Breve introducción
Módulos de Diodo (Tipo No Aislado) ,MDx 200,800V~1800V, producido por TECHSEM.
VIRM |
Tipo y contorno |
800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V |
MDx200-08-213F4 MDx200-10-213F4 MDx200-12-213F4 MDx200-14-213F4 MDx200-16-213F4 MDx200-18-213F4 |
Características ：
-
No aislado. Base de montaje como terminal ánodo cátodo común.
- Tecnología de contacto de presión con capacidad de ciclo de potencia aumentada
- Baja caída de voltaje directo
Aplicaciones típicas ：
- Fuente de alimentación para soldadura
- Varios suministros de corriente continua
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El símbolo
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Características
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Condiciones de ensayo
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Tj( 。C) |
Valor |
Unidad
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Mín |
Tipo |
Máx |
IF(AV) |
Corriente media directa |
180° media onda senoidal 50Hz
Enfriamiento de un solo lado, TC=100 ℃
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150
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200 |
A |
IF(RMS) |
Corriente directa RMS |
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314 |
A |
MIRR |
Corriente pico repetitiva |
en VRRM |
150 |
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20 |
el número de |
El IFSM |
Corriente de avance de sobretensión |
La velocidad de la corriente de corriente de la corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de |
150
|
|
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6.2 |
kA |
El 1 de enero |
I2t para coordinación de fusibles |
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192 |
103A2s |
VFO |
Voltaje de umbral |
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150
|
|
|
0.80 |
V |
rF |
Resistencia de pendiente directa |
|
|
0.96 |
m oh, también |
VFM |
Voltaje directo pico |
IFM=600A |
25 |
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1.50 |
V |
Rth(j-c) |
Resistencia térmica unión a carcasa |
A 180 ° seno. Enfriado por un lado por chip |
|
|
|
0.20 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Resistencia térmica de la caja al disipador |
A 180 ° seno. Enfriado por un lado por chip |
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0.10 |
℃ /W |
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- ¿ Qué?
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Par de conexión de terminal (M6) |
|
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4.5 |
|
6.0 |
N ·m |
Par de montaje (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N ·m |
TVj |
Temperatura de unión |
|
|
-40 |
|
150 |
℃ |
TSTG |
Temperatura almacenada |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
El |
Peso |
|
|
|
280 |
|
g. El |
Esquema |
213F4 |
EN
