Kurze Einführung
IGBT-Modul , hergestellt von STARPOWER. 1200V 600A.
Funktion
- Niedriges VCE(sat) Trench IGBT-Technologie
- 10μs Kurzschlussfähigkeit
- VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
- Höchsttemperatur der Verbindung 175oC
- Niedrige Induktivitätsgehäuse
- Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
- Isolierte Kupferbasisplatte mit DBC-Technologie
Typisch Anwendungen
- Wechselrichter für Motorantrieb
- Mit einer Leistung von mehr als 50 W
- Ununterbrochene Stromversorgung
Absolut Maximum Kennwerte T C =25 o C es sei denn sonstige angegeben
IGBT
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
V CES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
1200 |
V |
V GES |
Spannung des Tor-Emitters |
±20 |
V |
I C |
Kollektorstrom @ T C =25 o C
@ T C =100 o C
|
480
300
|
A |
I CM |
Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms |
600 |
A |
P D |
Maximalleistung Ablösung @ T j =175 o C |
1613 |
W |
Diode
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
V RRM |
Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung |
1200 |
V |
I K |
Diode kontinuierlich vorwärts rent |
300 |
A |
I FM |
Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms |
600 |
A |
Modul
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
T jmax |
Maximale Junction-Temperatur |
175 |
o C |
T - Was ist los? |
Betriebstemperatur der Sperrschicht |
-40 bis +150 |
o C |
T Stg |
Lagertemperatur Reichweite |
-40 bis +125 |
o C |
V ISO |
Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min |
4000 |
V |
IGBT Eigenschaften T C =25 o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
|
VCE (Sat)
|
Kollektor zu Emitter
Sättigungsspannung
|
IC=300A,VGE=15V, Tj=25oC |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
IC=300A,VGE=15V, Tj=125oC |
|
1.95 |
|
IC=300A,VGE=15V, Tj=150oC |
|
2.00 |
|
VGE(th) |
Gate-Emitter Schwellenwertspannung |
IC=7.50mA,VCE=VGE, Tj=25oC |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
ICES |
Abschnittswert für den Sammler
Aktuell
|
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.
Tj=25oC
|
|
|
1.0 |
mA |
IGES |
Gate-Emitter Leckstrom |
VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC |
|
|
400 |
nA |
RGint |
Interner Gate-Widerstand |
|
|
2.5 |
|
ω |
Cies |
Eingangskapazität |
VCE=25V,f=1MHz,
VGE=0V
|
|
31.1 |
|
nF |
Cres |
Rückübertragungs-
Kapazität
|
|
0.87 |
|
nF |
QG |
Gate-Ladung |
VGE=- 15…+15V |
|
2.33 |
|
μC |
die Daten sind nicht verfügbar. |
Verzögerungszeit der Einleitung |
Die in Absatz 1 genannten Leistungen sind für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel
|
|
182 |
|
nS |
tr |
Aufstiegszeit |
|
54 |
|
nS |
td (ausgeschaltet) |
Verzögerungszeit für die Abschaltung |
|
464 |
|
nS |
tF |
Herbstzeit |
|
72 |
|
nS |
EON |
Einschaltsteuerung
Verlust
|
|
10.6 |
|
mJ |
EOFF |
Ausschaltsteuerung
Verlust
|
|
25.8 |
|
mJ |
die Daten sind nicht verfügbar. |
Verzögerungszeit der Einleitung |
Die in Absatz 1 genannten Leistungen sind für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel
|
|
193 |
|
nS |
tr |
Aufstiegszeit |
|
54 |
|
nS |
td (ausgeschaltet) |
Verzögerungszeit für die Abschaltung |
|
577 |
|
nS |
tF |
Herbstzeit |
|
113 |
|
nS |
EON |
Einschaltsteuerung
Verlust
|
|
16.8 |
|
mJ |
EOFF |
Ausschaltsteuerung
Verlust
|
|
38.6 |
|
mJ |
die Daten sind nicht verfügbar. |
Verzögerungszeit der Einleitung |
Die in Absatz 1 genannten Leistungen sind für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel
|
|
203 |
|
nS |
tr |
Aufstiegszeit |
|
54 |
|
nS |
td (ausgeschaltet) |
Verzögerungszeit für die Abschaltung |
|
618 |
|
nS |
tF |
Herbstzeit |
|
124 |
|
nS |
EON |
Einschaltsteuerung
Verlust
|
|
18.5 |
|
mJ |
EOFF |
Ausschaltsteuerung
Verlust
|
|
43.3 |
|
mJ |
|
ISC
|
SC-Daten
|
die Prüfungen sind in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der
Tj=150oC,VCC=900V, VCEM≤1200V
|
|
1200
|
|
A
|
Diode Eigenschaften T C =25 o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
|
VF
|
Diodenvorwärts
Spannung
|
IF=300A,VGE=0V,Tj=25oC |
|
1.65 |
2.10 |
V
|
IF=300A,VGE=0V,Tj= 125oC |
|
1.65 |
|
IF=300A,VGE=0V,Tj= 150oC |
|
1.65 |
|
Qr |
Wiederhergestellte Ladung |
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.
-di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V, Tj=25oC
|
|
29 |
|
μC |
IRM |
Spitzenrückwärts
Rückgewinnungsstrom
|
|
318 |
|
A |
Erek |
Rückwärtsrekuperationsenergie |
|
18.1 |
|
mJ |
Qr |
Wiederhergestellte Ladung |
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.
-di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V, Tj= 125oC
|
|
55 |
|
μC |
IRM |
Spitzenrückwärts
Rückgewinnungsstrom
|
|
371 |
|
A |
Erek |
Rückwärtsrekuperationsenergie |
|
28.0 |
|
mJ |
Qr |
Wiederhergestellte Ladung |
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.
-di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V, Tj= 150oC
|
|
64 |
|
μC |
IRM |
Spitzenrückwärts
Rückgewinnungsstrom
|
|
390 |
|
A |
Erek |
Rückwärtsrekuperationsenergie |
|
32.8 |
|
mJ |
Modul Eigenschaften T C =25 o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
LCE |
Streuinduktivität |
|
|
20 |
nH |
RCC’+EE’ |
Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip |
|
0.35 |
|
mΩ |
RthJC |
Junction-to-Case (pro IGBT)
Junction-to-Case (pro Diode)
|
|
|
0.093
0.155
|
K/W |
|
RthCH
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Verfahren.
Gehäuse-Heatsink (pro Diode)
Hülle-Heatsink (pro Modul)
|
|
0.016
0.027
0.010
|
|
K/W |
M |
Anzugsmoment der Anschlussklemmen, Schraube M6 Montagemoment, Schraube M6 |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
N.M |
G |
Gewicht des Moduls |
|
300 |
|
g |
EN
