GD400HFY120C2S,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

630

400

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

800

A

P D

Maximalleistung Ablösung @ T =175 o C

2083

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

V

I K

Diode kontinuierlich vorwärts rent

400

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

800

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =400A,V GE =15V, T j =25 o C

1.70

2.15

V

I C =400A,V GE =15V, T j =125 o C

1.95

I C =400A,V GE =15V, T j =150 o C

2.00

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 10.0mA,V CE =V GE , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus

Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

1.9

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

41.4

nF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.16

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =15V

3.11

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 400A, R G =2.0Ω,

V GE =±15V, T j =25 o C

257

nS

t r

Aufstiegszeit

96

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

628

nS

t k

Herbstzeit

103

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

23.5

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

34.0

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 400A, R G =2.0Ω,

V GE =±15V, T j = 125o C

268

nS

t r

Aufstiegszeit

107

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

659

nS

t k

Herbstzeit

144

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

35.3

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

51.5

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 400A, R G =2.0Ω,

V GE =±15V, T j = 150o C

278

nS

t r

Aufstiegszeit

118

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

680

nS

t k

Herbstzeit

155

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

38.5

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

56.7

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

1600

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V K

Diodenvorwärts

Spannung

I K =400A,V GE =0V,T j =25 o C

1.65

2.10

V

I K =400A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

I K =400A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K = 400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

38.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

285

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

19.0

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K = 400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

66.5

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

380

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

36.6

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K = 400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

76.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

399

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

41.8

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand nce, Anschluss zum Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.072

0.095

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.035

0.046

0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Gewicht von Modul

300

g