GD750HFA120C6S,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =100 o C

750

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

1500

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T vj =175 o C

3125

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

900

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

1500

Ein

I FSM

Überspannungs-Vorwärtsstrom t p =10ms @ T vj = 25o C @ T vj =150 o C

3104

2472

Ein

I 2t

I 2t- wert ,t p =10 ms @ T vj =25 o C @ T vj =150 o C

48174

30554

Ein 2s

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =750A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.35

1.85

V

I C =750A,V GE =15V, T vj =125 o C

1.55

I C =750A,V GE =15V, T vj =175 o C

1.55

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =24.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.5

6.3

7.0

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

0.5

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

85.2

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.45

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

6.15

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =750A,

R G =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S =40 nH ,T vj =25 o C

238

nS

t r

Aufstiegszeit

76

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

622

nS

t f

Herbstzeit

74

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

68.0

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

52.8

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =750A, R G =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S =40 nH ,T vj =125 o C

266

nS

t r

Aufstiegszeit

89

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

685

nS

t f

Herbstzeit

139

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

88.9

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

67.4

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =750A, R G =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S =40 nH ,T vj =175 o C

280

nS

t r

Aufstiegszeit

95

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

715

nS

t f

Herbstzeit

166

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

102

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

72.7

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤8μs, V GE =15V,

T vj =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

2500

Ein

t P ≤6μs, V GE =15V,

T vj =175 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

2400

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =750A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.60

2.05

V

I F =750A,V GE =0V,T vj =125 o C

1.65

I F =750A,V GE =0V,T vj =175 o C

1.65

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=6500A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,T vj =25 o C

79.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

369

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

23.3

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=5600A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,T vj =125 o C

120

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

400

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

39.5

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,T vj =175 o C

151

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

423

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

49.7

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.80

mΩ

R thJC

Junction -um -Fall (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.048 0.088

K/W

R thCH

Fall -um -Heizkessel (proIGBT )Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.028 0.051 0.009

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Gewicht von Modul

350

g