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Módulo IGBT 1200V

Módulo IGBT 1200V

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GD1000HFA120C6S_B39,Módulo IGBT,STARPOWER

1200V 1000A

Brand:
El sistema de energía
Spu:
GD1000HFA120C6S_B39
  • Introducción
  • Esquema
Introducción

Introducción breve

Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1200V 1000A.

Características

  • Baja VCE(sat) IGBT Trench T tecnología
  • Capacidad de cortocircuito
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Máximo temperatura de unión 175o C
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave fWD antiparalelo
  • Base de pin de cobre aislado utilizando tecnología AMB

Típico Aplicaciones

  • Vehículo Híbrido y Eléctrico
  • Inversores para motor de transmisión
  • Suministro de energía ininterrumpible

En absoluto Máximo Calificaciones T F=25oC a menos que se indique lo contrario

El IGBT

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valores

UNIDAD

V El CES

Voltagem del colector-emittente

1200

V

V El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V

ICN

El colector Cu implementado renta

1000

A

IC

Corriente Colectora @ T F =75o C

765

A

ICRM

Repetitivo Pico El colector Actual tp limitada por T vjop

2000

A

PD

Disposición máxima de energía ation @ T F =75o C,T j =175o C

1515

A

Diodo

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valores

UNIDAD

V RRM

Volt inverso de pico repetitivo edad

1200

V

IFN

El colector Cu implementado renta

1000

A

IF

Diodo continuo hacia adelante Cu renta

765

A

IEl MFR

Repetitivo Pico Adelante Actual tp limitada por T vjop

2000

A

IFSM

Corriente de impulso t p =10ms @ T vj =25o C@ T vj =150o C

4100

3000

A

I2t

I2t- valor ,t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

84000

45000

A2s

MÓDULO

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

UNIDAD

T jmax

Temperatura máxima de unión

175

o C

T vjop

Temperatura de funcionamiento de las uniones

-40 a +150

o C

T El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

o C

V ISO

Voltaje de aislamiento RMS, f=50Hz, t = 1 minuto

4000

V

El IGBT Características T F =25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

V CE (sat)

Recolector al emisor Voltagem de saturación

IC=1000A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =25o C

1.45

1.90

V

IC=1000A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =125o C

1.65

IC=1000A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =175o C

1.80

V GE (th)

Umbral de emisor de puertas Tensión

IC=24.0el número de ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

V

IEl CES

El colector Cortado -Off Actual

V CE =V El CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

el número de

IEl GES

Fugas de los emisores de puertas Actual

V GE =V El GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barra El ginto

Resistencia de la puerta interna el

0.5

ω

Cies

Capacidad de entrada

V CE = 25V, f = 100 kHz, V GE el valor de la energía de la corriente

51.5

nF (número de trabajo)

Cres

Transferencia inversa Capacidad

0.36

nF (número de trabajo)

QG

Cargo por puerta

V GE el valor de la carga de la corriente eléctrica

13.6

el valor de la concentración

t d (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C= 900A,

Barra G=0.51Ω, L S =40nH, V GE el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a:

T vj =25o C

330

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

140

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

842

el Consejo

t f

Tiempo de caída

84

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

144

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

87.8

mJ

t d (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C= 900A,

Barra G=0.51Ω, L S =40nH, V GE el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a:

T vj =125o C

373

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

155

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

915

el Consejo

t f

Tiempo de caída

135

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

186

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

104

mJ

t d (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C= 900A,

Barra G=0.51Ω, L S =40nH, V GE el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a:

T vj =175o C

390

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

172

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

950

el Consejo

t f

Tiempo de caída

162

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

209

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

114

mJ

ISC

Datos de la SC

t P≤8μs,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

T vj =150o C, V CC el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

V El CEM ≤1200V

3200

A

t P≤6μs,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

T vj =175o C, V CC el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

V El CEM ≤1200V

3000

A

Diodo Características T F =25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

V F

Diodo hacia adelante Tensión

IF =1000A,V GE =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

IF =1000A,V GE =0V,T vj =125o C

1.70

IF =1000A,V GE =0V,T vj =175o C

1.60

Qbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F = 900A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T vj =25o C

91.0

el valor de la concentración

IRM

Pico invertido

Corriente de recuperación

441

A

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

26.3

mJ

Qbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F = 900A,

-di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,

T vj =125o C

141

el valor de la concentración

IRM

Pico invertido

Corriente de recuperación

493

A

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

42.5

mJ

Qbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F = 900A,

-di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,

T vj =175o C

174

el valor de la concentración

IRM

Pico invertido

Corriente de recuperación

536

A

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

52.4

mJ

NTC Características T F =25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

Barra 25

Resistencia nominal

5.0

kΩ

∆R/R

Desviación de Barra 100

T C=100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Potencia

Disipación

20.0

mW

B 25/50

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/501/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3375

K

B 25/80

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/801/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3411

K

B 25/100

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3433

K

MÓDULO Características T F =25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

LCE

Inductividad de alejamiento

20

nH

Barra CC ’+EE ’

Resistencia de plomo del módulo, terminal al chip

0.80

mΩ

Barra el JF

Unión -a -Enfriamiento El fluido (perIGBT )Unión a fluido de refrigeración (por D yodo) △V/ △t=10,0 dM 3/mIN ,T F =75o C

0.066 0.092

El número de unidades

M

El par de conexión de la terminal, Tornillo M6 Torque de montaje El tornillo M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Nuevo Méjico

G

Peso de MÓDULO

400

g

P

Presión máxima en circuito de refrigeración

3

barra

∆p

Caída de presión Refrigeración Cir el cuco

∆V/∆t=10.0dm 3/min;T F =25o C;Refrigerante =50% Agua/50% Etilenglicol

47

el mbar

Esquema

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