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IGBT-Modul 4500V

IGBT-Modul 4500V

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Presspaket 4500V 2000A IGBT-Modul mit FWD, StakPak-Gehäuse, Positiver Temperaturkoeffizient Hohe Kurzschlussfestigkeit Hohe Zuverlässigkeit für HVDC-Flexiblesystem Gleichstrom-Leistungsschalter Offshore-Windenergie Großindustrieller Antrieb

4500V 2000A

Brand:
YT
Spu:
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die folgenden Fahrzeuge:
  • Einführung
Einführung

Kurze Einführung:

Maßgeschneiderte Produktion von YT, StakPak-Gehäuse, IGBT-Modul mit FWD.

Merkmale

  • 4500V Planar Gate & Field Stop Struktur
  • Hoch Robustheit
  • Hoch Zuverlässigkeit
  • Positive Temperatur Koeffizient
  • Hoher Kurzschluss Fähigkeit

Anwendungen

  • HVDC flexibles System
  • Offshore-Wind energieerzeugung
  • Großmaßstäblich Industrie Antrieb

Maximum Nennwert Werte

Parameter

Symbol

Bedingungen

Wert

Einheit

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

V CES

V GE =0V, T vj =25 ° C

4500

V

DC-Kollektor Cu rrent

I C

T C =100 ° C,T vj =125 ° C

2000

A

Spitzenstrom des Kollektors

I CM

t p =1ms

4000

A

Tor -Emitter Spannung

V GES

± 20

V

Gesamt Leistung Abgabe

P tot

T C =25 ° C,T vj =125 ° C

20800

W

DC Vorwärts Cu rrent

I K

2000

A

Höhepunkt Vorwärts Cur rent

I FRM

t p =1ms

4000

A

Stromstoß

I FSM

V R =0V,T vj =125 ° C,

t p =10ms,Halbwelle

14000

A

IGBT Kurzschluss SOA

t psc

V CC =3400V, V CEM Chip ≤4500V V GE ≤15V,T vj ≤125 ° C

10

μs

Maximale Junction Temperatur

T vj (max )

125

Junction Betriebstemperatur

T vj (op )

-40~125

Gehäusetemperatur

T C

-40~125

Lagertemperatur

T stg

-40~70

Montagekraft

K M

60~75

kN

IGBT Charakteristische Werte

Parameter

Symbol

Bedingungen

Wert

Einheit

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Kollektor-Emitter Durchbruchspannung

V(BR)CES

VGE=0V, IC=10mA, Tvj=25℃

4500

V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

VCE (Sat)

IC=2000A, VGE=15V

Tvj=25℃

2.70

3.05

V

Tvj=125℃

3.35

3.85

V

Kollektor-Emitter Abschaltstrom

ICES

VCE=4500V, VGE=0V

Tvj=25℃

1

mA

Tvj=125℃

15

100

mA

Gate-Emitter Leckstrom

IGES

VCE=0V, VGE=±20V, Tvj=125℃

-500

500

nA

Gate-Emitter Schwellenwertspannung

VGE(th)

IC=320mA, VCE=VGE, Tvj=25℃

6.7

7.7

V

Gate-Ladung

QG

IC=2000A, VCE=2800V, VGE=-15V~+15V

10

μC

Eingangskapazität

Cies

VCE=25V, VGE=0V, f=500kHz, Tvj=25℃

213

nF

Ausgangskapazität

Coes

15.3

nF

Rückwärtsübertragungs-Kapazität

Cres

4.7

nF

Interner Gate-Widerstand

RGint

0

ω

Verzögerungszeit der Einleitung

die Daten sind nicht verfügbar.

IC=2000A,

VCE=2800V,

VGE=±15V,

RGon=1.8Ω,

RGoff=8.2Ω,

Cge=330nF,

LS=140nH,

Induktionslast

Tvj=25℃

1100

nS

Tvj=125℃

900

nS

Aufstiegszeit

tr

Tvj=25℃

400

nS

Tvj=125℃

450

nS

Verzögerungszeit für die Abschaltung

td (ausgeschaltet)

Tvj=25℃

3800

nS

Tvj=125℃

4100

nS

Herbstzeit

tF

Tvj=25℃

1200

nS

Tvj=125℃

1400

nS

Einschalt-Schaltenergie

EON

Tvj=25℃

14240

mJ

Tvj=125℃

15730

mJ

Ausschalt-Schaltenergie

EOFF

Tvj=25℃

6960

mJ

Tvj=125℃

8180

mJ

Kurzschlussstrom

ISC

VGE≤15V, tpsc≤10µs, VCC=3400V, Tvj=125℃

VCEM CHIP≤4500V

8400

A

Diodencharakteristikwerte

Parameter

Symbol

Bedingungen

Wert

Einheit

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Durchlassspannung

VF

IF=2000A

Tvj=25℃

2.60

V

Tvj=125℃

2.85

V

Rückwärts-Rückgewinnungsstrom

Einfach

Die Prüfungen werden in der Regel in einem Zustand durchgeführt, in dem die Prüfungen nicht durch eine andere Prüfung durchgeführt werden.

Induktionslast

Tvj=25℃

1620

A

Tvj=125℃

1970

A

Rückwärts-Rückgewinnungsladung

Qrr

Tvj=25℃

1750

uC

Tvj=125℃

2700

uC

Rückwärts-Rückgewinnungszeit

trr

Tvj=25℃

4.0

uSA

Tvj=125℃

5.1

uSA

Rückwärts-Rückgewinnungsverlust

Erek

Tvj=25℃

2350

mJ

Tvj=125℃

3860

mJ

Schaltungsanordnung

Gliederung

Gut ausgestattetes Labor

Wir verfügen über ein gut ausgestattetes Labor zur Prüfung und kontrollieren streng die Qualität unserer produkte . Dies gewährleistet, dass die Qualifikationsrate der von uns gelieferten Produkte 100 % erreicht.

Automatisierte moderne Fabrik

Die moderne automatisierte Fabrik stellt sicher, dass alle Leistungsindikatoren unserer Produkte hochgradig konsistent sind und die Unterschiede zwischen den Parametern jedes Produkts so gering wie möglich gehalten werden. Dies garantiert nicht nur die Zuverlässigkeit und Einheitlichkeit unserer Produkte, sondern ist auch eine wichtige Voraussetzung für den sicheren und zuverlässigen Betrieb der Anlagen unserer Kunden.

生产车间1-缩小(19c75bab06).png

生产车间2-缩小(e4332fadff).png 生产车间3-缩小(22c1f2fe52).png生产车间4-缩小.png

Ausreichende Produktionskapazität

Die starke Gesamtstärke des Herstellers und ausreichende Produktionskapazitäten gewährleisten die termingerechte Lieferung jeder Bestellung.

warehouse1.jpg

Anwendungsfall:

Antriebsstrang-Upgrade für Atomeisbrecher (60-MW-System) .

Kundensorgenpunkte:

  1. Kaltstartversagen
  2. Vibrationschäden
  3. Platzbeschränkungen

YT2000ASW45CZ Lösungen der Marineklasse

Problemstelle Technologische Innovation Zertifizierungsnachweis
Kältebedingte Ausfälle Silber-Sinter-Die-Attach (-55 °C Betrieb) Material: Vermeidet organische Klebstoffe
Eisprallfestigkeit Titanlegierung-Press-Pack + mehrstufige Dämpfungselemente (15g Vibrationstoleranz) Bestanden nach IEC 60068-3-8: 8g/80Hz
Korrosionsbeständig Vergoldete Anschlussklemmen + hermetische Abdichtung (IP6K9K) MIL-STD-810H Salzsprühnebel-Test
Raumnutzung Beidseitige Kühlung → 40 % geringerer Platzbedarf im Vergleich zu Standardmodulen Lloyd's Register Type Approval



Betriebliche Ergebnisse:

  • Keine Kaltstartausfälle bei -45 °C (4 arktische Winter)
  • Vibrationsbedingte Störungen um 92 % reduziert
  • Wartungszeit um 50 % verkürzt mit Einschubpatronen-Design
  • Energie-Rückgewinnung spart 8.700 L Kraftstoff/Jahr pro Schiff

Warum Schiffbauer diesem Lösungsansatz vertrauen

Unabhängige Drittzertifizierung

    • DNV-Bericht : „Bestand 500 Eisimpaktzyklen bei -50 °C“ (Nr. DNL-2024-ICE-17)
    • Erfolgreiches Angebot für russisches Großschiff (Eisbrecher der Arctic-Klasse)
    • ABB Marine Test : "Kühlleistung des Azipod® um 35 % reduziert" (Projekt Arctic-DRIVE)

Warum uns wählen?

Beijing World E To Technology Co., Ltd. ist ein führender Anbieter von Halbleiterprodukten wie IGBT-Modul, IGBT-Discretes, IGBT-Chips, ADC/DAC, Thyristor in China und hauptsächlich in der offiziellen Distribution der Marken CRRC, Starpower, Techsem NARI tätig. Mit Import- und Exportqualifikation sowie 11 Jahren Erfahrung in dieser Branche exportieren wir nach Russland, in die Vereinigten Arabischen Emirate und viele andere europäische Länder.
Wir haben strenge Anforderungen an die Auswahl der Hersteller, über professionelle Technik-Teams und Produkt-Qualitätskontrolle verfügen wir, um den reibungslosen Projektablauf für Kunden in den Bereichen Schienenverkehr, Energiewirtschaft, Elektrofahrzeuge, Motorsteuerumrichter und Frequenzumrichter sicherzustellen.
Zudem ist die Unterstützung unserer Kunden bei der Anpassung verschiedener Thyristoren und Leistungsbaugruppen entsprechend ihren speziellen Parametervorgaben ein weiterer wichtiger Bestandteil unserer Vertragsfertigung und einer unserer Vorteile.

办公场景.png

Sichere Lieferung

Wir arbeiten mit führenden internationalen Speditionsunternehmen zusammen, um eine pünktliche Beförderung zu gewährleisten.
Gleichzeitig verpacken wir jede Lieferung sorgfältig gemäß den Anforderungen unserer Kunden, um sicherzustellen, dass die Waren unversehrt und ohne Schäden bei ihnen ankommen.

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