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Módulo IGBT 750V

Módulo IGBT 750V

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Módulo IGBT, GD950HTX75P6HT Starpower

750V 950A, Paquete: P6

Brand:
El sistema de energía
Spu:
GD950HTX75P6HT
  • Introducción
  • Esquema
  • Esquema del circuito equivalente
Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT ,producido por El sistema de energía . 950V 750A. ¿ Qué?

Características

  • Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
  • Bajas pérdidas de conmutación
  • capacidad de cortocircuito de 6 μs
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Temperatura máxima de la unión 175
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Base aislada de cobre con pinfins usando Si 3Norte 4Tecnología AMB

Aplicaciones típicas

  • Automotriz aplicación
  • Vehículo Híbrido y Eléctrico
  • Inversores para motor de transmisión

En absoluto Máximo Calificaciones El F =25o Do a menos que de otro modo anotado

El IGBT

El símbolo

Descripción

Valores

UNIDAD

V El CES

Voltagem del colector-emittente

750

V

V El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V

I CN

El colector Cu implementado renta

950

A

I Do

Corriente Colectora @ T F =100o Do

450

A

I Cm

Corriente Colectora Pulsada t p =1 ms

1900

A

P D

Disposición máxima de energía ation @ El F =75o Do El j =175o Do

1162

W

Diodo

El símbolo

Descripción

Valores

UNIDAD

V RRM

Volta inversa de pico repetitivo el sector de la energía

750

V

I FN

El colector Cu implementado renta

950

A

I F

Diodo continuo hacia adelante Cu renta

450

A

I - ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms

1900

A

Módulo

El símbolo

Descripción

Valor

UNIDAD

El jmax

Temperatura máxima de unión

175

o Do

El el juego

Temperatura de las uniones de funcionamiento continua

Durante 10 segundos dentro de un período de 30 segundos, ocurrencia máximo 3000 veces durante la vida útil

-40 a +150 +150 a +175

o Do

El El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

o Do

V ISO

El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1 mínimo

2500

V

El IGBT Características El F =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

V CE (sat)

Recolector al emisor Voltagem de saturación

I Do el valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j =25o Do

1.35

1.60

V

I Do el valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j =150o Do

1.60

I Do el valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j =175o Do

1.65

I Do =950A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j =25o Do

1.75

I Do =950A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j =175o Do

2.35

V El sector de la energía (th )

Umbral de emisor de puertas Voltaje

I Do =9.60el número de ,V CE =V El sector de la energía , El j =25o Do

4.9

5.8

6.5

V

I Do =9.60el número de ,V CE =V El sector de la energía , Tj=175 o Do

4.1

I El CES

El colector Corte -Off Corriente

V CE =V El CES ,V El sector de la energía =0V, El j =25o Do

1.0

el número de

I El GES

Fugas de los emisores de puertas Corriente

V El sector de la energía =V El GES ,V CE =0V, El j =25o Do

400

nA

R El ginto

Resistencia de la puerta interna

0.7

ω

Do ies

Capacidad de entrada

V CE =50V,f=100kHz, V El sector de la energía el valor de la energía de la corriente

69.1

nF (número de trabajo)

Do es

Capacidad de salida

2.31

nF (número de trabajo)

Do res

Transferencia inversa Capacidad

1.05

nF (número de trabajo)

¿Qué es? GRAMO

Cargo por puerta

V CE =400V,I Do = 450A, V El sector de la energía =-8... +15V

3.29

el valor de la concentración

el d (on )

Tiempo de retraso de encendido

V CC =400V,I Do = 450A, R GRAMO = 2,4Ω,

V El sector de la energía el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a: L S =24nH,

El j =25o Do

191

el Consejo

el r

Tiempo de ascenso

83

el Consejo

el no se puede

Apagado Tiempo de retraso

543

el Consejo

el f

Tiempo de caída

158

el Consejo

Mi on

Enciende Conmutación Pérdida

16.8

mJ

Mi off

Cambiar el encendido Pérdida

20.5

mJ

el d (on )

Tiempo de retraso de encendido

V CC =400V,I Do = 450A, R GRAMO = 2,4Ω,

V El sector de la energía el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a: L S =24nH,

El j =150o Do

207

el Consejo

el r

Tiempo de ascenso

96

el Consejo

el no se puede

Apagado Tiempo de retraso

594

el Consejo

el f

Tiempo de caída

190

el Consejo

Mi on

Enciende Conmutación Pérdida

22.5

mJ

Mi off

Cambiar el encendido Pérdida

24.5

mJ

el d (on )

Tiempo de retraso de encendido

V CC =400V,I Do = 450A, R GRAMO = 2,4Ω,

V El sector de la energía el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a: L S =24nH,

El j =175o Do

208

el Consejo

el r

Tiempo de ascenso

103

el Consejo

el no se puede

Apagado Tiempo de retraso

613

el Consejo

el f

Tiempo de caída

190

el Consejo

Mi on

Enciende Conmutación Pérdida

26.7

mJ

Mi off

Cambiar el encendido Pérdida

26.9

mJ

I SC

Datos de la SC

el P ≤ 6 μs, V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

4800

A

El j =25o C, V CC =400V, V El CEM ≤750V

Diodo Características El F =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

V F

Diodo hacia adelante Voltaje

I F el valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía =0V,T j =25o Do

1.40

1.65

V

I F el valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía =0V,T j =150o Do

1.35

I F el valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía =0V,T j =175o Do

1.30

I F =950A,V El sector de la energía =0V,T j =25o Do

1.75

I F =950A,V El sector de la energía =0V,T j =175o Do

1.75

¿Qué es? r

Cargo recuperado

V R =400V,I F = 450A,

-di/dt=5520A/μs,V El sector de la energía el valor de la presión de escape L S =24nH ,El j =25o Do

16.4

el valor de la concentración

I RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

222

A

Mi reconocimiento

Recuperación inversa Energía

4.50

mJ

¿Qué es? r

Cargo recuperado

V R =400V,I F = 450A,

-di/dt=4810A/μs,V El sector de la energía el valor de la presión de escape L S =24nH ,El j =150o Do

32.2

el valor de la concentración

I RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

283

A

Mi reconocimiento

Recuperación inversa Energía

8.19

mJ

¿Qué es? r

Cargo recuperado

V R =400V,I F = 450A,

-di/dt=4630A/μs,V El sector de la energía el valor de la presión de escape L S =24nH ,El j =175o Do

36.3

el valor de la concentración

I RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

292

A

Mi reconocimiento

Recuperación inversa Energía

9.03

mJ

NTC Características El F =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

R 25

Resistencia nominal

5.0

∆R/R

Desviación de R 100

El Do =100 o Do ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Fuerza

Disipación

20.0

mW

B 25/50

Valor B

R 2=R 25exp [B 25/501/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3375

K

B 25/80

Valor B

R 2=R 25exp [B 25/801/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3411

K

B 25/100

Valor B

R 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3433

K

Módulo Características El F =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

L CE

Inductividad de alejamiento

8

nH

R CC+EE

Resistencia de plomo del módulo, terminal al chip

0.75

p

Presión máxima en el círculo de enfriamiento el cuco

El placa de base <40o Do

El placa de base 40o Do

(presión relativa)

2.5 2.0

bar

R el JF

Unión -a -Refrigeración El fluido (perIGBT )Unión a Líquido de Enfriamiento (por Di iodo) V/ t=10,0 dM 3/mínimo ,El F =75o Do

0.075 0.118

0.086 0.136

El número de unidades

METRO

El par de conexión de la terminal, El tornillo M5 Torque de montaje Tornillo M4

3.6 1.8

4.4 2.2

Nuevo Méjico

GRAMO

Peso de Módulo

750

gRAMO

Esquema

Esquema del circuito equivalente

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