GD2400SGT120C4S,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Die GD2400SGT120C4S

Einheiten

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25℃

@ T C= 100℃

3800

2400

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

4800

A

IF

Diode kontinuierlich vorwärts rent

2400

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

4800

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T j =175℃

12.9

kW

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

℃

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

℃

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-40 bis +125

℃

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 mINUTE

3400

V

Montage Drehmoment

Signalterminal-Schraube:M4

1.8 bis 2.1

Leistungsanschluss-Schraube:M8

8.0 bis 10

N.M

Montageschraube:M6

4.25 bis 5.75

Gewicht

GEWICHT VON Modul

2300

g

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V (BR )CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

T j =25℃

1200

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus

Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25℃

5.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25℃

400

nA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=96mA ,V CE =V GE , T j =25℃

5.0

5.8

6.5

V

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

IC=2400A,V GE =15V, T j =25℃

1.70

2.15

V

IC=2400A,V GE =15V, T j =125℃

2.00

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=2400A, R Gon = 1.2Ω,

R Goff =0.3Ω,

V GE =±15V,T j =25℃

600

nS

t r

Aufstiegszeit

215

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

810

nS

t f

Herbstzeit

145

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

/

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

/

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=2400A, R Gon = 1.2Ω,

R Goff =0.3Ω,

V GE =±15V,T j = 125℃

695

nS

t r

Aufstiegszeit

235

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

970

nS

t f

Herbstzeit

182

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

488

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

382

mJ

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

173

nF

C- Die

Ausgangskapazität

9.05

nF

Cres

Rückübertragungs-

Kapazität

7.85

nF

ISC

SC-Daten

t P≤ 10 μs, V GE =15 V,

T j =125℃,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

9600

A

F G

Gate-Ladung

V CC =600V,I C=2400A, V GE =-15 ﹍+15V

23.0

μC

R Gint

Interner Gate-Widerst and

0.42

ω

LCE

Streuinduktivität

10

nH

R CC’+EE’

Modul Blei

Widerstand,

Anschluss zu Chip

0.12

mΩ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts

Spannung

IF =2400A

V GE =0V

T j =25℃

1.65

2.05

V

T j =125℃

1.65

F r

Wiederhergestellt

Ladevorgang

IF =2400A,

V R =600V,

R Gon =0.3Ω,

V GE =-15V

T j =25℃

240

μC

T j =125℃

460

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

T j =25℃

1650

A

T j =125℃

2150

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

T j =25℃

/

mJ

T j =125℃

208

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

R θ JC

Junction-to-Case (pro IGB T)

11.6

K/kW

R θ JC

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

19.7

K/kW

R θ CS

Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung) (Lügen)

4

K/kW