Breve introducción
Módulos de diodo de recuperación rápida , MZ x30 0,Enfriamiento por Aire ,producido por TECHSEM.
VIRM |
Tipo y contorno |
|
600V
800V
1000V
1200V
1400V
1600V
1800V
1800V
|
MZx400-06-406F3
MZx400-08-406F3
MZx400-10-406F3
MZx400-12-406F3
MZx400-14-406F3
MZx400-16-406F3
MZx400-18-406F3
MZx400-18-406F3G
|
Características ：
- Base de montaje aislada 3000V~
-
Tecnología de contacto por presión con Capacidad de ciclo de potencia aumentada
- Ahorro de espacio y peso
Aplicaciones típicas ：
- El invertidor
- Calentamiento por inducción
- Helicóptero
|
El símbolo
|
Características
|
Condiciones de ensayo
|
Tj( ℃ ) |
Valor |
Unidad
|
Mín |
Tipo |
Máx |
IF(AV) |
Corriente media directa |
180° onda sinusoidal media 50Hz Enfriado por un lado,TC=60 ℃ |
150
|
|
|
400 |
A |
IF (RMS) |
Corriente directa RMS |
|
|
628 |
A |
MIRR |
Corriente pico repetitiva |
en VRRM |
150 |
|
|
70 |
el número de |
El IFSM |
Corriente de avance de sobretensión |
10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM |
150
|
|
|
8.30 |
kA |
El 1 de enero |
I2t para coordinación de fusibles |
|
|
344 |
A 2s*103 |
VFO |
Voltaje de umbral |
|
150
|
|
|
1.0 |
V |
rF |
Resistencia de pendiente directa |
|
|
0.85 |
m |
VFM |
Voltaje directo pico |
IFM= 1200A |
25 |
|
|
2.1 |
V |
trr |
Tiempo de recuperación inversa |
IFM=300A,tp=4000μs, -di/dt=20A/μs,VR=50V |
150 |
|
4.0 |
|
μs |
25 |
|
2.0 |
|
μs |
Rth(j-c) |
Resistencia térmica unión a carcasa |
Enfriado por un lado por chip |
|
|
|
0.130 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Resistencia térmica de la caja al disipador |
Enfriado por un lado por chip |
|
|
|
0.040 |
℃ /W |
VISO (en inglés) |
Voltaje de aislamiento |
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V |
|
- ¿ Qué?
|
Par de conexión del terminal (M10) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
Nuevo Méjico |
Par de montaje (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
Nuevo Méjico |
TVj |
Temperatura de unión |
|
|
-40 |
|
150 |
℃ |
TSTG |
Temperatura almacenada |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
El |
Peso |
|
|
|
1580 |
|
g. El |
Esquema |
406F3 |
EN
