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Módulo IGBT 1200V

Módulo IGBT 1200V

Página de inicio/Productos/Módulo IGBT/Módulo IGBT 1200V

GD150PIY120C6SN, Módulo IGBT, STARPOWER

1200V 150A, envase: C6

Brand:
El sistema de energía
Spu:
GD150PIY120C6SN
  • Introducción
  • Esquema
  • Esquema del circuito equivalente
Introducción

Introducción breve

Modulo IGBT ,producido por El sistema de energía .1200V 150A. ¿ Qué?

Características

  • Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
  • capacidad de cortocircuito de 10 μs
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Temperatura máxima de la unión 175
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Base de cobre aislada con tecnología DBC

Aplicaciones típicas

  • Inversores para motor de transmisión
  • Con un volumen de carga de más de 300 W
  • Suministro de energía ininterrumpible

En absoluto Máximo Calificaciones T F =25a C a menos que de otro modo anotado

El motor de la serie A

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valores

Unidad

V El CES

Voltagem del colector-emittente

1200

V

V El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V

Yo C

Corriente Colectora @ T C=25a C @ T C=100a C

292

150

R

Yo Cm

Corriente Colectora Pulsada t p =1 ms

300

R

PG

Disipación de potencia máxima @ T j =175a C

1111

R

El motor de las partidas de los modelos A y B

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valores

Unidad

V RRM

Volt inverso de pico repetitivo edad

1200

V

Yo F

Diodo continuo hacia adelante Cu renta

150

R

Yo - ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms

300

R

Diodo-rectificador

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

Unidad

V RRM

Volt inverso de pico repetitivo edad

1600

V

Yo R

Corriente de salida promedio 5 0Hz/60Hz, onda senoidal

150

R

Yo FSM

Corriente de impulso t p =10ms @ T j =25a C @ T j =150a C

1600

1400

R

Yo 2t

Yo 2t-valor,t p =10ms @ T j =25a C @ T j =150a C

13000

9800

R 2s

IGBT-freno

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

Unidad

V El CES

Voltagem del colector-emittente

1200

V

V El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V

Yo C

Corriente Colectora @ T C=25a C @ T C=100a C

200

100

R

Yo Cm

Corriente Colectora Pulsada t p =1 ms

200

R

PG

Disipación de potencia máxima @ T j =175a C

833

R

Diodo -freno

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

Unidad

V RRM

Volt inverso de pico repetitivo edad

1200

V

Yo F

Diodo continuo hacia adelante Cu renta

50

R

Yo - ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms

100

R

Módulo

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

Unidad

T jmax

Temperatura Máxima de la Unión (invertidor,freno) Temperatura máxima de la unión (rectificador)

175

150

a C

T el juego

Temperatura de funcionamiento de las uniones

-40 a +150

a C

T El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

a C

V ISO

Voltaje de aislamiento RMS, f=50Hz, t = 1 minuto

2500

V

El IGBT -el invertidor Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

V CE (sat)

Recolector al emisor Voltagem de saturación

Yo C=150A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =25a C

1.70

2.15

V

Yo C=150A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =125a C

1.95

Yo C=150A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =150a C

2.00

V GE (th)

Umbral de emisor de puertas Tensión

Yo C=6.00el número de ,V CE =V GE , T j =25a C

5.6

6.2

6.8

V

Yo El CES

El colector Cortado -Off Actual

V CE =V El CES ,V GE =0V, T j =25a C

1.0

el número de

Yo El GES

Fugas de los emisores de puertas Actual

V GE =V El GES ,V CE =0V, T j =25a C

400

nA

Barra El ginto

Resistencia de la puerta interna el

2.0

ω

Cies

Capacidad de entrada

V CE = 25V, f=1MHz, V GE el valor de la energía de la corriente

15.5

nF (número de trabajo)

Cres

Transferencia inversa Capacidad

0.44

nF (número de trabajo)

PG

Cargo por puerta

V GE =-15 …+15V

1.17

el valor de la concentración

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C=150A, Barra G=1. 1Ω,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =25a C

96

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

30

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

255

el Consejo

t f

Tiempo de caída

269

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

8.59

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

12.3

mJ

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C=150A, Barra G=1. 1Ω,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =125a C

117

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

37

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

307

el Consejo

t f

Tiempo de caída

371

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

13.2

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

16.8

mJ

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C=150A, Barra G=1. 1Ω,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =150a C

122

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

38

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

315

el Consejo

t f

Tiempo de caída

425

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

14.8

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

18.1

mJ

Yo SC

Datos de la SC

t P≤10μs, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

T j =150a C, V CC =900V, V El CEM no más de 1200 V

600

R

Diodo -el invertidor Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

V F

Diodo hacia adelante Tensión

Yo F =150A,V GE =0V,T j =25a C

1.85

2.25

V

Yo F =150A,V GE =0V,T j =125a C

1.90

Yo F =150A,V GE =0V,T j =150a C

1.95

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F =150A,

-di/dt=4750A/μs,V GE el valor de la presión de escape T j =25a C

8.62

el valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

177

R

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

5.68

mJ

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F =150A,

-di/dt=3950A/μs,V GE el valor de la presión de escape T j =125a C

16.7

el valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

191

R

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

10.2

mJ

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F =150A,

-di/dt=3750A/μs,V GE el valor de la presión de escape T j =150a C

19.4

el valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

196

R

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

12.1

mJ

Diodo -rectificador Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

V F

Diodo hacia adelante Tensión

Yo C=150A, T j =150a C

1.00

V

Yo Barra

Corriente inversa

T j =150a C, V Barra =1600V

3.0

el número de

El IGBT -freno Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

V CE (sat)

Recolector al emisor Voltagem de saturación

Yo C=100A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =25a C

1.70

2.15

V

Yo C=100A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =125a C

1.95

Yo C=100A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =150a C

2.00

V GE (th)

Umbral de emisor de puertas Tensión

Yo C=4.00el número de ,V CE =V GE , T j =25a C

5.6

6.2

6.8

V

Yo El CES

El colector Cortado -Off Actual

V CE =V El CES ,V GE =0V, T j =25a C

1.0

el número de

Yo El GES

Fugas de los emisores de puertas Actual

V GE =V El GES ,V CE =0V, T j =25a C

400

nA

Barra El ginto

Resistencia de la puerta interna el

7.5

ω

Cies

Capacidad de entrada

V CE = 25V, f=1MHz, V GE el valor de la energía de la corriente

10.4

nF (número de trabajo)

Cres

Transferencia inversa Capacidad

0.29

nF (número de trabajo)

PG

Cargo por puerta

V GE =-15 …+15V

0.08

el valor de la concentración

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C=100A, Barra G= 1,6Ω,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =25a C

170

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

32

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

360

el Consejo

t f

Tiempo de caída

86

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

5.90

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

6.05

mJ

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C=100A, Barra G= 1,6Ω,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =125a C

180

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

42

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

470

el Consejo

t f

Tiempo de caída

165

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

9.10

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

9.35

mJ

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C=100A, Barra G= 1,6Ω,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =150a C

181

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

43

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

480

el Consejo

t f

Tiempo de caída

186

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

10.0

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

10.5

mJ

Yo SC

Datos de la SC

t P≤10μs, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

T j =150a C, V CC =900V, V El CEM no más de 1200 V

400

R

Diodo -freno Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

V F

Diodo hacia adelante Tensión

Yo F =50A,V GE =0V,T j =25a C

1.85

2.30

V

Yo F =50A,V GE =0V,T j =125a C

1.90

Yo F =50A,V GE =0V,T j =150a C

1.95

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE el valor de la presión de escape T j =25a C

6.3

el valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

62

R

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

1.67

mJ

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE el valor de la presión de escape T j =125a C

10.1

el valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

69

R

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

2.94

mJ

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE el valor de la presión de escape T j =150a C

11.5

el valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

72

R

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

3.63

mJ

NTC Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

Barra 25

Resistencia nominal

5.0

∆R/R

Desviación de Barra 100

T C=100 a C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Potencia

Disipación

20.0

mW

B 25/50

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/501/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3375

K

B 25/80

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/801/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3411

K

B 25/100

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3433

K

Módulo Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

CCE

Inductividad de alejamiento

40

nH

Barra CC+EE Barra AA ’+CC

Resistencia de Conexión del Módulo nce,Terminal a Chip

4.00 3.00

Barra el JC

Unión -a -Caso (perIGBT -el invertidor ) Unión-a-Carcasa (por DIODO-inversor er) Unión-a-Carcasa (por Diodo-rectif icador) Unión -a -Caso (perIGBT -freno )

Unión-a-Carcasa (por Diodo-br eak)

0.135 0.300 0.238 0.180 0.472

El número de unidades

Barra el CH

Caso -a -Disipador de calor (perIGBT -el invertidor )Carcasa-a-Dissipador (por Diodo-i nversor) Carcaza-a-disipador (por Diodo-re ctificador) Caso -a -Disipador de calor (perIGBT -freno )

Carcaza-a-disipador (por Dio de-freno) En el caso de los equipos de refrigeración de aire acondicionado, el valor de la presión de refrigeración debe ser igual o superior a: Módulo)

0.118 0.263 0.208 0.158 0.413 0.009

El número de unidades

M

Torque de montaje El motor de la unidad de carga

3.0

6.0

Nuevo Méjico

Esquema

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