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IGBT-Modul 1200V

IGBT-Modul 1200V

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GD450HFX120C2SA, IGBT Modul, STARPOWER

IGBT-Modul, 1200 V 450 A

Brand:
Stärken
Spu:
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
  • Einleitung
  • Gliederung
Einleitung

Kurze Einführung

IGBT-Modul ,von Stärken . 1200V 450A.

Eigenschaften

  • Niedriges VCE(sat) Trench IGBT-Technologie
  • 10μs Kurzschlussfähigkeit
  • VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
  • Höchsttemperatur der Verbindung 175oC
  • Niedrige Induktivitätsgehäuse
  • Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
  • Isolierte Kupferbasisplatte mit DBC-Technologie

Typische Anwendungen

  • Wechselrichter für Motorantrieb
  • Mit einer Leistung von mehr als 50 W
  • Ununterbrochene Stromversorgung

Absolut Maximal Kennwerte T F =25o C es sei denn sonstige angegeben

IGBT

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

W C

Kollektorstrom @ T C =25o C @ T C =100o C

704

450

Ein

W CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

900

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T vj =175o C

2307

W

Diode

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

W F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

450

Ein

W FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

900

Ein

Modul

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

IGBT Eigenschaften T C =25o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

W C = 450 A, V GE =15V, T vj =25o C

1.70

2.15

V

W C = 450 A, V GE =15V, T vj =125o C

1.95

W C = 450 A, V GE =15V, T vj =150o C

2.00

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

W C =18.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

W CES

Sammler Geschnitten -Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

W GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

0.7

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

46.6

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

1.31

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

3.50

μC

t d (bei )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 450 A, R G =1.5Ω,V GE =±15V, L.S. =45nH ,T vj =25o C

284

nS

t r

Aufstiegszeit

78

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

388

nS

t f

Herbstzeit

200

nS

E bei

Einschalten Schaltvorgang Verlust

45.0

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

33.4

mJ

t d (bei )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 450 A, R G =1.5Ω,V GE =±15V, L.S. =45nH ,T vj =125o C

288

nS

t r

Aufstiegszeit

86

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

456

nS

t f

Herbstzeit

305

nS

E bei

Einschalten Schaltvorgang Verlust

60.1

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

48.4

mJ

t d (bei )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 450 A, R G =1.5Ω,V GE =±15V, L.S. =45nH ,T vj =150o C

291

nS

t r

Aufstiegszeit

88

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

472

nS

t f

Herbstzeit

381

nS

E bei

Einschalten Schaltvorgang Verlust

63.5

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

52.1

mJ

W SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

1800

Ein

Diode Eigenschaften T C =25o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

W F = 450 A, V GE =0V,T vj =25o C

1.90

2.35

V

W F = 450 A, V GE =0V,T vj =125o C

2.00

W F = 450 A, V GE =0V,T vj =150o C

2.05

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 450 A,

-di/dt=4500A/μs, V GE = 15 V, L.S. =45nH ,T vj =25o C

39.4

μC

W RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

296

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

11.8

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 450 A,

-di/dt=4100A/μs, V GE = 15 V, L.S. =45nH ,T vj =125o C

58.6

μC

W RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

309

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

17.7

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 450 A,

-di/dt=4000A/μs, V GE = 15 V, L.S. =45nH ,T vj =150o C

83.6

μC

W RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

330

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

20.3

mJ

Modul Eigenschaften T C =25o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.35

R thJC

Junction -zu -Fallstudie (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.065 0.119

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.031 0.057 0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

300

g

Gliederung

image(c3756b8d25).png

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