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IGBT-Modul 1200V

IGBT-Modul 1200V

Startseite/Produkte/IGBT-Modul/IGBT-Modul 1200V

GD800HFX120C6HA,IGBT-Modul,STARPOWER

1200 V 800 A

Brand:
Stärken
Spu:
GD800HFX120C6HA
  • Einführung
  • Gliederung
Einführung

Kurze Vorstellung

IGBT-Modul ,von Stärken .1200V 800A.

Merkmale

  • Low VCE(sat) Graben-IGBT-Technologie
  • 10μs Kurzschlussfähigkeit
  • VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
  • Maximale Knotentemperatur 175
  • Niedrige Induktivitätsgehäuse
  • Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
  • Si3N4-Träger für niedrigen thermischen Widerstand
  • Isolierte Kupferbasisplatte mit Si3N4 AMB-Technologie

Typische Anwendungen

  • Hybrid- und Elektrofahrzeuge
  • Wechselrichter für Motorantrieb
  • Ununterbrochene Stromversorgung

Absolut Maximal Kennwerte T F =25o C es sei denn sonstige angegeben

IGBT

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=100o C

800

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

1600

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T j =175o C

5172

W

Diode

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

800

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

1600

A

Modul

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute

2500

V

IGBT Eigenschaften T C=25o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC=800A,V GE =15V, T j =25o C

1.95

2.40

V

IC=800A,V GE =15V, T j =125o C

2.30

IC=800A,V GE =15V, T j =150o C

2.40

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Sammler Geschnitten Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

0.7

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

62.1

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

1.74

nF

QG

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

4.66

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=800A, R G=1.0Ω, V GE =±15V, LS =40nH ,T j =25o C

266

nS

t r

Aufstiegszeit

98

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

394

nS

t f

Herbstzeit

201

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

108

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

73.8

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=800A, R G=1.0Ω, V GE =±15V, LS =40nH ,T j =125o C

280

nS

t r

Aufstiegszeit

115

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

435

nS

t f

Herbstzeit

275

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

153

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

91.3

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=800A, R G=1.0Ω, V GE =±15V, LS =40nH ,T j =150o C

282

nS

t r

Aufstiegszeit

117

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

446

nS

t f

Herbstzeit

290

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

165

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

94.4

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

2400

A

Diode Eigenschaften T C=25o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF =800A,V GE =0V,T j =25o C

2.00

2.45

V

IF =800A,V GE =0V,T j =125o C

2.15

IF =800A,V GE =0V,T j =150o C

2.20

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F =800A,

-di/dt=5800A/μs,V GE = 15 V, LS =40nH ,T j =25o C

48.1

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

264

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

18.0

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F =800A,

-di/dt=4800A/μs,V GE = 15 V, LS =40nH ,T j =125o C

95.3

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

291

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

35.3

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F =800A,

-di⁄dt=4550A⁄μs,V GE = 15 V, LS =40nH ,T j =150o C

107

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

293

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

38.5

mJ

NTC Eigenschaften T C=25o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

∆R/R

Abweichung aus R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2 1/(298.15K))]

3433

K

Modul Eigenschaften T C=25o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R thJC

Junction bis Fall (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode)

0.029 0.050

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.028 0.049 0.009

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

350

g

Gliederung

image(c537ef1333).png

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