GD450HFX120C2SA, IGBT Modul, STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C @ T C=100o C

704

450

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

900

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T vj =175o C

2307

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

450

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

900

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC= 450 A, V GE =15V, T vj =25o C

1.70

2.15

V

IC= 450 A, V GE =15V, T vj =125o C

1.95

IC= 450 A, V GE =15V, T vj =150o C

2.00

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=18.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

0.7

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

46.6

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

1.31

nF

F G

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

3.50

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 450 A, R G=1.5Ω,V GE =±15V, L.S. =45nH ,T vj =25o C

284

nS

t r

Aufstiegszeit

78

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

388

nS

t f

Herbstzeit

200

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

45.0

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

33.4

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 450 A, R G=1.5Ω,V GE =±15V, L.S. =45nH ,T vj =125o C

288

nS

t r

Aufstiegszeit

86

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

456

nS

t f

Herbstzeit

305

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

60.1

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

48.4

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 450 A, R G=1.5Ω,V GE =±15V, L.S. =45nH ,T vj =150o C

291

nS

t r

Aufstiegszeit

88

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

472

nS

t f

Herbstzeit

381

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

63.5

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

52.1

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤10μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

1800

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF = 450 A, V GE =0V,T vj =25o C

1.90

2.35

V

IF = 450 A, V GE =0V,T vj =125o C

2.00

IF = 450 A, V GE =0V,T vj =150o C

2.05

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 450 A,

-di/dt=4500A/μs, V GE = 15 V, L.S. =45nH ,T vj =25o C

39.4

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

296

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

11.8

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 450 A,

-di/dt=4100A/μs, V GE = 15 V, L.S. =45nH ,T vj =125o C

58.6

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

309

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

17.7

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 450 A,

-di/dt=4000A/μs, V GE = 15 V, L.S. =45nH ,T vj =150o C

83.6

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

330

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

20.3

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction – nach – Fall (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.065 0.119

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.031 0.057 0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

300

g