Módulo IGBT 1200V

GD1000HFA120C6S_B39,Módulo IGBT,STARPOWER

GD1000HFA120C6S_B39,Módulo IGBT,STARPOWER

1200V 1000A

Brand:

El sistema de energía

Spu:

GD1000HFA120C6S_B39

Introducción
Esquema

Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1200V 1000A.

Características

Baja VCE(sat) IGBT Trench T tecnología
Capacidad de cortocircuito
VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
Máximo temperatura de unión 175o Do
Cuadro de baja inductancia
Recuperación inversa rápida y suave fWD antiparalelo
Base de pin de cobre aislado utilizando tecnología AMB

Típico Aplicaciones

Vehículo Híbrido y Eléctrico
Inversores para motor de transmisión
Suministro de energía ininterrumpible

En absoluto Máximo Calificaciones El F=25oC a menos que se indique lo contrario

El IGBT

El símbolo	Descripción	Valores	UNIDAD
V El CES	Voltagem del colector-emittente	1200	V
V El GES	Voltagem del emisor de la puerta	±20	V
I CN	El colector Cu implementado renta	1000	A
I Do	Corriente Colectora @ T F =75o Do	765	A
I CRM	Repetitivo Pico El colector Corriente tp limitado por el El vjop	2000	A
P D	Disposición máxima de energía ation @ El F =75o Do ,El j =175o Do	1515	W

Diodo

El símbolo	Descripción	Valores	UNIDAD
V RRM	Volt inverso de pico repetitivo edad	1200	V
I FN	El colector Cu implementado renta	1000	A
I F	Diodo continuo hacia adelante Cu renta	765	A
I El MFR	Repetitivo Pico Adelante Corriente tp limitado por el El vjop	2000	A
I FSM	Corriente de impulso t p =10ms @ T vj =25o Do @ T vj =150o Do	4100 3000	A
I 2el	I 2t- valor ,el p =10ms @ El vj =25o C @ T vj =150o Do	84000 45000	A 2s

Módulo

El símbolo	Descripción	Valor	UNIDAD
El jmax	Temperatura máxima de unión	175	o Do
El vjop	Temperatura de funcionamiento de las uniones	-40 a +150	o Do
El El GST	Rango de Temperatura de Almacenamiento	-40 a +125	o Do
V ISO	Voltaje de aislamiento RMS, f=50Hz, t = 1 minuto	4000	V

El IGBT Características El F =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	UNIDAD
V CE (sat)	Recolector al emisor Voltagem de saturación	I Do =1000A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El vj =25o Do		1.45	1.90	V
		I Do =1000A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El vj =125o Do		1.65
		I Do =1000A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El vj =175o Do		1.80
V El sector de la energía (th )	Umbral de emisor de puertas Voltaje	I Do =24.0el número de ,V CE =V El sector de la energía , El vj =25o Do	5.5	6.3	7.0	V
I El CES	El colector Corte -Off Corriente	V CE =V El CES ,V El sector de la energía =0V, El vj =25o Do			1.0	el número de
I El GES	Fugas de los emisores de puertas Corriente	V El sector de la energía =V El GES ,V CE =0V, El vj =25o Do			400	nA
R El ginto	Resistencia de la puerta interna el			0.5		ω
Do ies	Capacidad de entrada	V CE = 25V, f = 100 kHz, V El sector de la energía el valor de la energía de la corriente		51.5		nF (número de trabajo)
Do res	Transferencia inversa Capacidad			0.36		nF (número de trabajo)
¿Qué es? GRAMO	Cargo por puerta	V El sector de la energía el valor de la carga de la corriente eléctrica		13.6		el valor de la concentración
el d (on )	Tiempo de retraso de encendido	V CC = 600 V,I Do = 900A, R GRAMO =0.51Ω, L S =40nH, V El sector de la energía el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a: El vj =25o Do		330		el Consejo
el r	Tiempo de ascenso			140		el Consejo
el no se puede	Apagado Tiempo de retraso			842		el Consejo
el f	Tiempo de caída			84		el Consejo
Mi on	Enciende Conmutación Pérdida			144		mJ
Mi off	Cambiar el encendido Pérdida			87.8		mJ
el d (on )	Tiempo de retraso de encendido	V CC = 600 V,I Do = 900A, R GRAMO =0.51Ω, L S =40nH, V El sector de la energía el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a: El vj =125o Do		373		el Consejo
el r	Tiempo de ascenso			155		el Consejo
el no se puede	Apagado Tiempo de retraso			915		el Consejo
el f	Tiempo de caída			135		el Consejo
Mi on	Enciende Conmutación Pérdida			186		mJ
Mi off	Cambiar el encendido Pérdida			104		mJ
el d (on )	Tiempo de retraso de encendido	V CC = 600 V,I Do = 900A, R GRAMO =0.51Ω, L S =40nH, V El sector de la energía el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a: El vj =175o Do		390		el Consejo
el r	Tiempo de ascenso			172		el Consejo
el no se puede	Apagado Tiempo de retraso			950		el Consejo
el f	Tiempo de caída			162		el Consejo
Mi on	Enciende Conmutación Pérdida			209		mJ
Mi off	Cambiar el encendido Pérdida			114		mJ
I SC	Datos de la SC	el P ≤8μs,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El vj =150o C, V CC el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. V El CEM ≤1200V		3200		A
I SC	Datos de la SC	el P ≤6μs,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El vj =175o C, V CC el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. V El CEM ≤1200V		3000		A

Diodo Características El F =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidades
V F	Diodo hacia adelante Voltaje	I F =1000A,V El sector de la energía =0V,T vj =25o Do		1.60	2.05	V
		I F =1000A,V El sector de la energía =0V,T vj =125o Do		1.70
		I F =1000A,V El sector de la energía =0V,T vj =175o Do		1.60
¿Qué es? r	Cargo recuperado	V R = 600 V,I F = 900A, -di/dt=4930A/μs,V El sector de la energía =-8V, L S =40nH ,El vj =25o Do		91.0		el valor de la concentración
I RM	Pico invertido Corriente de recuperación			441		A
Mi reconocimiento	Recuperación inversa Energía			26.3		mJ
¿Qué es? r	Cargo recuperado	V R = 600 V,I F = 900A, -di/dt=4440A/μs,V El sector de la energía =-8V, L S =40nH , El vj =125o Do		141		el valor de la concentración
I RM	Pico invertido Corriente de recuperación			493		A
Mi reconocimiento	Recuperación inversa Energía			42.5		mJ
¿Qué es? r	Cargo recuperado	V R = 600 V,I F = 900A, -di/dt=4160A/μs,V El sector de la energía =-8V, L S =40nH , El vj =175o Do		174		el valor de la concentración
I RM	Pico invertido Corriente de recuperación			536		A
Mi reconocimiento	Recuperación inversa Energía			52.4		mJ

NTC Características El F =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	UNIDAD
R 25	Resistencia nominal			5.0		kΩ
∆R/R	Desviación de R 100	El Do =100 o Do ,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Fuerza Disipación				20.0	mW
B 25/50	Valor B	R 2=R 25exp [B 25/501/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?		3375		K
B 25/80	Valor B	R 2=R 25exp [B 25/801/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?		3411		K
B 25/100	Valor B	R 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?		3433		K

Módulo Características El F =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo	Parámetro	Mín.	Es el tipo.	Máx.	UNIDAD
L CE	Inductividad de alejamiento		20		nH
R CC ’+EE ’	Resistencia de plomo del módulo, terminal al chip		0.80		mΩ
R el JF	Unión -a -Refrigeración El fluido (perIGBT )Unión a fluido de refrigeración (por D yodo) △V/ △t=10,0 dM 3/mínimo ,El F =75o Do			0.066 0.092	El número de unidades
METRO	El par de conexión de la terminal, Tornillo M6 Torque de montaje El tornillo M5	3.0 3.0		6.0 6.0	Nuevo Méjico
GRAMO	Peso de Módulo		400		gRAMO
P	Presión máxima en circuito de refrigeración			3	bar
∆p	Caída de presión Refrigeración Cir el cuco ∆V/∆t=10.0dm 3/min;T F =25o C;Refrigerante =50% Agua/50% Etilenglicol		47		el mbar

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Igbt Discreto

Conversor ADC de alta precisión

Dac De Alto Rendimiento

Amplificadores de instrumentación

Regulador LDO de Alta Precisión

Referencias De Voltaje

Módulo Diodo

Diodo Rectificador Tipo Cápsula

MOSFET

Módulo de Tiroistores/diodos

Rele Foto MOS

Relé Electromagnético

Relé de retardo temporal

Controlador Integrado

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