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Módulo IGBT 1200V

Módulo IGBT 1200V

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GD100HHU120C6SD, Módulo IGBT, STARPOWER

1200V 100A, envoltorio: C6

Brand:
El sistema de energía
Spu:
GD100HHU120C6SD
  • Introducción
  • Esquema
  • Esquema del circuito equivalente
Introducción

Introducción breve

Modulo IGBT ,producido por El sistema de energía .1200V 100A. ¿ Qué?

Características

  • Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
  • capacidad de cortocircuito de 10 μs
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Temperatura máxima de la unión 175
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Base de cobre aislada con tecnología DBC

Aplicaciones típicas

  • Fuente de alimentación de modo de conmutación
  • Calentamiento por inducción
  • Saldadoras electrónicas

En absoluto Máximo Calificaciones T F =25a C a menos que de otro modo anotado

El IGBT

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

Unidad

V El CES

Voltagem del colector-emittente

1200

V

V El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V

Yo C

Corriente Colectora @ T C=25a C@ T C=75a C

146

100

R

Yo Cm

Corriente Colectora Pulsada t p =1 ms

200

R

PG

Disipación de potencia máxima @ T vj =150a C

771

R

Diodo

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

Unidad

V RRM

Volt inverso de pico repetitivo edad

1200

V

Yo F

Diodo continuo hacia adelante Cu renta

100

R

Yo - ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms

200

R

Módulo

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

Unidad

T vjmax

Temperatura máxima de unión

150

a C

T vjop

Temperatura de funcionamiento de las uniones

-40 a +125

a C

T El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

a C

V ISO

Voltaje de Aislamiento RMS,f=50Hz,t= 1min

2500

V

El IGBT Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

V CE (sat)

Recolector al emisor Voltagem de saturación

Yo C=100A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =25a C

3.00

3.45

V

Yo C=100A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =125a C

3.80

V GE (th)

Umbral de emisor de puertas Tensión

Yo C=4.0el número de ,V CE =V GE , T vj =25a C

4.5

5.5

6.5

V

Yo El CES

El colector Cortado -Off Actual

V CE =V El CES ,V GE =0V, T vj =25a C

5.0

el número de

Yo El GES

Fugas de los emisores de puertas Actual

V GE =V El GES ,V CE =0V, T vj =25a C

400

nA

Barra El ginto

Resistencia de la puerta interna el

1.0

ω

Cies

Capacidad de entrada

V CE = 25V, f=1MHz, V GE el valor de la energía de la corriente

6.50

nF (número de trabajo)

Cres

Transferencia inversa Capacidad

0.42

nF (número de trabajo)

PG

Cargo por puerta

V GE el valor de la carga de la corriente eléctrica

1.10

el valor de la concentración

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C=100A, Barra G=9.1Ω,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. Es =48nH ,T vj =25a C

38

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

50

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

330

el Consejo

t f

Tiempo de caída

27

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

8.92

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

2.06

mJ

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C=100A, Barra G=9.1Ω,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. Es =48nH ,T vj =125a C

37

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

50

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

362

el Consejo

t f

Tiempo de caída

43

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

10.7

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

3.69

mJ

Yo SC

Datos de la SC

t P≤10μs, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

T vj =125a C,V CC =900V, V El CEM no más de 1200 V

650

R

Diodo Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

V F

Diodo hacia adelante Tensión

Yo F =100A,V GE =0V,T vj =25a C

1.85

2.30

V

Yo F =100A,V GE =0V,T vj =125a C

1.90

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F =100A,

-di/dt=2245A/μs,V GE el valor de la presión de escape Es =48nH ,T vj =25a C

11.5

el valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

101

R

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

4.08

mJ

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F =100A,

-di/dt=2352A/μs,V GE el valor de la presión de escape Es =48nH ,T vj =125a C

19.0

el valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

120

R

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

7.47

mJ

NTC Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

Barra 25

Resistencia nominal

5.0

∆R/R

Desviación de Barra 100

T vj =100 a C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Potencia

Disipación

20.0

mW

B 25/50

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/501/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3375

K

B 25/80

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/801/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3411

K

B 25/100

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3433

K

Módulo Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

CCE

Inductividad de alejamiento

21

nH

Barra CC+EE

Modulo de resistencia al plomo, Terminal a el chip

2.60

Barra el JC

Unión -a -Caso (perIGBT ) Junción-a-Caja (por D iodo)

0.162 0.401

El número de unidades

Barra el CH

Caso -a -Fregadero (perIGBT )

En el caso de los dispositivos de la categoría M2 y M3, el valor de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la

Caja-a-disipador (por M ódulo)

0.051 0.125 0.009

El número de unidades

M

Torque de montaje Tornillo M6

3.0

6.0

Nuevo Méjico

G

Peso de Módulo

300

g

Esquema

Esquema del circuito equivalente

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