Actualización del Sistema de Propulsión para Rompehielos Nuclear (Sistema de 60 MW) .
Puntos dolorosos del cliente:
- Fallo en el Arranque en Frío
- Daño por vibración
- Limitaciones de espacio
Soluciones de Clase Naval YT2000ASW45CZ
| Problema |
Innovación tecnológica |
Certificación y Verificación |
| Fallo inducido por frío |
Unión dieléctrica sinterizada con plata (Operación a -55℃)
|
Material: Elimina adhesivos orgánicos |
| Resistencia al impacto del hielo |
Paquete de presión de aleación de titanio + amortiguadores de múltiples etapas (resistencia a vibraciones de 15g) |
Aprobado según IEC 60068-3-8: 8g/80Hz |
| Resistencia a la corrosión |
Bornes chapados en oro + sellado hermético (IP6K9K) |
Prueba de niebla salina MIL-STD-810H |
| Optimización del espacio |
Refrigeración bilateral → Huella 40% más pequeña en comparación con módulos estándar |
Aprobación tipo de Lloyd's Register |
Resultados operativos:
- ✅ Cero fallos en arranque en frío a -45 °C (4 inviernos árticos)
- ✅ Fallos relacionados con vibraciones reducidos en un 92 %
- ✅ Tiempo de mantenimiento reducido un 50 % con diseño de cartucho deslizante
- ✅ La recuperación de energía ahorra 8700 L de combustible/año por embarcación
Por qué los arquitectos navales confían en esta solución
Verificación de terceros
Por qué elegirnos?
Beijing World E To Technology Co., Ltd. es proveedor líder de productos semiconductores como módulo IGBT, IGBT discretos, chips IGBT, ADC/DAC, tiristor en China, dedicada principalmente a la distribución oficial de las marcas CRRC, Starpower, Techsem NARI. Con calificación para importación y exportación y 11 años de experiencia en esta industria, exportamos a Rusia, Emiratos Árabes Unidos y muchas otras zonas de Europa.
Contamos con estrictos criterios para la selección de fabricantes, equipos técnicos profesionales y control de calidad de los productos, garantizando el correcto funcionamiento de los proyectos de nuestros clientes en los campos del transporte ferroviario, industria eléctrica, vehículos eléctricos, inversores para motores y convertidores de frecuencia.
Mientras tanto, ayudar a los clientes a personalizar diversos tiristores y conjuntos de potencia según sus requisitos especiales de parámetros es otro componente importante de nuestra fabricación por contrato y una de nuestras ventajas.
Entrega segura
Cooperamos con las principales empresas internacionales de transporte de carga para garantizar un transporte oportuno.
Al mismo tiempo, empaquetamos cuidadosamente cada lote de mercancía que entregamos a nuestros clientes según sus requisitos, para garantizar que nuestros productos lleguen completos y sin daños.
EN
