600V~1800V,415F3
Produktbroschüre:HERUNTERLADEN
Kurze Einführung
Schnelle Wiederherstellungsdiodenmodule , MZx75 ,MZ75 ,Luftkühlung ,von TECHSEM produziert.
VRRM |
Typ & Umriss |
|
600V 800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V 1800V |
MZx75-06-216F3 MZx75-08-216F3 MZx75-10-216F3 MZx75-12-216F3 MZx75-14-216F3 MZx75-16-216F3 MZx75-18-216F3 MZ75-18-216F3G |
MZx steht für jede Art von MZC, MZA, MZK
Funktionen ：
Typische Anwendungen ：
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Symbol |
Eigenschaften |
Prüfbedingungen |
Tj( ℃ ) |
Wert |
Einheit |
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Min |
TYP |
Max |
|||||
IF(AV) |
Mittlerer Vorwärtsstrom |
180° halbe Sinuswelle 50Hz Einseitig gekühlt, TC=85 ℃ |
140 |
|
|
75 |
Ein |
IF(RMS) |
RMS-Vorwärtsstrom |
|
|
118 |
Ein |
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IRRM |
Wiederholender Spitzenstrom |
bei VRRM |
140 |
|
|
20 |
mA |
IFSM |
Überspannungsstrom |
10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM |
140 |
|
|
2.0 |
kA |
1 t |
I2t für Fusionskoordination |
|
|
20 |
103Ein 2s |
||
VFO |
Schwellenspannung |
|
140 |
|
|
1.10 |
V |
rF |
Vorwärtssteigungswiderstand |
|
|
3.00 |
m |
||
VFM |
Spitzenvorwärtsspannung |
IFM=225A |
25 |
|
|
2.00 |
V |
trr |
Rückwärts-Rückgewinnungszeit |
IFM=200A,tp=4000μs, -di/dt=20A/μs,VR=50V |
140 |
|
3.0 |
|
μs |
25 |
|
2.0 |
|
μs |
|||
Rth(j-c) |
Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse |
Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
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0.310 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper |
Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
|
0.080 |
℃ /W |
|
FM |
Anschlussdrehmoment (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·m |
Montagedrehmoment (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·m |
|
VISO |
Isolationsspannung |
50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V |
Fernsehen |
Junction-Temperatur |
|
|
-40 |
|
140 |
℃ |
Tstg |
Lagertemperatur |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Gewicht |
|
|
|
320 |
|
g |
Gliederung |
216F3 |
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