Breve introducción
Módulos IGBT de alta tensión y un solo interruptor producidos por CRRC. 3300V 1000A.
Clave Parámetros
V El CES |
3300 V |
V CE (sat ) |
(Tipo) 2.40 V |
Yo C |
(máx) 1000 A |
Yo C( RM ) |
(máx) 2000 A |
Aplicaciones típicas
- Las unidades de tracción
- Controladores de motor
-
Inteligente Cuadrícula
-
Alto Fiabilidad El invertidor
Aplicaciones típicas
- Las unidades de tracción
- Motor
- Controladores de motor
- Red Inteligente
- Invertidor de alta fiabilidad
Clasificación Máxima Absoluta
(Simbolo) |
(Parámetro) |
(Condiciones de ensayo) |
(valor) |
(Unidad) |
VCES |
Voltagem del colector-emittente |
VGE = 0V, TC = 25 °C |
3300 |
V |
VGES |
Voltagem del emisor de la puerta |
TC= 25 °C |
± 20 |
V |
El |
Corriente colector-emitente |
TC = 95 °C |
1000 |
A |
IC ((PK) |
Corriente máxima del colector |
t P= 1ms |
2000 |
A |
P máximo |
Disposición máxima de energía del transistor |
La temperatura de los gases de efecto invernadero se calculará en función de la temperatura de los gases de efecto invernadero. |
10.4 |
kw |
El 2t |
Diodo I2t |
VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C |
320 |
kA2s |
El visol |
Voltado de aislamiento por módulo |
Terminales comunes a la placa base),
AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25 °C
|
6000 |
V |
Q PD |
Descarga parcial por módulo |
IEC1287. V 1 = 3500V, V 2 = 2600V, 50Hz RMS, TC= 25 °C |
10 |
pC |
Características eléctricas
(Simbolo) |
(Parámetro) |
(Condiciones de ensayo) |
(Mín) |
(Tipo) |
(máx) |
(Unidad) |
|
I CES
|
Corriente de corte del colector
|
VGE = 0V,VCE = VCES |
|
|
1 |
el número de |
VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 125 ° C |
|
|
60 |
el número de |
VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 150 ° C |
|
|
100 |
el número de |
I GES |
Corriente de fuga de la puerta
|
VGE = ±20V, VCE = 0V |
|
|
1 |
mA |
VGE (TH) |
Voltagem de umbral de la puerta |
I C= 80mA, VGE= VCE |
5.50 |
6.10 |
7.00 |
V |
|
VCE
|
(*1) (sat)
|
Saturación del colector-emittente
voltaje
|
VGE= 15V, I C= 1000A |
|
2.40 |
2.90 |
V |
VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 125 ° C |
|
2.95 |
3.40 |
V |
VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 150 ° C |
|
3.10 |
3.60 |
V |
I F |
Corriente de diodo hacia adelante |
CC |
|
1000 |
|
A |
I FRM |
Corriente máxima directa del diodo
|
t P = 1ms |
|
2000 |
|
A |
|
VF(*1)
|
Voltado del diodo hacia adelante
|
I F= 1000A |
|
2.10 |
2.60 |
V |
I F= 1000A, Tvj= 125 ° C |
|
2.25 |
2.70 |
V |
I F= 1000A, Tvj= 150 ° C |
|
2.25 |
2.70 |
V |
C ies |
Capacidad de entrada
|
VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz |
|
170 |
|
nF (número de trabajo) |
Q g |
Cargo por puerta |
± 15 V |
|
17 |
|
el valor de la concentración |
C res |
Capacidad de transferencia inversa |
VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz |
|
4 |
|
nF (número de trabajo) |
L M |
Inductancia del módulo
|
|
|
15 |
|
nH |
R INT |
Resistencia interna del transistor |
|
|
165 |
|
el valor de la carga |
|
I SC
|
Corriente de cortocircuito, ISC |
Tvj = 150° C, VCC = 2500V, VGE≤15V, tp≤10μs,
VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9
|
|
3900
|
|
A
|
el número de teléfono |
Tiempo de retraso de apagado |
I C =1000A
VCE = 1800V
C GE = 220nF
L ~ 150nH
VGE = ±15V
RG(ON) = 1.5Ω
RG(OFF)= 2.2Ω
|
|
1800 |
|
el Consejo |
el |
Tiempo de caída |
|
530 |
|
el Consejo |
E OFF |
Pérdida de energía de apagado |
|
1600 |
|
mJ |
en el momento en que se inicia |
Tiempo de retraso de encendido |
|
680 |
|
el Consejo |
t r |
Tiempo de ascenso |
|
320 |
|
el Consejo |
El EON |
Pérdida de energía por encendido |
|
1240 |
|
mJ |
Q rr |
Carga de recuperación inversa del diodo |
I F =1000A
VCE = 1800V
diF/dt =3300A/us
|
|
780 |
|
el valor de la concentración |
El |
Corriente de recuperación inversa del diodo |
|
810 |
|
A |
E rec |
Energía de recuperación inversa del diodo |
|
980 |
|
mJ |
el número de teléfono |
Tiempo de retraso de apagado |
I C =1000A
VCE = 1800V
C GE = 220nF
L ~ 150nH
VGE = ±15V
RG(ON) = 1.5Ω
RG(OFF)= 2.2Ω
|
|
1940 |
|
el Consejo |
el |
Tiempo de caída |
|
580 |
|
el Consejo |
E OFF |
Pérdida de energía de apagado |
|
1950 |
|
mJ |
en el momento en que se inicia |
Tiempo de retraso de encendido |
|
660 |
|
el Consejo |
t r |
Tiempo de ascenso |
|
340 |
|
el Consejo |
El EON |
Pérdida de energía por encendido |
|
1600 |
|
mJ |
Q rr |
Carga de recuperación inversa del diodo |
I F =1000A
VCE = 1800V
diF/dt =3300A/us
|
|
1200 |
|
el valor de la concentración |
El |
Corriente de recuperación inversa del diodo |
|
930 |
|
A |
EN
