GD800HFX120C6HA,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =100 o C

800

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

1600

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 o C

5172

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

800

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

1600

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =800A,V GE =15V, T j =25 o C

1.95

2.40

V

I C =800A,V GE =15V, T j =125 o C

2.30

I C =800A,V GE =15V, T j =150 o C

2.40

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =24.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

0.7

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

62.1

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

1.74

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

4.66

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =800A, R G =1.0Ω, V GE =±15V, L S =40 nH ,T j =25 o C

266

nS

t r

Aufstiegszeit

98

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

394

nS

t f

Herbstzeit

201

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

108

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

73.8

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =800A, R G =1.0Ω, V GE =±15V, L S =40 nH ,T j =125 o C

280

nS

t r

Aufstiegszeit

115

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

435

nS

t f

Herbstzeit

275

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

153

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

91.3

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =800A, R G =1.0Ω, V GE =±15V, L S =40 nH ,T j =150 o C

282

nS

t r

Aufstiegszeit

117

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

446

nS

t f

Herbstzeit

290

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

165

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

94.4

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

2400

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =800A,V GE =0V,T j =25 o C

2.00

2.45

V

I F =800A,V GE =0V,T j =1 25o C

2.15

I F =800A,V GE =0V,T j =1 50o C

2.20

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F =800A,

-di/dt=5800A/μs,V GE = 15 V, L S =40 nH ,T j =25 o C

48.1

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

264

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

18.0

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F =800A,

-di/dt=4800A/μs,V GE = 15 V, L S =40 nH ,T j =125 o C

95.3

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

291

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

35.3

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F =800A,

-di⁄dt=4550A⁄μs,V GE = 15 V, L S =40 nH ,T j =150 o C

107

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

293

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

38.5

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R thJC

Junction -um -Fall (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode)

0.029 0.050

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.028 0.049 0.009

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Gewicht von Modul

350

g