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Módulo IGBT 1200V

Módulo IGBT 1200V

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GD200HFX120C8SN, Módulo IGBT, STARPOWER

Módulo IGBT, 1200V 200A, Envoltorio:C8

Brand:
El sistema de energía
Spu:
GD200HFX120C8SN
  • Introducción
  • Esquema
  • Esquema del circuito equivalente
Introducción

Introducción breve

Modulo IGBT ,producido por El sistema de energía .1200V 200A. ¿ Qué?

Características

  • Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
  • capacidad de cortocircuito de 10 μs
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Temperatura máxima de la unión 175
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Base de cobre aislada con tecnología DBC

Aplicaciones típicas

  • Inversores para motor de transmisión
  • Con un volumen de carga de más de 300 W
  • Suministro de energía ininterrumpible

En absoluto Máximo Calificaciones T F =25o C a menos que de otro modo anotado

El IGBT

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valores

Unidad

V El CES

Voltagem del colector-emittente

1200

V

V El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V

IC

Corriente Colectora @ T C=25o C @ T C=100o C

363

200

A

ICRM

Repetitivo Pico El colector Actual tp limitada por T vjop

400

A

PD

Disipación de potencia máxima @ T vj =175o C

1293

A

Diodo

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valores

Unidad

V RRM

Volt inverso de pico repetitivo edad

1200

V

IF

Diodo continuo hacia adelante Cu renta

200

A

IEl MFR

Repetitivo Pico Adelante Actual tp limitada por T vjop

400

A

Módulo

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valores

Unidad

T vjmax

Temperatura máxima de unión

175

o C

T vjop

Temperatura de funcionamiento de las uniones

-40 a +150

o C

T El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

o C

V ISO

Voltaje de Aislamiento RMS,f=50Hz,t= 1min

2500

V

El IGBT Características T C=25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

V CE (sat)

Recolector al emisor Voltagem de saturación

IC=200A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =25o C

1.75

2.20

V

IC=200A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =125o C

2.00

IC=200A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =150o C

2.05

V GE (th)

Umbral de emisor de puertas Tensión

IC=8.0el número de ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

IEl CES

El colector Cortado -Off Actual

V CE =V El CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

el número de

IEl GES

Fugas de los emisores de puertas Actual

V GE =V El GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barra El ginto

Resistencia de la puerta interna el

1.0

ω

Cies

Capacidad de entrada

V CE = 25V, f=1MHz, V GE el valor de la energía de la corriente

18.6

nF (número de trabajo)

Cres

Transferencia inversa Capacidad

0.52

nF (número de trabajo)

PG

Cargo por puerta

V GE =-15 …+15V

1.40

el valor de la concentración

t d (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C=200A, Barra G=2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj =25o C

140

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

31

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

239

el Consejo

t f

Tiempo de caída

188

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

11.2

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

13.4

mJ

t d (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C=200A, Barra G=2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj =125o C

146

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

36

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

284

el Consejo

t f

Tiempo de caída

284

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

19.4

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

18.9

mJ

t d (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C=200A, Barra G=2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj =150o C

148

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

37

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

294

el Consejo

t f

Tiempo de caída

303

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

21.7

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

19.8

mJ

ISC

Datos de la SC

t P≤10μs, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

T vj =150o C, V CC el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. V El CEM no más de 1200 V

800

A

Diodo Características T C=25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

V F

Diodo hacia adelante Tensión

IF =200A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =200A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =200A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F =200A,

-di/dt=5710A/μs, Ls=50nH, V GE se aplicará el método siguiente: T vj =25o C

20.0

el valor de la concentración

IRM

Pico invertido

Corriente de recuperación

220

A

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

7.5

mJ

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F =200A,

-di/dt=4740A/μs, Ls=50nH, V GE se aplicará el método siguiente: T vj =125o C

34.3

el valor de la concentración

IRM

Pico invertido

Corriente de recuperación

209

A

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

12.9

mJ

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F =200A,

-di/dt=4400A/μs, Ls=50nH, V GE se aplicará el método siguiente: T vj =150o C

38.7

el valor de la concentración

IRM

Pico invertido

Corriente de recuperación

204

A

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

14.6

mJ

Módulo Características T C=25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

Barra el JC

Unión -a -Caso (perIGBT ) Junción-a-Caja (por D iodo)

0.116 0.185

El número de unidades

Barra el CH

En el caso de los equipos de refrigeración de aire acondicionado, el valor de la presión de refrigeración debe ser igual o superior a: El número de unidades de carga Caja-a-disipador (pe r Diodo) Caja-a-disipador (por M ódulo)

0.150 0.239 0.046

El número de unidades

M

El par de conexión de la terminal, El tornillo M5 Torque de montaje El tornillo M5

2.5 2.5

3.5 3.5

Nuevo Méjico

G

Peso de Módulo

200

g

Esquema

Esquema del circuito equivalente

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