GD100HHU120C6SD, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C@ T C=75o C

146

100

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

200

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T vj =150o C

771

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

100

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

200

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

150

o C

T vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +125

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC=100A,V GE =15V, T vj =25o C

3.00

3.45

V

IC=100A,V GE =15V, T vj =125o C

3.80

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=4.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

4.5

5.5

6.5

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

1.0

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

6.50

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

0.42

nF

F G

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

1.10

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=100A, R G=9.1Ω,V GE =±15V, L.S. =48nH ,T vj =25o C

38

nS

t r

Aufstiegszeit

50

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

330

nS

t f

Herbstzeit

27

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

8.92

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

2.06

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=100A, R G=9.1Ω,V GE =±15V, L.S. =48nH ,T vj =125o C

37

nS

t r

Aufstiegszeit

50

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

362

nS

t f

Herbstzeit

43

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

10.7

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

3.69

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤10μs, V GE =15V,

T vj =125o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

650

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF =100A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =100A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2245A/μs,V GE =-15V L.S. =48nH ,T vj =25o C

11.5

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

101

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

4.08

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2352A/μs,V GE =-15V L.S. =48nH ,T vj =125o C

19.0

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

120

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

7.47

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung aus R 100

T vj =100 o C, R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2– 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2– 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2– 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

21

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

2.60

mΩ

R thJC

Junction – nach – Fall (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode)

0.162 0.401

K/W

R thCH

Fall – nach – Waschbecken (proIGBT )

Gehäuse-Senk (pro Diode)

Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.051 0.125 0.009

K/W

M

Montagedrehmoment, Schraube M6

3.0

6.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

300

g