GD200HFY120C2S, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

Ich C

Kollektorstrom @ T C=25o C

@ T C= 100o C

309

200

A

Ich Cm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

400

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T =175o C

1006

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

V

Ich F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

200

A

Ich FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

400

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 minute

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ich C=200A,V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

Ich C=200A,V GE =15V, T j =125o C

1.95

Ich C=200A,V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ich C=5.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

Ich CES

Sammler Geschnitten -Aus

Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

Ich GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

4.0

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

20.7

nF

Cres

Rückübertragungs-

Kapazität

0.58

nF

F G

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

1.55

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25o C

150

nS

t r

Aufstiegszeit

32

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

330

nS

t f

Herbstzeit

93

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

11.2

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

11.3

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

161

nS

t r

Aufstiegszeit

37

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

412

nS

t f

Herbstzeit

165

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

19.8

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

17.0

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 150o C

161

nS

t r

Aufstiegszeit

43

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

433

nS

t f

Herbstzeit

185

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

21.9

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

19.1

mJ

Ich SC

SC-Daten

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

800

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts

Spannung

Ich F =200A,V GE =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

Ich F =200A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

Ich F =200A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

17.6

μC

Ich RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

228

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

7.7

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

31.8

μC

Ich RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

238

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

13.8

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150o C

36.6

μC

Ich RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

247

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

15.2

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand nce, Anschluss zum Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.149

0.206

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.034

0.048

0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

300

g