Breve introducción
Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1200V 200A. ¿ Qué?
Características
- Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
- Baja pérdida de conmutación
- Capacidad de cortocircuito
- VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
- Temperatura máxima de unión 175oC
- Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
- Cuadro de baja inductancia
- Disipador de calor aislado utilizando tecnología DBC
Aplicaciones típicas
En absoluto Máximo Calificaciones El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado
T1, T4 IGBT
El símbolo |
Descripción |
Valores |
UNIDAD |
V El CES |
Voltagem del colector-emittente |
1200 |
V |
V El GES |
Voltagem del emisor de la puerta |
±20 |
V |
I Do |
Corriente Colectora @ T Do =25o Do
@ T Do = 100o Do
|
339
200
|
A |
I Cm |
Corriente Colectora Pulsada t p = 1 ms |
400 |
A |
P D |
Disipación de potencia máxima @ T j =175o Do |
1456 |
W |
D1, D4 Diodo
El símbolo |
Descripción |
Valor |
UNIDAD |
V RRM |
Voltado inverso de pico repetitivo |
1200 |
V |
I F |
Diodo de dirección continua hacia adelante alquiler |
75 |
A |
I - ¿ Qué? |
Corriente Directa Máxima del Diodo t p = 1 ms |
150 |
A |
T2, T3 IGBT
El símbolo |
Descripción |
Valor |
UNIDAD |
V El CES |
Voltagem del colector-emittente |
650 |
V |
V El GES |
Voltagem del emisor de la puerta |
±20 |
V |
I Do |
Corriente Colectora @ T Do =25o Do
@ T Do =95o Do
|
158
100
|
A |
I Cm |
Corriente Colectora Pulsada t p = 1 ms |
200 |
A |
P D |
Disipación de potencia máxima @ T j =175o Do |
441 |
W |
D2, D3 Diodo
El símbolo |
Descripción |
Valor |
UNIDAD |
V RRM |
Voltado inverso de pico repetitivo |
650 |
V |
I F |
Diodo de dirección continua hacia adelante alquiler |
100 |
A |
I - ¿ Qué? |
Corriente Directa Máxima del Diodo t p = 1 ms |
200 |
A |
Módulo
El símbolo |
Descripción |
Valor |
UNIDAD |
El jmax |
Temperatura máxima de unión |
175 |
o Do |
El el juego |
Temperatura de funcionamiento de las uniones |
-40 a +150 |
o Do |
El El GST |
Temperatura de almacenamiento Autonomía |
-40 a +125 |
o Do |
V ISO |
El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1 mínimo |
2500 |
V |
T1, T4 El IGBT Características El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
UNIDAD |
|
V CE (sat)
|
Recolector al emisor
Voltagem de saturación
|
I Do = 100A,V El sector de la energía = de una potencia de 15 V, El j =25o Do |
|
1.40 |
1.85 |
V
|
I Do = 100A,V El sector de la energía = de una potencia de 15 V, El j =125o Do |
|
1.65 |
|
I Do = 100A,V El sector de la energía = de una potencia de 15 V, El j =150o Do |
|
1.70 |
|
V El sector de la energía (th ) |
Umbral de emisor de puertas Voltaje |
I Do =5.0el número de ,V CE =V El sector de la energía , El j =25o Do |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
I El CES |
El colector Corte -Off
Corriente
|
V CE =V El CES ,V El sector de la energía =0V,
El j =25o Do
|
|
|
1.0 |
el número de |
I El GES |
Fugas de los emisores de puertas Corriente |
V El sector de la energía =V El GES ,V CE =0V, El j =25o Do |
|
|
400 |
nA |
R El ginto |
Resistencia de la puerta interna el |
|
|
3.8 |
|
ω |
Do ies |
Capacidad de entrada |
V CE = 25V, f=1MHz,
V El sector de la energía el valor de la energía de la corriente
|
|
20.7 |
|
nF (número de trabajo) |
Do res |
Transferencia inversa
Capacidad
|
|
0.58 |
|
nF (número de trabajo) |
¿Qué es? GRAMO |
Cargo por puerta |
V El sector de la energía =- 15...+15V |
|
1.56 |
|
el valor de la concentración |
el d (on ) |
Tiempo de retraso de encendido |
V CC =400V,I Do = el número de unidades de producción R GRAMO = 1. 1Ω,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j =25o Do
|
|
142 |
|
el Consejo |
el r |
Tiempo de ascenso |
|
25 |
|
el Consejo |
el d (off ) |
Apagado Tiempo de retraso |
|
352 |
|
el Consejo |
el f |
Tiempo de caída |
|
33 |
|
el Consejo |
Mi on |
Enciende Conmutación
Pérdida
|
|
1.21 |
|
mJ |
Mi off |
Cambiar el encendido
Pérdida
|
|
3.90 |
|
mJ |
el d (on ) |
Tiempo de retraso de encendido |
V CC =400V,I Do = el número de unidades de producción R GRAMO = 1. 1Ω,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j = 125o Do
|
|
155 |
|
el Consejo |
el r |
Tiempo de ascenso |
|
29 |
|
el Consejo |
el d (off ) |
Apagado Tiempo de retraso |
|
440 |
|
el Consejo |
el f |
Tiempo de caída |
|
61 |
|
el Consejo |
Mi on |
Enciende Conmutación
Pérdida
|
|
2.02 |
|
mJ |
Mi off |
Cambiar el encendido
Pérdida
|
|
5.83 |
|
mJ |
el d (on ) |
Tiempo de retraso de encendido |
V CC =400V,I Do = el número de unidades de producción R GRAMO = 1. 1Ω,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j = 150o Do
|
|
161 |
|
el Consejo |
el r |
Tiempo de ascenso |
|
30 |
|
el Consejo |
el d (off ) |
Apagado Tiempo de retraso |
|
462 |
|
el Consejo |
el f |
Tiempo de caída |
|
66 |
|
el Consejo |
Mi on |
Enciende Conmutación
Pérdida
|
|
2.24 |
|
mJ |
Mi off |
Cambiar el encendido
Pérdida
|
|
6.49 |
|
mJ |
|
I SC
|
Datos de la SC
|
el P ≤ 10 μs, V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.
El j =150o C, V CC el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. V El CEM no más de 1200 V
|
|
800
|
|
A
|
D1,D4 Diodo Características El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
UNIDAD |
|
V F
|
Diodo hacia adelante
Voltaje
|
I F =75A,V El sector de la energía =0V,T j =25o Do |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
I F =75A,V El sector de la energía =0V,T j = 125o Do |
|
1.65 |
|
I F =75A,V El sector de la energía =0V,T j = 150o Do |
|
1.65 |
|
¿Qué es? r |
Cargo recuperado |
V R =400V,I F =75A,
-di/dt=3500A/μs,V El sector de la energía =- 15V El j =25o Do
|
|
8.7 |
|
el valor de la concentración |
I RM |
Pico invertido
Corriente de recuperación
|
|
122 |
|
A |
Mi reconocimiento |
Recuperación inversa Energía |
|
2.91 |
|
mJ |
¿Qué es? r |
Cargo recuperado |
V R =400V,I F =75A,
-di/dt=3500A/μs,V El sector de la energía =- 15V El j = 125o Do
|
|
17.2 |
|
el valor de la concentración |
I RM |
Pico invertido
Corriente de recuperación
|
|
143 |
|
A |
Mi reconocimiento |
Recuperación inversa Energía |
|
5.72 |
|
mJ |
¿Qué es? r |
Cargo recuperado |
V R =400V,I F =75A,
-di/dt=3500A/μs,V El sector de la energía =- 15V El j = 150o Do
|
|
19.4 |
|
el valor de la concentración |
I RM |
Pico invertido
Corriente de recuperación
|
|
152 |
|
A |
Mi reconocimiento |
Recuperación inversa Energía |
|
6.30 |
|
mJ |
T2,T3 El IGBT Características El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
UNIDAD |
|
V CE (sat)
|
Recolector al emisor
Voltagem de saturación
|
I Do = 100A,V El sector de la energía = de una potencia de 15 V, El j =25o Do |
|
1.45 |
1.90 |
V
|
I Do = 100A,V El sector de la energía = de una potencia de 15 V, El j =125o Do |
|
1.60 |
|
I Do = 100A,V El sector de la energía = de una potencia de 15 V, El j =150o Do |
|
1.70 |
|
V El sector de la energía (th ) |
Umbral de emisor de puertas Voltaje |
I Do = 1.60mA,V CE =V El sector de la energía , T j =25o Do |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
V |
I El CES |
El colector Corte -Off
Corriente
|
V CE =V El CES ,V El sector de la energía =0V,
El j =25o Do
|
|
|
1.0 |
el número de |
I El GES |
Fugas de los emisores de puertas Corriente |
V El sector de la energía =V El GES ,V CE =0V, El j =25o Do |
|
|
400 |
nA |
R El ginto |
Resistencia de la puerta interna el |
|
|
2.0 |
|
ω |
Do ies |
Capacidad de entrada |
V CE = 25V, f=1MHz,
V El sector de la energía el valor de la energía de la corriente
|
|
11.6 |
|
nF (número de trabajo) |
Do res |
Transferencia inversa
Capacidad
|
|
0.23 |
|
nF (número de trabajo) |
¿Qué es? GRAMO |
Cargo por puerta |
V El sector de la energía =- 15...+15V |
|
0.69 |
|
el valor de la concentración |
el d (on ) |
Tiempo de retraso de encendido |
V CC =400V,I Do = el número de unidades de producción R GRAMO =3.3Ω,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j =25o Do
|
|
44 |
|
el Consejo |
el r |
Tiempo de ascenso |
|
20 |
|
el Consejo |
el d (off ) |
Apagado Tiempo de retraso |
|
200 |
|
el Consejo |
el f |
Tiempo de caída |
|
28 |
|
el Consejo |
Mi on |
Enciende Conmutación
Pérdida
|
|
1.48 |
|
mJ |
Mi off |
Cambiar el encendido
Pérdida
|
|
2.48 |
|
mJ |
el d (on ) |
Tiempo de retraso de encendido |
V CC =400V,I Do = el número de unidades de producción R GRAMO =3.3Ω,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j = 125o Do
|
|
48 |
|
el Consejo |
el r |
Tiempo de ascenso |
|
24 |
|
el Consejo |
el d (off ) |
Apagado Tiempo de retraso |
|
216 |
|
el Consejo |
el f |
Tiempo de caída |
|
40 |
|
el Consejo |
Mi on |
Enciende Conmutación
Pérdida
|
|
2.24 |
|
mJ |
Mi off |
Cambiar el encendido
Pérdida
|
|
3.28 |
|
mJ |
el d (on ) |
Tiempo de retraso de encendido |
V CC =400V,I Do = el número de unidades de producción R GRAMO =3.3Ω,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j = 150o Do
|
|
52 |
|
el Consejo |
el r |
Tiempo de ascenso |
|
24 |
|
el Consejo |
el d (off ) |
Apagado Tiempo de retraso |
|
224 |
|
el Consejo |
el f |
Tiempo de caída |
|
48 |
|
el Consejo |
Mi on |
Enciende Conmutación
Pérdida
|
|
2.64 |
|
mJ |
Mi off |
Cambiar el encendido
Pérdida
|
|
3.68 |
|
mJ |
|
I SC
|
Datos de la SC
|
el P ≤6μs,V El sector de la energía = de una potencia de 15 V,
El j =150o C, V CC el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. V El CEM ≤650V
|
|
500
|
|
A
|
D2,D3 Diodo Características El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
UNIDAD |
|
V F
|
Diodo hacia adelante
Voltaje
|
I F = 100A,V El sector de la energía =0V,T j =25o Do |
|
1.55 |
2.00 |
V
|
I F = 100A,V El sector de la energía =0V,T j = 125o Do |
|
1.50 |
|
I F = 100A,V El sector de la energía =0V,T j = 150o Do |
|
1.45 |
|
¿Qué es? r |
Cargo recuperado |
V R =400V,I F = el número de unidades de producción
-di/dt=4070A/μs,V El sector de la energía =- 15V El j =25o Do
|
|
3.57 |
|
el valor de la concentración |
I RM |
Pico invertido
Corriente de recuperación
|
|
99 |
|
A |
Mi reconocimiento |
Recuperación inversa Energía |
|
1.04 |
|
mJ |
¿Qué es? r |
Cargo recuperado |
V R =400V,I F = el número de unidades de producción
-di/dt=4070A/μs,V El sector de la energía =- 15V El j = 125o Do
|
|
6.49 |
|
el valor de la concentración |
I RM |
Pico invertido
Corriente de recuperación
|
|
110 |
|
A |
Mi reconocimiento |
Recuperación inversa Energía |
|
1.70 |
|
mJ |
¿Qué es? r |
Cargo recuperado |
V R =400V,I F = el número de unidades de producción
-di/dt=4070A/μs,V El sector de la energía =- 15V El j = 150o Do
|
|
7.04 |
|
el valor de la concentración |
I RM |
Pico invertido
Corriente de recuperación
|
|
110 |
|
A |
Mi reconocimiento |
Recuperación inversa Energía |
|
1.81 |
|
mJ |
NTC Características El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
UNIDAD |
R 25 |
Resistencia nominal |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Desviación de R 100 |
El Do = 100 o C,R 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Fuerza
Disipación
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
Valor B |
R 2=R 25exp [B 25/501/T 2-
¿Qué es lo que se está haciendo?
|
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
Valor B |
R 2=R 25exp [B 25/801/T 2-
¿Qué es lo que se está haciendo?
|
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
Valor B |
R 2=R 25exp [B 25/1001/T 2-
¿Qué es lo que se está haciendo?
|
|
3433 |
|
K |
Módulo Características El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
UNIDAD |
|
R el JC
|
Enlace a la caja (por T1, T4 IGBT)
Unión-a-Carcasa (por D1,D4 Dio de)
Unión-a-Carcasa (por T2, T3 IGBT)
Unión-a-Carcasa (por D2,D3 Dio de)
|
|
0.094
0.405
0.309
0.544
|
0.103
0.446
0.340
0.598
|
El número de unidades
|
|
R el CH
|
En el caso de los equipos de refrigeración de aire acondicionado, el valor de la presión de refrigeración debe ser igual o superior a: T1,T4 IGBT)
Carcasa-a-Dissipador (por D1,D4 Diodo)
En el caso de los equipos de refrigeración de aire acondicionado, el valor de la presión de refrigeración debe ser igual o superior a: T2,T3 IGBT)
Carcasa-a-Dissipador (por D2,D3 Diodo)
En el caso de los equipos de refrigeración de aire acondicionado, el valor de la presión de refrigeración debe ser igual o superior a: Módulo)
|
|
0.126
0.547
0.417
0.733
0.037
|
|
El número de unidades
|
F |
Fuerza de Montaje Por Tenaza |
40 |
|
80 |
Norte |
GRAMO |
Peso de Módulo |
|
39 |
|
gRAMO |
EN
