800A,600V bis 1800V,411F3
Produktbroschüre:HERUNTERLADEN
Kurze Einführung
Thyristor/Diodenmodul e, MTx800 MFx800 MT1 ,8 00Ein ,Wasserkühlung ，von TECHSEM produziert.
Kurze Einführung
Thyristor/Diodenmodul e, MTx 800 MFx 800 MT 800，800Ein ,Wasserkühlung ，von TECHSEM produziert.
VRRM,VDRM |
Typ & Umriss |
|
600V |
MT2 Verbraucher |
MFx800-06-411F3 |
800V |
MT2 Verbraucher |
MFx800-08-411F3 |
1000V |
MT3 Verbraucher |
MFx800-10-411F3 |
1200V |
MT3 Verbraucher |
MFx800-12-411F3 |
1400V |
MT3Beibe |
MFx800-14-411F3 |
1600V |
MT3B1B2B3 |
MFx800-16-411F3 |
1800V |
MT3 Verbraucher |
MFx800-18-411F3 |
1800V |
MT1 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - |
|
MTx steht für jede Art von MTC, MTA , MTK
MFx steht für jede Art von MFC, Außenminister, MFK
Funktionen
Typische Anwendungen
|
Symbol |
Eigenschaften |
Prüfbedingungen |
Tj( ℃ ) |
Wert |
Einheit |
||
Min |
TYP |
Max |
|||||
IT(AV) |
Mittlerer Einschaltstrom |
180° halbe Sinuswelle 50Hz Einseitig gekühlt, THS=55 ℃ |
125 |
|
|
800 |
Ein |
IT(RMS) |
RMS Durchlassstrom |
|
|
1256 |
Ein |
||
Ich bin hier |
Wiederholender Spitzenstrom |
bei VDRM bei VRRM |
125 |
|
|
45 |
mA |
ITSM |
Überschuss-Einschaltstrom |
VR=60%VRRM, t= 10 ms halbes Sinus |
125 |
|
|
22.0 |
kA |
1 t |
I2t für Fusionskoordination |
125 |
|
|
2420 |
103Ein 2s |
|
VTO |
Schwellenspannung |
|
125 |
|
|
0.90 |
V |
rT |
Einschaltsteigungswiderstand |
|
|
0.35 |
mΩ |
||
VTM |
Spitzeneinschaltspannung |
Die in Absatz 1 genannten Angaben werden nicht geändert. |
25 |
|
|
1.95 |
V |
dv/dt |
Kritische Steigrate der Ausschaltspannung |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms |
Gate-Source 1.5A tr ≤0.5μs Wiederholend |
125 |
|
|
200 |
A/μs |
IGT |
Gate-Auslöseström |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
30 |
|
200 |
mA |
- Ich weiß. |
Gate-Auslösespannung |
0.8 |
|
3.0 |
V |
||
IH |
Haltestrom |
10 |
|
200 |
mA |
||
IL |
Haltestrom |
|
|
1000 |
mA |
||
VGD |
Nicht-auslösende Gate-Spannung |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.20 |
V |
Rth(j-c) |
Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse |
Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
|
0.050 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper |
Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
|
0.024 |
℃ /W |
VISO |
Isolationsspannung |
50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V |
|
FM |
Drehmoment der Endverbindung ((M12) |
|
|
12 |
|
16 |
N·m |
Das Drehmoment für die Montage ((M8) |
|
|
10 |
|
12 |
N·m |
|
Fernsehen |
Junction-Temperatur |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Tstg |
Lagertemperatur |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Gewicht |
|
|
|
3230 |
|
g |
Gliederung |
411F3 |
||||||
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