GD200HFF120C2S, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C

@ T C = 85 o C

294

200

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

400

A

P D

Maximalleistung Ablösung @ T =175 o C

1056

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

V

I K

Diode kontinuierlich vorwärts rent

200

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

400

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =200A,V GE =15V, T j =25 o C

1.90

2.35

V

I C =200A,V GE =15V, T j = 125o C

2.40

I C =200A,V GE =15V, T j =150 o C

2.55

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =5.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus

Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

100

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

3.75

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

20.7

nF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.58

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

1.55

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

374

nS

t r

Aufstiegszeit

50

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

326

nS

t k

Herbstzeit

204

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

13.8

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

10.4

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

419

nS

t r

Aufstiegszeit

63

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

383

nS

t k

Herbstzeit

218

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

20.8

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

11.9

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V GE =±15V, T j = 150o C

419

nS

t r

Aufstiegszeit

65

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

388

nS

t k

Herbstzeit

222

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

22.9

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

11.9

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V K

Diodenvorwärts

Spannung

I K =200A,V GE =0V,T j =25 o C

1.90

2.35

V

I K =200A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

I K =200A,V GE =0V,T j = 150o C

1.90

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

10.2

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

90

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

3.40

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

26.2

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

132

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

9.75

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

30.4

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

142

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

11.3

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

15

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.25

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.142

0.202

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.034

0.048

0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Gewicht von Modul

300

g