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Módulo IGBT 1200V

Módulo IGBT 1200V

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GD150HFU120C8SD, Módulo IGBT, STARPOWER

1200V 150A, envase: C8

Brand:
El sistema de energía
Spu:
GD150PIX120C6SNA
  • Introducción
  • Esquema
  • Esquema del circuito equivalente
Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT ,producido por El sistema de energía . 1200V 150A. ¿ Qué?

Características

  • Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
  • capacidad de cortocircuito de 10 μs
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Temperatura máxima de la unión 175
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Base de cobre aislada con tecnología DBC

Aplicaciones típicas

  • Inversores para motor de transmisión
  • Con un volumen de carga de más de 300 W
  • Suministro de energía ininterrumpible

En absoluto Máximo Calificaciones T F =25o C a menos que de otro modo anotado

El IGBT

El símbolo

Descripción

Valor

Unidad

V El CES

Voltagem del colector-emittente

1200

V

V El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V

I C

Corriente Colectora @ T C =25o C @ T C =85o C

238

150

A

I Cm

Corriente Colectora Pulsada t p =1 ms

300

A

P D

Disipación de potencia máxima @ T vj =150o C

1237

A

Diodo

El símbolo

Descripción

Valor

Unidad

V RRM

Volt inverso de pico repetitivo edad

1200

V

I F

Diodo continuo hacia adelante Cu renta

150

A

I - ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms

300

A

Módulo

El símbolo

Descripción

Valor

Unidad

T vjmax

Temperatura máxima de unión

150

o C

T vjop

Temperatura de funcionamiento de las uniones

-40 a +125

o C

T El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

o C

V ISO

Voltaje de aislamiento RMS, f=50Hz, t = 1 minuto

2500

V

El IGBT Características T C =25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetros

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

V CE (sat)

Recolector al emisor Voltagem de saturación

I C =150A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =25o C

2.90

3.35

V

I C =150A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =125o C

3.60

V El sector de la energía (th)

Umbral de emisor de puertas Voltaje

I C =3.0el número de ,V CE =V El sector de la energía , T vj =25o C

5.0

6.1

7.0

V

I El CES

El colector Cortado -Off Actual

V CE =V El CES ,V El sector de la energía =0V, T vj =25o C

5.0

el número de

I El GES

Fugas de los emisores de puertas Actual

V El sector de la energía =V El GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barra El ginto

Resistencia de la puerta interna el

1.50

ω

C ies

Capacidad de entrada

V CE =30V,f=1MHz, V El sector de la energía el valor de la energía de la corriente

19.2

nF (número de trabajo)

C res

Transferencia inversa Capacidad

0.60

nF (número de trabajo)

¿Qué es? G

Cargo por puerta

V El sector de la energía el valor de la carga de la corriente eléctrica

1.83

el valor de la concentración

t d (en )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C =150A, Barra G =6.8Ω,Ls=35nH, V El sector de la energía el valor de las emisiones de CO2 vj =25o C

183

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

73.8

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

438

el Consejo

t f

Tiempo de caída

33.0

el Consejo

E en

Enciende Conmutación Pérdida

12.8

mJ

E off

Cambiar el encendido Pérdida

5.31

mJ

t d (en )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C =150A, Barra G =6.8Ω,Ls=35nH, V El sector de la energía el valor de las emisiones de CO2 vj =125o C

185

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

74

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

476

el Consejo

t f

Tiempo de caída

44.5

el Consejo

E en

Enciende Conmutación Pérdida

15.5

mJ

E off

Cambiar el encendido Pérdida

7.74

mJ

I SC

Datos de la SC

t P ≤10μs, V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

T vj =125o C, V CC el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. V El CEM no más de 1200 V

975

A

Diodo Características T C =25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetros

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

V F

Diodo hacia adelante Voltaje

I F =150A,V El sector de la energía =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

I F =150A,V El sector de la energía =0V,T vj =125o C

1.90

¿Qué es? barra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F =150A,

-di/dt=2232A/μs,Ls=35nH, V El sector de la energía se aplicará el método siguiente: T vj =25o C

11.9

el valor de la concentración

I RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

113

A

E reconocimiento

Recuperación inversa Energía

4.02

mJ

¿Qué es? barra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F =150A,

-di/dt=2118A/μs,Ls=35nH, V El sector de la energía se aplicará el método siguiente: T vj =125o C

22.5

el valor de la concentración

I RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

139

A

E reconocimiento

Recuperación inversa Energía

8.58

mJ

Módulo Características T C =25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetros

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

Barra el JC

Unión -a -Caso (perIGBT ) Junción-a-Caja (por D iodo)

0.101 0.257

El número de unidades

Barra el CH

En el caso de los equipos de refrigeración de aire acondicionado, el valor de la presión de refrigeración debe ser igual o superior a: El número de unidades de carga Caja-a-disipador (pe r Diodo) Caja-a-disipador (por M ódulo)

0.028 0.071 0.010

El número de unidades

M

El par de conexión de la terminal, El tornillo M5 Torque de montaje Tornillo M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Nuevo Méjico

G

Peso de Módulo

300

g

Esquema

Esquema del circuito equivalente

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