|
Symbol
|
Eigenschaften
|
Prüfbedingungen
|
Tj(°C ) |
Wert |
Einheit
|
Min |
TYP |
Max |
|
IT(AV)
|
Mittlerer Einschaltstrom |
180。halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt |
TC=70 。C
|
115
|
|
|
2000
|
A
|
Ich bin hier |
Wiederholender Spitzenstrom |
bei VDRM tp= 10ms bei VRRM tp= 10ms |
115 |
|
|
600 |
mA |
ITSM |
Überschuss-Einschaltstrom |
10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM |
115
|
|
|
35 |
kA |
1 t |
I2t für Fusionskoordination |
|
|
6125 |
103A2s |
VTO |
Schwellenspannung |
|
115
|
|
|
1.32 |
V |
rT |
Einschaltsteigungswiderstand |
|
|
0.52 |
mΩ |
VTM |
Spitzeneinschaltspannung |
ITM= 1500A, F=90kN |
25 |
|
|
2.00 |
V |
dv/dt |
Kritische Steigrate der Ausschaltspannung |
VDM=0.67VDRM |
115 |
|
|
2000 |
V/μs |
di/dt |
Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms |
VDM=67%VDRM,
Gate-Puls tr ≤0.5μs IGM= 1.5A
|
115 |
|
|
200 |
A/μs |
Qrr |
Einziehungsgebühr |
ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR=50V |
115 |
|
5000 |
|
μC |
IGT |
Gate-Auslöseström |
VA= 12V, IA= 1A
|
25
|
40 |
|
300 |
mA |
- Ich weiß. |
Gate-Auslösespannung |
0.8 |
|
3.0 |
V |
IH |
Haltestrom |
25 |
|
200 |
mA |
VGD |
Nicht-auslösende Gate-Spannung |
VDM=67%VDRM |
115 |
|
|
0.3 |
V |
Rth(j-c) |
Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse |
Doppelseitig gekühlt |
|
|
|
0.0057 |
。C /W
|
Rth(c-h) |
Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper |
|
|
|
0.0015 |
FM |
Montagekraft |
|
|
81 |
90 |
108 |
kN |
Fernsehen |
Junction-Temperatur |
|
|
-40 |
|
115 |
℃ |
Tstg |
Lagertemperatur |
|
|
-40 |
|
140 |
℃ |
Wt |
Gewicht |
|
|
|
2500 |
|
g |
Gliederung |
KT100dT |
EN
