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Módulo IGBT 1200V

Módulo IGBT 1200V

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GD150HFU120C8SD, Módulo IGBT, STARPOWER

1200V 150A, envase: C8

Brand:
El sistema de energía
Spu:
GD150PIX120C6SNA
  • Introducción
  • Esquema
  • Esquema del circuito equivalente
Introducción

Introducción breve

Modulo IGBT ,producido por El sistema de energía .1200V 150A. ¿ Qué?

Características

  • Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
  • capacidad de cortocircuito de 10 μs
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Temperatura máxima de la unión 175
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Base de cobre aislada con tecnología DBC

Aplicaciones típicas

  • Inversores para motor de transmisión
  • Con un volumen de carga de más de 300 W
  • Suministro de energía ininterrumpible

En absoluto Máximo Calificaciones T F =25a C a menos que de otro modo anotado

El IGBT

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

Unidad

V El CES

Voltagem del colector-emittente

1200

V

V El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V

Yo C

Corriente Colectora @ T C=25a C@ T C=85a C

238

150

R

Yo Cm

Corriente Colectora Pulsada t p =1 ms

300

R

PG

Disipación de potencia máxima @ T vj =150a C

1237

R

Diodo

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

Unidad

V RRM

Volt inverso de pico repetitivo edad

1200

V

Yo F

Diodo continuo hacia adelante Cu renta

150

R

Yo - ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms

300

R

Módulo

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

Unidad

T vjmax

Temperatura máxima de unión

150

a C

T vjop

Temperatura de funcionamiento de las uniones

-40 a +125

a C

T El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

a C

V ISO

Voltaje de aislamiento RMS, f=50Hz, t = 1 minuto

2500

V

El IGBT Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

V CE (sat)

Recolector al emisor Voltagem de saturación

Yo C=150A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =25a C

2.90

3.35

V

Yo C=150A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =125a C

3.60

V GE (th)

Umbral de emisor de puertas Tensión

Yo C=3.0el número de ,V CE =V GE , T vj =25a C

5.0

6.1

7.0

V

Yo El CES

El colector Cortado -Off Actual

V CE =V El CES ,V GE =0V, T vj =25a C

5.0

el número de

Yo El GES

Fugas de los emisores de puertas Actual

V GE =V El GES ,V CE =0V, T vj =25a C

400

nA

Barra El ginto

Resistencia de la puerta interna el

1.50

ω

Cies

Capacidad de entrada

V CE =30V,f=1MHz, V GE el valor de la energía de la corriente

19.2

nF (número de trabajo)

Cres

Transferencia inversa Capacidad

0.60

nF (número de trabajo)

PG

Cargo por puerta

V GE el valor de la carga de la corriente eléctrica

1.83

el valor de la concentración

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C=150A, Barra G=6.8Ω,Ls=35nH, V GE el valor de las emisiones de CO2 vj =25a C

183

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

73.8

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

438

el Consejo

t f

Tiempo de caída

33.0

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

12.8

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

5.31

mJ

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C=150A, Barra G=6.8Ω,Ls=35nH, V GE el valor de las emisiones de CO2 vj =125a C

185

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

74

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

476

el Consejo

t f

Tiempo de caída

44.5

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

15.5

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

7.74

mJ

Yo SC

Datos de la SC

t P≤10μs, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

T vj =125a C, V CC el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. V El CEM no más de 1200 V

975

R

Diodo Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

V F

Diodo hacia adelante Tensión

Yo F =150A,V GE =0V,T vj =25a C

1.85

2.30

V

Yo F =150A,V GE =0V,T vj =125a C

1.90

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F =150A,

-di/dt=2232A/μs,Ls=35nH, V GE se aplicará el método siguiente: T vj =25a C

11.9

el valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

113

R

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

4.02

mJ

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F =150A,

-di/dt=2118A/μs,Ls=35nH, V GE se aplicará el método siguiente: T vj =125a C

22.5

el valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

139

R

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

8.58

mJ

Módulo Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

Barra el JC

Unión -a -Caso (perIGBT ) Junción-a-Caja (por D iodo)

0.101 0.257

El número de unidades

Barra el CH

En el caso de los equipos de refrigeración de aire acondicionado, el valor de la presión de refrigeración debe ser igual o superior a: El número de unidades de carga Caja-a-disipador (pe r Diodo) Caja-a-disipador (por M ódulo)

0.028 0.071 0.010

El número de unidades

M

El par de conexión de la terminal, El tornillo M5 Torque de montaje Tornillo M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Nuevo Méjico

G

Peso de Módulo

300

g

Esquema

Esquema del circuito equivalente

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