GD75HFX170C1S,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C @ T C=100o C

136

75

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

150

A

PD

Maximal Leistung Abgabe @ T vj =175o C

539

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1700

V

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

75

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

150

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC= 75A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC= 75A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

IC= 75A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=3.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Sammler Geschnitten -Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

8.5

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

9.03

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

0.22

nF

F G

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

0.71

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C= 75A, R G=6,8Ω,V GE =±15V, L.S. =60nH ,T vj =25o C

237

nS

t r

Aufstiegszeit

59

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

314

nS

t f

Herbstzeit

361

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

25.0

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

9.5

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C= 75A, R G=6,8Ω,V GE =±15V, L.S. =60nH ,T vj =125o C

254

nS

t r

Aufstiegszeit

70

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

383

nS

t f

Herbstzeit

524

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

33.3

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

15.1

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C= 75A, R G=6,8Ω,V GE =±15V, L.S. =60nH ,T vj =150o C

257

nS

t r

Aufstiegszeit

75

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

396

nS

t f

Herbstzeit

588

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

36.9

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

16.6

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤10μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =1000V

V CEM ≤1700V

300

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF = 75A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF = 75A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF = 75A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F = 75A,

-di/dt=700A/μs,V GE =-15V L.S. =60nH ,T vj =25o C

16.4

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

58

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

7.2

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F = 75A,

-di/dt=600A/μs,V GE =-15V L.S. =60nH ,T vj =125o C

30.8

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

64

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

15.8

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F = 75A,

-di/dt=600A/μs,V GE =-15V L.S. =60nH ,T vj =150o C

31.4

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

64

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

18.2

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

30

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.65

mΩ

R thJC

Junction -bis -Gehäuse (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode)

0.278 0.467

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.160 0.268 0.050

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

150

g