modulo IGBT
El módulo IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) representa un avance revolucionario en electrónica de potencia, combinando las mejores características de las tecnologías MOSFET y transistores bipolares. Este sofisticado dispositivo semiconductor sirve como un componente crucial en aplicaciones modernas de control de potencia, ofreciendo excepcionales capacidades de conmutación y una gestión eficiente de la energía. El módulo consta de múltiples chips IGBT dispuestos en diversas configuraciones, complementados por diodos en antiparalelo y un empaquetado especializado diseñado para una gestión térmica óptima. Funcionando a frecuencias que van desde 1 kHz hasta 100 kHz, los módulos IGBT pueden manejar voltajes desde 600V hasta 6500V y corrientes de hasta varios miles de amperios. Estos módulos destacan en aplicaciones que requieren altas capacidades de manejo de voltaje y corriente, haciéndolos indispensables en accionamientos de motores industriales, sistemas de energía renovable y trenes motrices de vehículos eléctricos. La integración de circuitos avanzados de control de puerta garantiza un control preciso de la conmutación, mientras que las características de protección integradas protegen contra sobrecorriente, cortocircuito y condiciones de sobrecalentamiento. Los módulos IGBT modernos también incorporan soluciones avanzadas de gestión térmica, incluyendo sustratos de cobre directamente unidos (DCB) y sistemas avanzados de refrigeración, permitiendo una operación confiable bajo condiciones exigentes.