GD200HFF120C2S, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C

@ T C=85o C

294

200

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

400

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T =175o C

1056

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

V

IF

Diode kontinuierlich vorwärts rent

200

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

400

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 mINUTE

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

IC=200A,V GE =15V, T j =25o C

1.90

2.35

V

IC=200A,V GE =15V, T j = 125o C

2.40

IC=200A,V GE =15V, T j =150o C

2.55

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=5.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus

Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

100

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

3.75

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

20.7

nF

Cres

Rückübertragungs-

Kapazität

0.58

nF

F G

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

1.55

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=200A, R G=0.75Ω,V GE =±15V, T j =25o C

374

nS

t r

Aufstiegszeit

50

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

326

nS

t f

Herbstzeit

204

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

13.8

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

10.4

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=200A, R G=0.75Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

419

nS

t r

Aufstiegszeit

63

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

383

nS

t f

Herbstzeit

218

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

20.8

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

11.9

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=200A, R G=0.75Ω,V GE =±15V, T j = 150o C

419

nS

t r

Aufstiegszeit

65

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

388

nS

t f

Herbstzeit

222

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

22.9

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

11.9

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts

Spannung

IF =200A,V GE =0V,T j =25o C

1.90

2.35

V

IF =200A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

IF =200A,V GE =0V,T j = 150o C

1.90

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

10.2

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

90

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

3.40

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

26.2

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

132

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

9.75

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

30.4

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

142

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

11.3

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

15

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.25

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.142

0.202

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.034

0.048

0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

300

g