Kurze Einführung:   
Hochspannungs-Einzel-Schalter-IGBT-Module, die von CRRC hergestellt werden. 4500V 900A. 
Merkmale 
| SPT+Chip-Set für niedrige Schalt  verluste  | 
| Niedrig  V CEsat  | 
| Niedrige Treiber  leistung    | 
| A lSiC Grundplatte für hohe  leistung    c   zyklische  fähigkeit y    | 
| AlN Substrat für niedrigen thermischen  widerstand  | 
 
 Typisch anwendung 
| Traktionsantriebe  | 
| DC-Chopper  | 
| Hochspannungswechselrichter/-wandler  | 
 
 Maximale Nennwerte 
| Parameter/参数  | Symbol/符号  | Bedingungen/条件  | min    | max    | Einheit  | 
| Spannung zwischen Kollektor und Emitter  集电极 -发射极电压  | V CES  | V GE  =0V,T vj  ≥25°C  |   | 4500 | V  | 
| DC-Kollektor  aktuell  集电极电流 (Zusammenfassung von elektrischem Strom)  | I   C    | T   C    =80°C  |   | 900 | A  | 
| Spitzen-Kollektor  aktuell  集电极峰值电流  | I   CM    | tp=1ms,Tc=80°C  |   | 1800 | A  | 
| Spannung des Tor-Emitters  gatetreiber-Emitter-Spannung  | V GES  |   | -20 | 20 | V  | 
| Gesamt    leistungsverlust  gesamtleistungsverlust  | P tot  | T   C    =25°C,perswitch(IGBT)  |   | 8100 | W  | 
| DC Vorwärtsstrom  gleichstrom-Vorwärtsstrom  | I   K  |   |   | 900 | A  | 
| Spitzen-Vorwärtsstrom  峰值正向电流  | I   FRM  | tP=1 ms  |   | 1800 | A  | 
| - Die Welle.  aktuell  einschaltstrom  | I   FSM  | V R  =0V,T vj  =125°C,tp=10ms,  halbwelle  |   | 6700 | A  | 
| IGBT Kurzschluss  sCHALTUNG  SOA  IGBT Kurzschluss-Sicherheitsarbeitsbereich  |   t   psc  |   V CC  =3400V,V CEMCHIP ≤4500V  V GE  ≤15V,Tvj≤125°C  |   |   10 |   μ s  | 
| Isolationsspannung  绝缘电压  | V isolierung  | 1min, f=50Hz  |   | 10200 | V  | 
| Junction-Temperatur  结温  | T   vj  |   |   | 150 | ℃  | 
| Junction-Betriebstemperatur erature   Arbeitszeit  | T   vj(op)  |   | -50 | 125 | ℃  | 
| Gehäusetemperatur  温  | T   C    |   | -50 | 125 | ℃  | 
| Lagertemperatur                                                                                 | T   stg  |   | -50 | 125 | ℃  | 
| Montagedrehmomente  einrichtungstrom  | M S  |   | 4 | 6 | Nm    | 
| M T   1 |   | 8 | 10 | 
| M T   2 |   | 2 | 3 |   | 
 
IGBT Charakteristische Werte 
| Parameter/参数  | Symbol/符号  | Bedingungen/条件  | Min    | tYP  | max    | Einheit  | 
| Sammler  (- Emitter)  durchbruch  spannung    集电极 -发射极阻断电压  |   V (BR)CES  | V GE  =0V,IC=10mA,  Tvj=25°C  |   4500 |   |   |   V  | 
| Sättigung des Sammler-Emitters  spannung    集电极 -发射极饱和电压  |   V CEsat  | I   C    =900A,  V GE  =15V  | Tvj=  25°C  |   | 2.7 | 3.2 | V  | 
| Tvj=125°C  |   | 3.4 | 3.8 | V  | 
| Kollektor-Abschaltspannung  aktuell  集电极截止电流 (Zusammenfassung des Stromstroms)  | I   CES  | V CE    =4500V,  V GE  =0V  | Tvj=  25°C  |   |   | 10 | mA    | 
| Tvj=125°C  |   |   | 100 | mA    | 
| Tor  leckstrom  极漏电流 (极) 极leckstrom  | I   GES  | V CE    =0V,V GE  =20V,  T   vj  = 125°C  | -500 |   | 500 | nA    | 
| Gate-Emitter Schwellenwertspannung  gatetreiber-Emitter-Schwellenwertspannung  | V EG (Jahr)  | I   C    =240mA,V CE    =V GE , T   vj  = 25°C  | 4.5 |   | 6.5 | V  | 
| Tor  ladevorgang  极电荷  | Q g    | I   C    =900A,V CE    = 2800V,  V GE  =-15V  … 15V  |   | 8.1 |   | μC  | 
| Eingangskapazität   Input-Kapazität  | C   ies  |     V CE    =25V,V GE  =0V,   f=1MHz,T vj  = 25°C  |   | 105.6 |   |       nF  | 
| Ausgangskapazität   Ausgangsleistung  | C   - Die  |   | 7.35 |   | 
| Rückwärtsübertragungs-Kapazität  rückwärtsübertragungs-Kapazität  | C   res  |   | 2.04 |   | 
| Einschaltverzögerung  zeit  开通延迟时间  | t   (Das ist ein  |         V CC  = 2800V,  I   C    =900A,  R G    =2.2 ω    , V GE  =±15V,  L σ =280nH,  感性负载 (gefühlsmäßige Belastung)  | Fernsehen  =    25 °C  |   | 680 |   |     nS  | 
| Fernsehen  =  125 °C  |   | 700 |   | 
| Aufstiegszeit  aufstieg  | t   r  | Fernsehen  =    25 °C  |   | 230 |   | 
| Fernsehen  =  125 °C  |   | 240 |   | 
| Verzögerungszeit für die Abschaltung  ausschaltverzögerung  | t   d (aus ) | Fernsehen  =    25 °C  |   | 2100 |   |     nS  | 
| Fernsehen  =  125 °C  |   | 2300 |   | 
| Herbstzeit  - Ich bin nicht sicher.  | t   k  | Fernsehen  =  25 °C  |   | 1600 |   | 
| Fernsehen  =  125 °C  |   | 2800 |   | 
| Einschaltsteuerung  energieverlust  einschaltverluste  | E auf  | Fernsehen  =  25 °C  |   | 1900 |   | mJ    | 
| Fernsehen  =125  °C  |   | 2500 |   | 
| Ausschaltsteuerung  energieverlust  ausschaltverluste  | E aus  | Fernsehen  =  25 °C  |   | 3100 |   | mJ    | 
| Fernsehen  =125  °C  |   | 3800 |   | 
| Kurzschluss  aktuell  kurzschlussstrom  | I   SC  | t   psc ≤  10μ s, V GE  =15V,    T   vj =  125°C,V CC  =  3400V  |   | 3600 |   | A  |