módulo igbt dual
El módulo dual IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) representa un avance significativo en electrónica de potencia, combinando dos dispositivos IGBT en un solo paquete para un rendimiento y eficiencia mejorados. Este componente sofisticado sirve como pilar fundamental en sistemas modernos de conversión y control de potencia. El módulo integra dos IGBT con diodos de libre circulación en antiparalelo, lo que permite un conmutado eficiente y control de corriente en ambas direcciones. Funcionando a altas frecuencias mientras mantiene bajas pérdidas de conmutación, estos módulos suelen manejar tensiones de 600V a 6500V y corrientes de 50A a 3600A. La configuración dual permite diversas topologías de circuito, incluyendo configuraciones de medio puente, esenciales para aplicaciones de inversores. Características avanzadas de gestión térmica, incluyendo unión directa de cobre y técnicas avanzadas de encapsulado, garantizan una disipación óptima del calor y fiabilidad. El diseño del módulo incorpora circuitos de control de puerta mejorados, proporcionando un control preciso de la conmutación y protección contra condiciones de sobrecorriente y cortocircuito. Esta tecnología encuentra amplia aplicación en accionamientos de motores industriales, sistemas de energía renovable, fuentes de alimentación ininterrumpida y trenes motrices de vehículos eléctricos, donde la alta eficiencia y fiabilidad son fundamentales.