GD200HFY120C2S, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

309

200

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

400

A

P D

Maximalleistung Ablösung @ T =175 o C

1006

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

V

I K

Diode kontinuierlich vorwärts rent

200

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

400

A

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =200A,V GE =15V, T j =25 o C

1.70

2.15

V

I C =200A,V GE =15V, T j =125 o C

1.95

I C =200A,V GE =15V, T j =150 o C

2.00

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =5.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus

Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

4.0

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

20.7

nF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.58

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

1.55

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

150

nS

t r

Aufstiegszeit

32

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

330

nS

t k

Herbstzeit

93

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

11.2

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

11.3

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

161

nS

t r

Aufstiegszeit

37

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

412

nS

t k

Herbstzeit

165

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

19.8

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

17.0

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 150o C

161

nS

t r

Aufstiegszeit

43

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

433

nS

t k

Herbstzeit

185

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

21.9

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

19.1

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

800

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V K

Diodenvorwärts

Spannung

I K =200A,V GE =0V,T j =25 o C

1.65

2.10

V

I K =200A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

I K =200A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

17.6

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

228

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

7.7

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125 o C

31.8

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

238

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

13.8

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150 o C

36.6

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

247

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

15.2

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand nce, Anschluss zum Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.149

0.206

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.034

0.048

0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Gewicht von Modul

300

g