MTx800 MFx800 MT800,Tyristor/Diodenmodule,Luftkühlung

VRRM,VDRM

Typ & Umriss

2000 V

MTx800-20-410F3

MFx800-20-410F3

2200V

MTx800-22-410F3

MFx800-22-410F3

mit einer Leistung von

MTx800-25-410F3

MFx800-25-410F3

mit einer Leistung von

MT800-25-410F3G

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( ℃ )

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180。halbe Sinuswelle 50Hz

Einseitig gekühlt, TC=70 ℃

125

800

Ein

IT(RMS)

RMS Durchlassstrom

1256

Ein

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

50

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

VR=60%VRRM, t=10ms halber Sinus,

125

16

kA

I ²t

I2t für Fusionskoordination

125

1280

10³Ein ²s

VTO

Schwellenspannung

125

0.85

V

rT

Einschaltsteigungswiderstand

0.30

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

Die in Absatz 1 genannten Angaben werden nicht geändert.

25

2.30

V

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

Gate-Source 1.5A

tr ≤0.5μs Wiederholend

125

200

A/μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA=12V, IA=1A

25

30

200

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

V

IH

Haltestrom

10

200

mA

IL

Haltestrom

1000

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Einseitig gekühlt pro Chip

0.048

℃ /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

Einseitig gekühlt pro Chip

0.030

℃ /W

VISO

Isolationsspannung

50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max)

3000

V

FM

Drehmoment der Endverbindung ((M12)

12

16

N·m

Das Drehmoment für die Montage ((M8)

10

12

N·m

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

℃

Tstg

Lagertemperatur

-40

125

℃

Wt

Gewicht

3310

g

Gliederung

410F3