1200 V 800 A
Kurze Vorstellung
IGBT-Modul ,von Stärken .1200V 800A.
Merkmale
Typische Anwendungen
Absolut Maximal Kennwerte T F =25o C es sei denn sonstige angegeben
IGBT
Symbol |
BESCHREIBUNG |
Wert |
Einheit |
V CES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
1200 |
V |
V GES |
Spannung des Tor-Emitters |
±20 |
V |
IC |
Kollektorstrom @ T C=100o C |
800 |
A |
ICm |
Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms |
1600 |
A |
PD |
Maximalleistung Ablösung @ T j =175o C |
5172 |
W |
Diode
Symbol |
BESCHREIBUNG |
Wert |
Einheit |
V RRM |
Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter |
1200 |
V |
IF |
Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent |
800 |
A |
IFM |
Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms |
1600 |
A |
Modul
Symbol |
BESCHREIBUNG |
Wert |
Einheit |
T jmax |
Maximale Junction-Temperatur |
175 |
o C |
T - Was ist los? |
Betriebstemperatur der Sperrschicht |
-40 bis +150 |
o C |
T Stg |
Lagerungstemperaturbereich |
-40 bis +125 |
o C |
V ISO |
Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute |
2500 |
V |
IGBT Eigenschaften T C=25o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
|
V CE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung |
IC=800A,V GE =15V, T j =25o C |
|
1.95 |
2.40 |
V |
IC=800A,V GE =15V, T j =125o C |
|
2.30 |
|
|||
IC=800A,V GE =15V, T j =150o C |
|
2.40 |
|
|||
V GE (th) |
Gate-Emitter-Schwelle Spannung |
IC=24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
ICES |
Sammler Geschnitten – Aus Aktuell |
V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
IGES |
Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Interner Gate-Widerstand |
|
|
0.7 |
|
ω |
Cies |
Eingangskapazität |
V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V |
|
62.1 |
|
nF |
Cres |
Rückübertragungs- Kapazität |
|
1.74 |
|
nF |
|
QG |
Gate-Ladung |
V GE =-15…+15V |
|
4.66 |
|
μC |
t d (ein ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =600V,I C=800A, R G=1.0Ω, V GE =±15V, LS =40nH ,T j =25o C |
|
266 |
|
nS |
t r |
Aufstiegszeit |
|
98 |
|
nS |
|
t d ((aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
394 |
|
nS |
|
t f |
Herbstzeit |
|
201 |
|
nS |
|
Eein |
Einschalten Schaltvorgang Verlust |
|
108 |
|
mJ |
|
Eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
73.8 |
|
mJ |
|
t d (ein ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =600V,I C=800A, R G=1.0Ω, V GE =±15V, LS =40nH ,T j =125o C |
|
280 |
|
nS |
t r |
Aufstiegszeit |
|
115 |
|
nS |
|
t d ((aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
435 |
|
nS |
|
t f |
Herbstzeit |
|
275 |
|
nS |
|
Eein |
Einschalten Schaltvorgang Verlust |
|
153 |
|
mJ |
|
Eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
91.3 |
|
mJ |
|
t d (ein ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =600V,I C=800A, R G=1.0Ω, V GE =±15V, LS =40nH ,T j =150o C |
|
282 |
|
nS |
t r |
Aufstiegszeit |
|
117 |
|
nS |
|
t d ((aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
446 |
|
nS |
|
t f |
Herbstzeit |
|
290 |
|
nS |
|
Eein |
Einschalten Schaltvorgang Verlust |
|
165 |
|
mJ |
|
Eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
94.4 |
|
mJ |
|
|
ISC |
SC-Daten |
t P≤10μs, V GE =15V, T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V |
|
2400 |
|
A |
Diode Eigenschaften T C=25o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
|
V F |
Diodenvorwärts Spannung |
IF =800A,V GE =0V,T j =25o C |
|
2.00 |
2.45 |
V |
IF =800A,V GE =0V,T j =125o C |
|
2.15 |
|
|||
IF =800A,V GE =0V,T j =150o C |
|
2.20 |
|
|||
Qr |
Wiederhergestellte Ladung |
V CC =600V,I F =800A, -di/dt=5800A/μs,V GE = 15 V, LS =40nH ,T j =25o C |
|
48.1 |
|
μC |
IRM |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
264 |
|
A |
|
Eerklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
18.0 |
|
mJ |
|
Qr |
Wiederhergestellte Ladung |
V CC =600V,I F =800A, -di/dt=4800A/μs,V GE = 15 V, LS =40nH ,T j =125o C |
|
95.3 |
|
μC |
IRM |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
291 |
|
A |
|
Eerklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
35.3 |
|
mJ |
|
Qr |
Wiederhergestellte Ladung |
V CC =600V,I F =800A, -di⁄dt=4550A⁄μs,V GE = 15 V, LS =40nH ,T j =150o C |
|
107 |
|
μC |
IRM |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
293 |
|
A |
|
Eerklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
38.5 |
|
mJ |
NTC Eigenschaften T C=25o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
R 25 |
Nennwiderstand |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Abweichung aus R 100 |
T C=100 o C,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Leistung Abgabe |
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B-Wert |
R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2– 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B-Wert |
R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2– 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B-Wert |
R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2– 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modul Eigenschaften T C=25o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
R thJC |
Junction – bis – Fall (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode) |
|
|
0.029 0.050 |
K/W |
|
R thCH |
Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul) |
|
0.028 0.049 0.009 |
|
K/W |
M |
Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
N.M |
G |
Gewicht aus Modul |
|
350 |
|
g |

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