Breve introducción
Módulos de diodo de recuperación rápida , MZ x25 0,Enfriamiento por Aire ,producido por TECHSEM.
VIRM |
Tipo y contorno |
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600V
800V
1000V
1200V
1400V
1600V
1800V
1800V
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MZx250-06-415F3
MZx250-08-415F3
MZx250-10-415F3
MZx250-12-415F3
MZx250-14-415F3
MZx250-16-415F3
MZx250-18-415F3
MZ250-18-415F3G
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MZx significa cualquier tipo de MZC, MZA, MZK
Características ：
- Base de montaje aislada 3000V~
-
Tecnología de contacto por presión con Capacidad de ciclo de potencia aumentada
- Ahorro de espacio y peso
Aplicaciones típicas ：
- El invertidor
- Calentamiento por inducción
- Helicóptero
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El símbolo
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Características
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Condiciones de ensayo
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Tj( ℃) |
Valor |
Unidad
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Mínimo |
Tipo |
Máx. |
IF(AV) |
Corriente media directa |
180°media onda senoidal 50Hz
Enfriado por un solo lado, TC=85 ℃
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140
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250 |
A |
IF (RMS) |
Corriente directa RMS |
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392 |
A |
MIRR |
Corriente pico repetitiva |
en VRRM |
140 |
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70 |
el número de |
El IFSM |
Corriente de avance de sobretensión |
10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM |
140
|
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6.2 |
kA |
I 2t |
I2t para coordinación de fusibles |
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192 |
103A 2s |
VFO |
Voltaje de umbral |
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140
|
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1.08 |
V |
rF |
Resistencia de pendiente directa |
|
|
0.35 |
m |
VFM |
Voltaje directo pico |
IFM=750A |
25 |
|
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1.55 |
V |
trr |
Tiempo de recuperación inversa |
IFM=300A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR=50V |
140 |
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4 |
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μs |
25 |
|
3 |
|
μs |
Rth(j-c) |
Resistencia térmica unión a carcasa |
Enfriado por un lado por chip |
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0.150 |
℃/W |
Rth(c-h) |
Resistencia térmica de la caja al disipador |
Enfriado por un lado por chip |
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0.040 |
℃ /W |
VISO (en inglés) |
Voltaje de aislamiento |
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
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3000 |
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V |
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- ¿ Qué?
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Par de conexión del terminal (M10) |
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10.0 |
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12.0 |
Nuevo Méjico |
Par de montaje (M6) |
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4.5 |
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6.0 |
Nuevo Méjico |
TVj |
Temperatura de unión |
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-40 |
|
140 |
℃ |
TSTG |
Temperatura almacenada |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
El |
Peso |
|
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1260 |
|
g |
Esquema |
415F3 |
EN
