GD2400SGT120C4S,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Die GD2400SGT120C4S

Einheiten

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 ℃

@ T C = 100℃

3800

2400

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1 ms

4800

A

I K

Diode kontinuierlich vorwärts rent

2400

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

4800

A

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =1 75℃

12.9

kW

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

℃

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

℃

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-40 bis +125

℃

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min

3400

V

Montage Drehmoment

Signalterminal-Schraube:M4

1.8 bis 2.1

Leistungsanschluss-Schraube:M8

8.0 bis 10

N.M

Montageschraube:M6

4.25 bis 5.75

Gewicht

Gewicht von Modul

2300

g

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V (BR )CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

T j =25 ℃

1200

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus

Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 ℃

400

nA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =96 mA ,V CE = V GE , T j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

V

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =2400A,V GE =15V, T j =25 ℃

1.70

2.15

V

I C =2400A,V GE =15V, T j =125 ℃

2.00

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =2400A, R Gon = 1.2Ω,

R Goff =0.3Ω,

V GE =±15V,T j =25 ℃

600

nS

t r

Aufstiegszeit

215

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

810

nS

t k

Herbstzeit

145

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

/

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

/

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =2400A, R Gon = 1.2Ω,

R Goff =0.3Ω,

V GE =±15V,T j = 125℃

695

nS

t r

Aufstiegszeit

235

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

970

nS

t k

Herbstzeit

182

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

488

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

382

mJ

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

173

nF

C - Die

Ausgangskapazität

9.05

nF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

7.85

nF

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15 V,

T j =125 °C, V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

9600

A

Q G

Gate-Ladung

V CC =600V,I C =2400A, V GE =-15 ﹍+15V

23.0

μC

R Gint

Interner Gate-Widerst and

0.42

ω

L CE

Streuinduktivität

10

nH

R CC’+EE’

Modul Blei

Widerstand,

Anschluss zu Chip

0.12

mΩ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V K

Diodenvorwärts

Spannung

I K =2400A

V GE =0V

T j =25 ℃

1.65

2.05

V

T j =125 ℃

1.65

Q r

Wiederhergestellt

Ladevorgang

I K =2400A,

V R =600V,

R Gon =0.3Ω,

V GE =-15V

T j =25 ℃

240

μC

T j =125 ℃

460

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

T j =25 ℃

1650

A

T j =125 ℃

2150

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

T j =25 ℃

/

mJ

T j =125 ℃

208

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

R θ JC

Junction-to-Case (pro IGB T)

11.6

K/kW

R θ JC

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

19.7

K/kW

R θ CS

Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung) (Lügen)

4

K/kW