GD900SGU120C3SN,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C

@ T C =80 o C

1350

900

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

1800

A

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =150 o C

7.40

kW

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

V

I K

Diode kontinuierlich vorwärts rent

900

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

1800

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

150

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +125

o C

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =800A,V GE =15V, T j =25 o C

2.90

3.35

V

I C =800A,V GE =15V, T j =125 o C

3.60

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 16,0 mA, V CE =V GE , T j =25 o C

5.0

6.1

7.0

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus

Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

53.1

nF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

3.40

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

8.56

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =800A, R G = 1.3Ω,

V GE =±15V, T j =25 o C

90

nS

t r

Aufstiegszeit

81

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

500

nS

t k

Herbstzeit

55

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

36.8

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

41.3

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =800A, R G = 1.3Ω,

V GE =±15V, T j = 125o C

115

nS

t r

Aufstiegszeit

92

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

550

nS

t k

Herbstzeit

66

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

52.5

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

59.4

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =125 o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

5200

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V K

Diodenvorwärts

Spannung

I K =800A,V GE =0V,T j =25 o C

1.95

2.40

V

I K =800A,V GE =0V,T j = 125o C

1.95

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =900V,I K =800A,

-di/dt=9500A/μs,V GE =±15V, T j =25 o C

56

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

550

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

38.7

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =900V,I K =800A,

-di/dt=9500A/μs,V GE =±15V, T j = 125o C

148

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

920

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

91.8

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

12

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.19

mΩ

R θ JC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

16.9

26.2

K/kW

R θ CS

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

Gehäuse-Senk (pro Diode)

19.7

30.6

K/kW

R θ CS

Gehäuse zu Sink

6.0

K/kW

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M4 Terminalverbindung Drehmoment, Schraube M8 Montagedrehmoment, Schraube M6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Gewicht von Modul

1500

g