Breve introducción
Modulo IGBT ,producido por El sistema de energía . 1200V 100A. ¿ Qué?
Características
- Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
- capacidad de cortocircuito de 10 μs
- VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
-
Temperatura máxima de la unión 175 ℃
- Cuadro de baja inductancia
- Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
- Base de cobre aislada con tecnología DBC
Aplicaciones típicas
- Fuente de alimentación de modo de conmutación
- Calentamiento por inducción
- Saldadoras electrónicas
En absoluto Máximo Calificaciones El F =25o Do a menos que de otro modo anotado
El IGBT
El símbolo |
Descripción |
Valor |
UNIDAD |
V El CES |
Voltagem del colector-emittente |
1200 |
V |
V El GES |
Voltagem del emisor de la puerta |
±20 |
V |
I Do |
Corriente Colectora @ T Do =25o Do @ T Do =75o Do |
146
100
|
A |
I Cm |
Corriente Colectora Pulsada t p =1 ms |
200 |
A |
P D |
Disipación de potencia máxima @ T vj =150o Do |
771 |
W |
Diodo
El símbolo |
Descripción |
Valor |
UNIDAD |
V RRM |
Volt inverso de pico repetitivo edad |
1200 |
V |
I F |
Diodo continuo hacia adelante Cu renta |
100 |
A |
I - ¿ Qué? |
Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms |
200 |
A |
Módulo
El símbolo |
Descripción |
Valor |
UNIDAD |
El vjmax |
Temperatura máxima de unión |
150 |
o Do |
El vjop |
Temperatura de funcionamiento de las uniones |
-40 a +125 |
o Do |
El El GST |
Rango de Temperatura de Almacenamiento |
-40 a +125 |
o Do |
V ISO |
Voltaje de Aislamiento RMS,f=50Hz,t= 1min |
2500 |
V |
El IGBT Características El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
UNIDAD |
|
V CE (sat)
|
Recolector al emisor Voltagem de saturación |
I Do =100A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El vj =25o Do |
|
3.00 |
3.45 |
V
|
I Do =100A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El vj =125o Do |
|
3.80 |
|
V El sector de la energía (th ) |
Umbral de emisor de puertas Voltaje |
I Do =4.0el número de ,V CE =V El sector de la energía , El vj =25o Do |
4.5 |
5.5 |
6.5 |
V |
I El CES |
El colector Corte -Off Corriente |
V CE =V El CES ,V El sector de la energía =0V, El vj =25o Do |
|
|
5.0 |
el número de |
I El GES |
Fugas de los emisores de puertas Corriente |
V El sector de la energía =V El GES ,V CE =0V, El vj =25o Do |
|
|
400 |
nA |
R El ginto |
Resistencia de la puerta interna el |
|
|
1.0 |
|
ω |
Do ies |
Capacidad de entrada |
V CE = 25V, f=1MHz, V El sector de la energía el valor de la energía de la corriente |
|
6.50 |
|
nF (número de trabajo) |
Do res |
Transferencia inversa Capacidad |
|
0.42 |
|
nF (número de trabajo) |
¿Qué es? GRAMO |
Cargo por puerta |
V El sector de la energía el valor de la carga de la corriente eléctrica |
|
1.10 |
|
el valor de la concentración |
el d (on ) |
Tiempo de retraso de encendido |
V CC = 600 V,I Do =100A, R GRAMO =9.1Ω,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. Es =48nH ,El vj =25o Do
|
|
38 |
|
el Consejo |
el r |
Tiempo de ascenso |
|
50 |
|
el Consejo |
el no se puede |
Apagado Tiempo de retraso |
|
330 |
|
el Consejo |
el f |
Tiempo de caída |
|
27 |
|
el Consejo |
Mi on |
Enciende Conmutación Pérdida |
|
8.92 |
|
mJ |
Mi off |
Cambiar el encendido Pérdida |
|
2.06 |
|
mJ |
el d (on ) |
Tiempo de retraso de encendido |
V CC = 600 V,I Do =100A, R GRAMO =9.1Ω,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. Es =48nH ,El vj =125o Do
|
|
37 |
|
el Consejo |
el r |
Tiempo de ascenso |
|
50 |
|
el Consejo |
el no se puede |
Apagado Tiempo de retraso |
|
362 |
|
el Consejo |
el f |
Tiempo de caída |
|
43 |
|
el Consejo |
Mi on |
Enciende Conmutación Pérdida |
|
10.7 |
|
mJ |
Mi off |
Cambiar el encendido Pérdida |
|
3.69 |
|
mJ |
I SC |
Datos de la SC |
el P ≤10μs, V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.
El vj =125o Do ,V CC =900V, V El CEM no más de 1200 V
|
|
650 |
|
A |
Diodo Características El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
UNIDAD |
V F |
Diodo hacia adelante Voltaje |
I F =100A,V El sector de la energía =0V,T vj =25o Do |
|
1.85 |
2.30 |
V |
I F =100A,V El sector de la energía =0V,T vj =125o Do |
|
1.90 |
|
¿Qué es? r |
Cargo recuperado |
V R = 600 V,I F =100A,
-di/dt=2245A/μs,V El sector de la energía el valor de la presión de escape Es =48nH ,El vj =25o Do
|
|
11.5 |
|
el valor de la concentración |
I RM |
Pico invertido
Corriente de recuperación
|
|
101 |
|
A |
Mi reconocimiento |
Recuperación inversa Energía |
|
4.08 |
|
mJ |
¿Qué es? r |
Cargo recuperado |
V R = 600 V,I F =100A,
-di/dt=2352A/μs,V El sector de la energía el valor de la presión de escape Es =48nH ,El vj =125o Do
|
|
19.0 |
|
el valor de la concentración |
I RM |
Pico invertido
Corriente de recuperación
|
|
120 |
|
A |
Mi reconocimiento |
Recuperación inversa Energía |
|
7.47 |
|
mJ |
NTC Características El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
UNIDAD |
R 25 |
Resistencia nominal |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Desviación de R 100 |
El vj =100 o C,R 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Fuerza
Disipación
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
Valor B |
R 2=R 25exp [B 25/501/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo? |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
Valor B |
R 2=R 25exp [B 25/801/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo? |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
Valor B |
R 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo? |
|
3433 |
|
K |
Módulo Características El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
UNIDAD |
L CE |
Inductividad de alejamiento |
|
21 |
|
nH |
R CC+EE |
Modulo de resistencia al plomo, Terminal a el chip |
|
2.60 |
|
mΩ |
R el JC |
Unión -a -Caso (perIGBT ) Junción-a-Caja (por D iodo) |
|
|
0.162 0.401 |
El número de unidades |
|
R el CH
|
Caso -a -Fregadero (perIGBT )
En el caso de los dispositivos de la categoría M2 y M3, el valor de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la carga de la
Caja-a-disipador (por M ódulo)
|
|
0.051 0.125 0.009 |
|
El número de unidades |
METRO |
Torque de montaje Tornillo M6 |
3.0 |
|
6.0 |
Nuevo Méjico |
GRAMO |
Peso de Módulo |
|
300 |
|
gRAMO |
EN
