Produktbroschüre:HERUNTERLADEN
IT(AV) |
350A |
VDRM, VRRM |
7500V 8000V 8500V |
Funktionen
Typische Anwendungen
Symbol |
Eigenschaften |
Prüfbedingungen |
Tj( ℃ ) |
Wert |
Einheit |
||
Min |
TYP |
Max |
|||||
IT(AV) |
Mittlerer Einschaltstrom |
180° halbe Sinuswelle 50Hz Doppelseitig gekühlt TC=70 ℃ |
125 |
|
|
300 |
Ein |
VDRM VRRM |
Wiederholte Spitzen-Ausschaltspannung Wiederholte Spitzen-Rückwärts-Spannung |
tp=10ms |
125 |
7300 |
|
8500 |
V |
Ich bin hier |
Wiederholender Spitzenstrom |
@VDRM @VRRM |
125 |
|
|
200 |
mA |
ITSM |
Überschuss-Einschaltstrom |
10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM |
125 |
|
|
4.0 |
kA |
1 t |
I2t für Fusionskoordination |
|
|
80 |
Ein 2s* 10 3 |
||
VTO |
Schwellenspannung |
|
125 |
|
|
2.02 |
V |
rT |
Einschaltsteigungswiderstand |
|
|
2.19 |
mΩ |
||
VTM |
Spitzeneinschaltspannung |
ITM=500A, F= 15kN |
25 |
|
|
3.00 |
V |
dv/dt |
Kritische Steigrate der Ausschaltspannung |
VDM=0.67VDRM |
125 |
|
|
2000 |
V/μs |
di/dt |
Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms |
VDM= 67%VDRM, Gate-Puls tr ≤0.5μs IGM= 1.5A |
125 |
|
|
100 |
A/μs |
Qrr |
Einziehungsgebühr |
ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR= 100V |
125 |
|
1500 |
|
μC |
IGT |
Gate-Auslöseström |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
40 |
|
300 |
mA |
- Ich weiß. |
Gate-Auslösespannung |
0.8 |
|
3.0 |
V |
||
IH |
Haltestrom |
20 |
|
200 |
mA |
||
IL |
Haltestrom |
|
|
500 |
mA |
||
VGD |
Nicht-auslösende Gate-Spannung |
VDM=0.67VDRM |
125 |
|
|
0.3 |
V |
Rth(j-c) |
Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse |
Bei 1800 Sinus, doppelseitig gekühlt, Klemmkraft 15kN |
|
|
|
0.045 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper |
|
|
|
0.008 |
℃ /W |
|
FM |
Montagekraft |
|
|
10 |
15 |
20 |
kN |
Fernsehen |
Junction-Temperatur |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Tstg |
Lagertemperatur |
|
|
-40 |
|
140 |
℃ |
Wt |
Gewicht |
|
|
|
300 |
|
g |
Gliederung |
KT33dT |
Unser professionelles Verkaufsteam freut sich auf Ihre Beratung.
Sie können ihre Produktliste verfolgen und Fragen stellen, die Sie interessieren.