GD600HFX120C2S,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

Übergangsspannung des Tor-Emittors

±20

±30

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C

@ T C=90o C

873

600

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

1200

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T j =175o C

2727

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

600

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

1200

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

IC= 600 A, V GE =15V, T j =25o C

1.75

2.20

V

IC= 600 A, V GE =15V, T j =125o C

2.00

IC= 600 A, V GE =15V, T j =150o C

2.05

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus

Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

0.7

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

55.9

nF

Cres

Rückübertragungs-

Kapazität

1.57

nF

F G

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

4.20

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 600A, R G= 1,5Ω

ich bin nicht hier. S = 34nH, V GE =±15V,T j =25o C

109

nS

t r

Aufstiegszeit

62

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

469

nS

t f

Herbstzeit

68

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

42.5

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

46.0

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 600A, R G= 1,5Ω,

LS =34nH ,

V GE =±15V,T j =125o C

143

nS

t r

Aufstiegszeit

62

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

597

nS

t f

Herbstzeit

107

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

56.5

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

70.5

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 600A, R G= 1,5Ω,

LS =34nH ,

V GE =±15V,T j =150o C

143

nS

t r

Aufstiegszeit

68

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

637

nS

t f

Herbstzeit

118

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

61.2

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

77.8

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

2400

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts

Spannung

IF = 600 A, V GE =0V,T j =25o C

1.95

2.40

V

IF = 600 A, V GE =0V,T j =125o C

2.05

IF = 600 A, V GE =0V,T j =150o C

2.10

F r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15 V, LS =34nH ,T j =25o C

58.9

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

276

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

20.9

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15 V, LS =34nH ,T j =125o C

109

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

399

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

41.8

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15 V, LS =34nH ,T j =150o C

124

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

428

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

48.5

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.055

0.089

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode)

Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.032

0.052

0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

300

g