GD100PIX120C6SNA, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C @ T C =100 o C

155

100

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

200

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 o C

511

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

100

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

200

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1600

V

I O

Durchschnittlicher Ausgangsstrom 5 0Hz/60Hz, Sinuswelle

100

Ein

I FSM

Überspannungs-Vorwärtsstrom t p =10ms @ T j = 25o C @ T j =150 o C

1150

880

Ein

I 2t

I 2t-Wert,t p =10ms @ T j =25 o C @ T j =150 o C

6600

3850

Ein 2s

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C @ T C =100 o C

87

50

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

100

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 o C

308

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

25

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

50

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Wicklungstemperatur (Wechselrichter, Bremse) Maximale Wicklungstemperatur (Rechteckwellenrichter)

175

150

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =100A,V GE =15V, T j =25 o C

1.70

2.15

V

I C =100A,V GE =15V, T j =125 o C

1.95

I C =100A,V GE =15V, T j =150 o C

2.00

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =4.00 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

7.5

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

10.4

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.29

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

0.78

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =100A, R G =1,6Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

218

nS

t r

Aufstiegszeit

35

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

287

nS

t f

Herbstzeit

212

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

9.23

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

6.85

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =100A, R G =1,6Ω,V GE =±15V, T j =125 o C

242

nS

t r

Aufstiegszeit

41

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

352

nS

t f

Herbstzeit

323

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

13.6

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

9.95

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =100A, R G =1,6Ω,V GE =±15V, T j =150 o C

248

nS

t r

Aufstiegszeit

43

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

365

nS

t f

Herbstzeit

333

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

14.9

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

10.5

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

400

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =100A,V GE =0V,T j =25 o C

1.85

2.30

V

I F =100A,V GE =0V,T j =1 25o C

1.90

I F =100A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.95

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2500A/μs,V GE =-15V T j =25 o C

5.89

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

103

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

3.85

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2100A/μs,V GE =-15V T j =125 o C

13.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

109

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

6.64

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=1950A/μs,V GE =-15V T j =150 o C

15.6

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

109

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

7.39

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =100A, T j =150 o C

0.95

V

I R

Rückstrom

T j =150 o C,V R =1600V

2.0

mA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =50A,V GE =15V, T j =25 o C

1.70

2.15

V

I C =50A,V GE =15V, T j =125 o C

1.95

I C =50A,V GE =15V, T j =150 o C

2.00

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =2.00 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

0

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

5.18

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.15

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

0.39

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =50A, R G =15Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

171

nS

t r

Aufstiegszeit

32

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

340

nS

t f

Herbstzeit

82

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

6.10

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

2.88

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =50A, R G =15Ω,V GE =±15V, T j =125 o C

182

nS

t r

Aufstiegszeit

43

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

443

nS

t f

Herbstzeit

155

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

8.24

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

4.43

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =50A, R G =15Ω,V GE =±15V, T j =150 o C

182

nS

t r

Aufstiegszeit

43

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

464

nS

t f

Herbstzeit

175

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

8.99

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

4.94

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

200

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F = 25A, V GE =0V,T j =25 o C

1.85

2.30

V

I F = 25A, V GE =0V,T j =125 o C

1.90

I F = 25A, V GE =0V,T j =150 o C

1.95

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE =-15V T j =25 o C

2.9

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

55

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

0.93

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE =-15V T j =125 o C

5.1

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

58

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

1.72

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE =-15V T j =150 o C

5.6

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

60

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

2.01

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

40

nH

R CC’+EE’ R AA ’+ CC ’

Modulanschlusswiderstand nce,Aanschluss zu Chip

4.00 3.00

mΩ

R thJC

Junction -um -Fall (proIGBT -wechselrichter )

Gehäuse-Temperatur (pro Diode-Inverter er)

Gehäuse-Gehäuse (pro Diode-Rektif zier)

Junction -um -Fall (proIGBT -bremse -chopper ) Verbindungshalter (pro Diode-Bremschop pro)

0.293 0.505 0.503 0.487 1.233

K/W

R thCH

Fall -um -Heizkessel (proIGBT -wechselrichter )

Gehäuse-zu-Wärmeableiter (pro Diode-in verter)

Gehäuse-zu-Wärmeableiter (pro Diode-re ktifier)

Fall -um -Heizkessel (proIGBT -bremse -chopper )Gehäuse-zu-Wärmeableiter (pro Diode-bremse- chopper) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009

K/W

M

Montagedrehmoment, Schraube: M5

3.0

6.0

N.M

G

Gewicht von Modul

300

g