GD450HFX120C6SA, IGBT Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

680

450

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

900

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 o C

2173

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

V

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

450

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

900

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C = 450 A, V GE =15V, T j =25 o C

1.70

2.15

V

I C = 450 A, V GE =15V, T j =125 o C

1.95

I C = 450 A, V GE =15V, T j =150 o C

2.00

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 11.3mA,V CE =V GE ,T j =25 o C

5.2

5.8

6.4

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus

Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

0.7

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

46.6

nF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.31

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

3.50

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 450 A, R G = 1.3Ω,

V GE =±15V, T j =25 o C

203

nS

t r

Aufstiegszeit

64

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

491

nS

t f

Herbstzeit

79

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

16.1

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

38.0

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 450 A, R G = 1.3Ω,

V GE =±15V, T j = 125o C

235

nS

t r

Aufstiegszeit

75

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

581

nS

t f

Herbstzeit

109

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

27.8

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

55.5

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 450 A, R G = 1.3Ω,

V GE =±15V, T j = 150o C

235

nS

t r

Aufstiegszeit

75

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

621

nS

t f

Herbstzeit

119

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

30.5

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

61.5

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

1800

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts

Spannung

I F = 450 A, V GE =0V,T j =25 o C

1.85

2.30

V

I F = 450 A, V GE =0V,T j = 125o C

1.90

I F = 450 A, V GE =0V,T j = 150o C

1.95

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 450 A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15 V, T j =25 o C

55.2

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

518

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

26.0

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 450 A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15 V, T j = 125o C

106

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

633

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

47.5

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 450 A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15 V, T j = 150o C

121

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

661

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

53.9

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

δR/R

Abweichung von R 100

T C = 100 o C, R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

1.10

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.069

0.108

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode)

Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.030

0.046

0.009

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Gewicht von Modul

350

g