GD450HFX120C2SA, IGBT Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C =100 O C

704

450

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

900

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T Vj =175 O C

2307

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

1200

V

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

450

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

900

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

O C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C = 450 A, V GE =15V, t Vj =25 O C

1.70

2.15

V

I C = 450 A, V GE =15V, t Vj =125 O C

1.95

I C = 450 A, V GE =15V, t Vj =150 O C

2.00

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 18,0 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C

400

NA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

0.7

Ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

46.6

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

1.31

NF

Q g

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

3.50

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 450 A, R g =1.5Ω,V GE =±15V, L.S. =45 nH ,t Vj =25 O C

284

NS

t R

Aufstiegszeit

78

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

388

NS

t F

Herbstzeit

200

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

45.0

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

33.4

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 450 A, R g =1.5Ω,V GE =±15V, L.S. =45 nH ,t Vj =125 O C

288

NS

t R

Aufstiegszeit

86

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

456

NS

t F

Herbstzeit

305

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

60.1

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

48.4

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 450 A, R g =1.5Ω,V GE =±15V, L.S. =45 nH ,t Vj =150 O C

291

NS

t R

Aufstiegszeit

88

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

472

NS

t F

Herbstzeit

381

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

63.5

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

52.1

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

t Vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

1800

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F = 450 A, V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.90

2.35

V

I F = 450 A, V GE =0V,T Vj =125 O C

2.00

I F = 450 A, V GE =0V,T Vj =150 O C

2.05

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 450 A,

-di/dt=4500A/μs, V GE = 15 V, L.S. =45 nH ,t Vj =25 O C

39.4

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

296

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

11.8

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 450 A,

-di/dt=4100A/μs, V GE = 15 V, L.S. =45 nH ,t Vj =125 O C

58.6

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

309

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

17.7

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 450 A,

-di/dt=4000A/μs, V GE = 15 V, L.S. =45 nH ,t Vj =150 O C

83.6

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

330

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

20.3

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction -Um -Fall (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.065 0.119

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.031 0.057 0.010

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

Gewicht von Modul

300

g