GD450HFX120C6SA, IGBT Modul, STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C

@ T C= 100o C

680

450

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

900

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T j =175o C

2173

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

V

IF

Diode kontinuierlich vorwärts rent

450

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

900

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 mINUTE

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

IC= 450 A, V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC= 450 A, V GE =15V, T j =125o C

1.95

IC= 450 A, V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC= 11.3mA,V CE =V GE ,T j =25o C

5.2

5.8

6.4

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus

Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

0.7

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

46.6

nF

Cres

Rückübertragungs-

Kapazität

1.31

nF

QG

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

3.50

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 450 A, R G= 1.3Ω,

V GE =±15V, T j =25o C

203

nS

t r

Aufstiegszeit

64

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

491

nS

t f

Herbstzeit

79

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

16.1

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

38.0

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 450 A, R G= 1.3Ω,

V GE =±15V, T j = 125o C

235

nS

t r

Aufstiegszeit

75

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

581

nS

t f

Herbstzeit

109

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

27.8

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

55.5

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 450 A, R G= 1.3Ω,

V GE =±15V, T j = 150o C

235

nS

t r

Aufstiegszeit

75

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

621

nS

t f

Herbstzeit

119

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

30.5

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

61.5

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

1800

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts

Spannung

IF = 450 A, V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF = 450 A, V GE =0V,T j = 125o C

1.90

IF = 450 A, V GE =0V,T j = 150o C

1.95

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 450 A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15 V, T j =25o C

55.2

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

518

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

26.0

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 450 A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15 V, T j = 125o C

106

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

633

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

47.5

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 450 A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15 V, T j = 150o C

121

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

661

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

53.9

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

δR/R

Abweichung aus R 100

T C= 100 o C, R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2–

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2–

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2–

1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

1.10

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.069

0.108

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode)

Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.030

0.046

0.009

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

350

g