GD750HFA120C6S,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=100o C

750

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

1500

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T vj =175o C

3125

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

900

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

1500

A

IFSM

Überspannungs-Vorwärtsstrom t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

3104

2472

A

I2t

I2t- wert ,t p =10ms @ T vj =25o C@ T vj =150o C

48174

30554

A2s

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC=750A,V GE =15V, T vj =25o C

1.35

1.85

V

IC=750A,V GE =15V, T vj =125o C

1.55

IC=750A,V GE =15V, T vj =175o C

1.55

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ICES

Sammler Geschnitten -Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

0.5

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

85.2

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

0.45

nF

F G

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

6.15

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=750A,

R G=0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

LS =40nH ,T vj =25o C

238

nS

t r

Aufstiegszeit

76

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

622

nS

t f

Herbstzeit

74

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

68.0

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

52.8

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=750A, R G=0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

LS =40nH ,T vj =125o C

266

nS

t r

Aufstiegszeit

89

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

685

nS

t f

Herbstzeit

139

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

88.9

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

67.4

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=750A, R G=0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

LS =40nH ,T vj =175o C

280

nS

t r

Aufstiegszeit

95

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

715

nS

t f

Herbstzeit

166

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

102

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

72.7

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤8μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

2500

A

t P≤6μs, V GE =15V,

T vj =175o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

2400

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF =750A,V GE =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

IF =750A,V GE =0V,T vj =125o C

1.65

IF =750A,V GE =0V,T vj =175o C

1.65

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=6500A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T vj =25o C

79.7

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

369

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

23.3

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=5600A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T vj =125o C

120

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

400

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

39.5

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T vj =175o C

151

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

423

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

49.7

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung aus R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.80

mΩ

R thJC

Junction -bis -Gehäuse (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.048 0.088

K/W

R thCH

Gehäuse -bis -Heizkessel (proIGBT )Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.028 0.051 0.009

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

350

g