GD75HFX170C1S,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C @ T C =100 o C

136

75

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

150

Ein

P D

Maximum Leistung Abgabe @ T vj =175 o C

539

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1700

V

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

75

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

150

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C = 75A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.85

2.20

V

I C = 75A,V GE =15V, T vj =125 o C

2.25

I C = 75A,V GE =15V, T vj =150 o C

2.35

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =3.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

8.5

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

9.03

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.22

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

0.71

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C = 75A, R G =6,8Ω,V GE =±15V, L.S. =60 nH ,T vj =25 o C

237

nS

t r

Aufstiegszeit

59

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

314

nS

t f

Herbstzeit

361

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

25.0

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

9.5

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C = 75A, R G =6,8Ω,V GE =±15V, L.S. =60 nH ,T vj =125 o C

254

nS

t r

Aufstiegszeit

70

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

383

nS

t f

Herbstzeit

524

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

33.3

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

15.1

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C = 75A, R G =6,8Ω,V GE =±15V, L.S. =60 nH ,T vj =150 o C

257

nS

t r

Aufstiegszeit

75

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

396

nS

t f

Herbstzeit

588

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

36.9

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

16.6

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

T vj =150 o C ,V CC =1000V

V CEM ≤1700V

300

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F = 75A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.80

2.25

V

I F = 75A,V GE =0V,T vj =12 5o C

1.90

I F = 75A,V GE =0V,T vj =15 0o C

1.95

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F = 75A,

-di/dt=700A/μs,V GE =-15V L.S. =60 nH ,T vj =25 o C

16.4

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

58

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

7.2

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F = 75A,

-di/dt=600A/μs,V GE =-15V L.S. =60 nH ,T vj =125 o C

30.8

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

64

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

15.8

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F = 75A,

-di/dt=600A/μs,V GE =-15V L.S. =60 nH ,T vj =150 o C

31.4

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

64

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

18.2

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

30

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.65

mΩ

R thJC

Junction -um -Fall (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode)

0.278 0.467

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.160 0.268 0.050

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Gewicht von Modul

150

g