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El MOSFET de unión súper (Transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico) introduce un control del campo eléctrico lateral sobre la base del VDMOS tradicional, logrando así que la distribución del campo eléctrico vertical se aproxime a un rectángulo ideal. Esta estructura incrementa la tensión de bloqueo del dispositivo aproximadamente un 20 %, manteniendo al mismo tiempo la misma resistencia epitaxial. Para productos con las mismas especificaciones de tensión de bloqueo, la resistencia en conducción por unidad de superficie de la tecnología de unión súper puede reducirse a menos de 1/8 de la correspondiente a la estructura tradicional, logrando así una optimización sinérgica de las características en estado de conducción y en estado de bloqueo.
Nuestra serie de MOSFET de unión superpuesta se fabrica mediante tecnología de zanja profunda y múltiples procesos epitaxiales, destacando por su baja resistencia en estado de conducción y su carga de compuerta. Reduce significativamente las pérdidas en estado de conducción y en estado de bloqueo, lo que la hace especialmente adecuada para sistemas de conversión electrónica de potencia de alta densidad de potencia y alta eficiencia.
Descripción general de la aplicación del MOSFET de unión superpuesta en el cargador a bordo (OBC)
Descripción general de la aplicación del MOSFET de unión superpuesta en el cargador a bordo (OBC)
Los lugares ideales para cargar vehículos eléctricos y vehículos híbridos no se limitan únicamente a las estaciones de carga. Se espera que cualquier destino que proporcione electricidad pueda utilizarse con este fin. Un cargador a bordo (OBC) es un dispositivo que convierte la corriente alterna en la corriente continua necesaria para cargar el vehículo. Permite cargar el vehículo en inicio o en el lugar de trabajo. Su capacidad determina la potencia y la eficiencia de carga, y afecta directamente la experiencia del usuario.
