Kurze Einführung:
Hochspannungs-Einzel-Schalter-IGBT-Module, die von CRRC hergestellt werden. 4500V 900A.
Merkmale
SPT+Chip-Set für niedrige Schalt verluste |
Niedrig V CEsat |
Niedrige Treiber leistung |
A lSiC Grundplatte für hohe leistung c zyklische fähigkeit y |
AlN Substrat für niedrigen thermischen widerstand |
Typisch anwendung
Traktionsantriebe |
DC-Chopper |
Hochspannungswechselrichter/-wandler |
Maximale Nennwerte
Parameter/参数 |
Symbol/符号 |
Bedingungen/条件 |
min |
max |
Einheit |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter 集电极 -发射极电压 |
V CES |
V GE =0V,T vj ≥25°C |
|
4500 |
V |
DC-Kollektor aktuell 集电极电流 (Zusammenfassung von elektrischem Strom) |
I C |
T C =80°C |
|
900 |
A |
Spitzen-Kollektor aktuell 集电极峰值电流 |
I CM |
tp=1ms,Tc=80°C |
|
1800 |
A |
Spannung des Tor-Emitters gatetreiber-Emitter-Spannung |
V GES |
|
-20 |
20 |
V |
Gesamt leistungsverlust gesamtleistungsverlust |
P tot |
T C =25°C,perswitch(IGBT) |
|
8100 |
W |
DC Vorwärtsstrom gleichstrom-Vorwärtsstrom |
I K |
|
|
900 |
A |
Spitzen-Vorwärtsstrom 峰值正向电流 |
I FRM |
tP=1 ms |
|
1800 |
A |
- Die Welle. aktuell einschaltstrom |
I FSM |
V R =0V,T vj =125°C,tp=10ms, halbwelle |
|
6700 |
A |
IGBT Kurzschluss sCHALTUNG SOA IGBT Kurzschluss-Sicherheitsarbeitsbereich |
t psc
|
V CC =3400V,V CEMCHIP ≤4500V V GE ≤15V,Tvj≤125°C
|
|
10
|
μ s
|
Isolationsspannung 绝缘电压 |
V isolierung |
1min, f=50Hz |
|
10200 |
V |
Junction-Temperatur 结温 |
T vj |
|
|
150 |
℃ |
Junction-Betriebstemperatur erature Arbeitszeit |
T vj(op) |
|
-50 |
125 |
℃ |
Gehäusetemperatur 温 |
T C |
|
-50 |
125 |
℃ |
Lagertemperatur |
T stg |
|
-50 |
125 |
℃ |
Montagedrehmomente einrichtungstrom |
M S |
|
4 |
6 |
Nm |
M T 1 |
|
8 |
10 |
M T 2 |
|
2 |
3 |
|
IGBT Charakteristische Werte
Parameter/参数 |
Symbol/符号 |
Bedingungen/条件 |
Min |
tYP |
max |
Einheit |
Sammler (- Emitter) durchbruch spannung
集电极 -发射极阻断电压
|
V (BR)CES
|
V GE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C |
4500
|
|
|
V
|
Sättigung des Sammler-Emitters spannung
集电极 -发射极饱和电压
|
V CEsat
|
I C =900A, V GE =15V |
Tvj= 25°C |
|
2.7 |
3.2 |
V |
Tvj=125°C |
|
3.4 |
3.8 |
V |
Kollektor-Abschaltspannung aktuell 集电极截止电流 (Zusammenfassung des Stromstroms) |
I CES |
V CE =4500V, V GE =0V |
Tvj= 25°C |
|
|
10 |
mA |
Tvj=125°C |
|
|
100 |
mA |
Tor leckstrom 极漏电流 (极) 极leckstrom |
I GES |
V CE =0V,V GE =20V, T vj = 125°C |
-500 |
|
500 |
nA |
Gate-Emitter Schwellenwertspannung gatetreiber-Emitter-Schwellenwertspannung |
V EG (Jahr) |
I C =240mA,V CE =V GE , T vj = 25°C |
4.5 |
|
6.5 |
V |
Tor ladevorgang 极电荷 |
Q g |
I C =900A,V CE = 2800V, V GE =-15V … 15V |
|
8.1 |
|
μC |
Eingangskapazität Input-Kapazität |
C ies |
V CE =25V,V GE =0V, f=1MHz,T vj = 25°C
|
|
105.6 |
|
nF
|
Ausgangskapazität Ausgangsleistung |
C - Die |
|
7.35 |
|
Rückwärtsübertragungs-Kapazität rückwärtsübertragungs-Kapazität |
C res |
|
2.04 |
|
Einschaltverzögerung zeit 开通延迟时间 |
t (Das ist ein |
V CC = 2800V,
I C =900A,
R G =2.2 ω ,
V GE =±15V,
L σ =280nH,
感性负载 (gefühlsmäßige Belastung)
|
Fernsehen = 25 °C |
|
680 |
|
nS
|
Fernsehen = 125 °C |
|
700 |
|
Aufstiegszeit aufstieg |
t r |
Fernsehen = 25 °C |
|
230 |
|
Fernsehen = 125 °C |
|
240 |
|
Verzögerungszeit für die Abschaltung ausschaltverzögerung |
t d (aus ) |
Fernsehen = 25 °C |
|
2100 |
|
nS
|
Fernsehen = 125 °C |
|
2300 |
|
Herbstzeit - Ich bin nicht sicher. |
t k |
Fernsehen = 25 °C |
|
1600 |
|
Fernsehen = 125 °C |
|
2800 |
|
Einschaltsteuerung energieverlust einschaltverluste |
E auf |
Fernsehen = 25 °C |
|
1900 |
|
mJ |
Fernsehen =125 °C |
|
2500 |
|
Ausschaltsteuerung energieverlust ausschaltverluste |
E aus |
Fernsehen = 25 °C |
|
3100 |
|
mJ |
Fernsehen =125 °C |
|
3800 |
|
Kurzschluss aktuell kurzschlussstrom |
I SC |
t psc ≤ 10μ s, V GE =15V, T vj = 125°C,V CC = 3400V |
|
3600 |
|
A |