Breve introducción acción
Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1700V 650A
Características
-
Bajo V CE (sat ) Trinchera El IGBT tecnología
-
10 μs capacidad de cortocircuito el mismo
-
V CE (sat ) con positivo temperatura coeficiente
-
Máximo temperatura de unión 175a C
-
Diodo ampliado para regenerativo operación
- Base de cobre aislada con tecnología DBC
-
Alta capacidad de potencia y ciclo térmico ciudad
Típico Aplicaciones
- Convertidor de Alta Potencia
- Energía eólica y solar
- Tracción
En absoluto Máximo Calificaciones T C=25a C a menos que de otro modo nota
El IGBT
El símbolo |
DESCRIPCIÓN |
Valor |
Unidad |
V El CES |
Voltagem del colector-emittente |
1700 |
V |
V El GES |
Voltagem del emisor de la puerta |
±20 |
V |
Yo C |
Corriente Colectora @ T C=25a C
@ T C= 100a C
|
1073
650
|
R |
Yo Cm |
Corriente Colectora Pulsada t p =1 ms |
1300 |
R |
PG |
Disipación de potencia máxima @ T j =175a C |
4.2 |
kW |
Diodo
El símbolo |
DESCRIPCIÓN |
Valor |
Unidad |
V RRM |
Voltado inverso de pico repetitivo |
1700 |
V |
Yo F |
Diodo de dirección continua hacia adelante alquiler |
650 |
R |
Yo - ¿ Qué? |
Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms |
1300 |
R |
Módulo
El símbolo |
DESCRIPCIÓN |
Valor |
Unidad |
T jmax |
Temperatura máxima de unión |
175 |
a C |
T el juego |
Temperatura de funcionamiento de las uniones |
-40 a +150 |
a C |
T El GST |
Temperatura de almacenamiento Gama |
-40 a +150 |
a C |
V ISO |
Voltaje de Aislamiento RMS,f=50Hz,t= 1min |
4000 |
V |
El IGBT Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
Unidad |
|
V CE (sat)
|
Recolector al emisor
Voltagem de saturación
|
Yo C=650A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =25a C |
|
1.90 |
2.35 |
V
|
Yo C=650A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =125a C |
|
2.35 |
|
Yo C=650A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =150a C |
|
2.45 |
|
V GE (th) |
Umbral de emisor de puertas Tensión |
Yo C=24.0el número de ,V CE =V GE , T j =25a C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Yo El CES |
El colector Cortado -Off
Actual
|
V CE =V El CES ,V GE =0V,
T j =25a C
|
|
|
5.0 |
el número de |
Yo El GES |
Fugas de los emisores de puertas Actual |
V GE =V El GES ,V CE =0V, T j =25a C |
|
|
400 |
nA |
Barra El ginto |
Resistencia de la puerta interna el |
|
|
2.3 |
|
ω |
Cies |
Capacidad de entrada |
V CE = 25V, f=1MHz,
V GE el valor de la energía de la corriente
|
|
72.3 |
|
nF (número de trabajo) |
Cres |
Transferencia inversa
Capacidad
|
|
1.75 |
|
nF (número de trabajo) |
PG |
Cargo por puerta |
V GE =- 15...+15V |
|
5.66 |
|
el valor de la concentración |
t g (activado ) |
Tiempo de retraso de encendido |
V CC = 900V,I C=650A, Barra ¿ Qué pasa? = 1, 8Ω,R - ¿ Qué? =2.7Ω, V GE el valor de las emisiones de CO2 j =25a C
|
|
468 |
|
el Consejo |
t barra |
Tiempo de ascenso |
|
86 |
|
el Consejo |
t g (off ) |
Apagado Tiempo de retraso |
|
850 |
|
el Consejo |
t f |
Tiempo de caída |
|
363 |
|
el Consejo |
Eactivado |
Enciende Cambio
Pérdida
|
|
226 |
|
mJ |
Eoff |
Cambiar el encendido
Pérdida
|
|
161 |
|
mJ |
t g (activado ) |
Tiempo de retraso de encendido |
V CC = 900V,I C=650A, Barra ¿ Qué pasa? = 1, 8Ω,R - ¿ Qué? =2.7Ω, V GE el valor de las emisiones de CO2 j = 125a C
|
|
480 |
|
el Consejo |
t barra |
Tiempo de ascenso |
|
110 |
|
el Consejo |
t g (off ) |
Apagado Tiempo de retraso |
|
1031 |
|
el Consejo |
t f |
Tiempo de caída |
|
600 |
|
el Consejo |
Eactivado |
Enciende Cambio
Pérdida
|
|
338 |
|
mJ |
Eoff |
Cambiar el encendido
Pérdida
|
|
226 |
|
mJ |
t g (activado ) |
Tiempo de retraso de encendido |
V CC = 900V,I C=650A, Barra ¿ Qué pasa? = 1, 8Ω,R - ¿ Qué? =2.7Ω, V GE el valor de las emisiones de CO2 j = 150a C
|
|
480 |
|
el Consejo |
t barra |
Tiempo de ascenso |
|
120 |
|
el Consejo |
t g (off ) |
Apagado Tiempo de retraso |
|
1040 |
|
el Consejo |
t f |
Tiempo de caída |
|
684 |
|
el Consejo |
Eactivado |
Enciende Cambio
Pérdida
|
|
368 |
|
mJ |
Eoff |
Cambiar el encendido
Pérdida
|
|
242 |
|
mJ |
|
Yo SC
|
Datos de la SC
|
t P≤ 10 μs, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.
T j =150a C, V CC = de una potencia de 1000 V, V El CEM no más de 700 V
|
|
2600
|
|
R
|
Diodo Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
Unidad |
|
V F
|
Diodo hacia adelante
Tensión
|
Yo F =650A,V GE =0V,T j =25a C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
Yo F =650A,V GE =0V,T j = 125a C |
|
1.98 |
|
Yo F =650A,V GE =0V,T j = 150a C |
|
2.02 |
|
Pbarra |
Cargo recuperado |
V Barra = 900V,I F =650A,
-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j =25a C
|
|
176 |
|
el valor de la concentración |
Yo RM |
Pico invertido
Corriente de recuperación
|
|
765 |
|
R |
Ereconocimiento |
Recuperación inversa Energía |
|
87.4 |
|
mJ |
Pbarra |
Cargo recuperado |
V Barra = 900V,I F =650A,
-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j = 125a C
|
|
292 |
|
el valor de la concentración |
Yo RM |
Pico invertido
Corriente de recuperación
|
|
798 |
|
R |
Ereconocimiento |
Recuperación inversa Energía |
|
159 |
|
mJ |
Pbarra |
Cargo recuperado |
V Barra = 900V,I F =650A,
-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j = 150a C
|
|
341 |
|
el valor de la concentración |
Yo RM |
Pico invertido
Corriente de recuperación
|
|
805 |
|
R |
Ereconocimiento |
Recuperación inversa Energía |
|
192 |
|
mJ |
NTC Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
Unidad |
Barra 25 |
Resistencia nominal |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Desviación de Barra 100 |
T C= 100 a C,R 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Potencia
Disipación
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
Valor B |
Barra 2=R 25exp [B 25/501/T 2-
¿Qué es lo que se está haciendo?
|
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
Valor B |
Barra 2=R 25exp [B 25/801/T 2-
¿Qué es lo que se está haciendo?
|
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
Valor B |
Barra 2=R 25exp [B 25/1001/T 2-
¿Qué es lo que se está haciendo?
|
|
3433 |
|
K |
Módulo Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
Unidad |
CCE |
Inductividad de alejamiento |
|
18 |
|
nH |
Barra CC+EE |
Modulo de resistencia al plomo, Terminal a el chip |
|
0.30 |
|
mΩ |
Barra el JC |
Enlace a la caja (por IGB) T)
Enlace a la caja (por D) yodo)
|
|
|
35.8
71.3
|
K/kW |
|
Barra el CH
|
En el caso de los equipos de refrigeración de aire acondicionado, el valor de la presión de refrigeración debe ser igual o superior a: El número de unidades de carga
El sistema de refrigeración de la caja (p) diodo de acero)
En el caso de los equipos de refrigeración de aire acondicionado, el valor de la presión de refrigeración debe ser igual o superior a: Módulo)
|
|
13.5
26.9
4.5
|
|
K/kW |
|
M
|
El par de conexión de la terminal, Tornillo M4 Conexión Terminal Par, El tornillo M8 Torque de montaje El tornillo M5 |
1.8
8.0
3.0
|
|
2.1
10.0
6.0
|
Nuevo Méjico
|
G |
Peso de Módulo |
|
810 |
|
g |
EN
