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Thyristormodule (nicht isolierter Typ)

Thyristormodule (nicht isolierter Typ)

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MTG150,MTY150,Thyristormodule(Nicht-isolierter Typ),TECHSEM

800V bis 1800V,213F4

Brand:
TECHSEM
Spu:
MTG150/MTY150
Appurtenance:

Produktbroschüre:Herunterladen

  • Einführung
  • Gliederung
  • Äquivalentschaltbild
Einführung

Kurze Einführung

Thyristormodule (nicht isolierter Typ) ,MTG150 ,MTY150 ,von TECHSEM produziert.

VRRM,VDRM

Typ & Umriss

800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V

MTx150-08-213F4 MTx150-10-213F4 MTx150-12-213F4 MTx150-14-213F4 MTx150-16-213F4 MTx150-18-213F4

MFx150-08-213F4 MFx150-10-213F4 MFx150-12-213F4 MFx150-14-213F4 MFx150-16-213F4 MFx150-18-213F4

MTx steht für jeden t yp von MTG, MTY

MFx steht für jeden ty p von MFG, MFY

Merkmale

  • Nicht isoliert. Montage basis als anoden- oder C-Anoden-Endstange
  • Druckkontakttechnologie mit Erhöhte Leistungszyklen fähigkeit
  • Niedrige Anlaufspannung d schnur

Typische Anwendungen

  • Schweißstromversorgung
  • Verschiedene Gleichstromquellen
  • Gleichstromversorgung für PWM-Inverter

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( )

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180halbe Sinuswelle 50Hz

Einseitig gekühlt, TC=90

125

150

A

IT(RMS)

RMS Durchlassstrom

236

A

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

12

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

VR=60%VRRM, t=10ms Halbsinus

125

3.9

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

125

76

103A 2s

VTO

Schwellenspannung

125

0.80

V

rT

Einschaltsteigungswiderstand

1.74

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=450A

25

1.67

V

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

Gate-Source 1.5A

tr ≤0.5μs Wiederholend

125

100

A/μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA=12V, IA=1A

25

30

100

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

2.5

V

IH

Haltestrom

10

180

mA

IL

Haltestrom

1000

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Bei 180 ° sinus, Einseite pro Splitter gekühlt

0.16

/W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

Bei 180 ° sinus, Einseite pro Splitter gekühlt

0.10

/W

FM

Anschlussdrehmoment (M6)

4.5

6.0

N·m

Montagedrehmoment (M6)

4.5

6.0

N·m

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

Tstg

Lagertemperatur

-40

125

Wt

Gewicht

280

g

Gliederung

213F4

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