Kurze Einführung
Thyristor/Diodenmodul e, MTx1000 MFx1000 MT1000 ,1000A ,Wasserkühlung ,von TECHSEM produziert.
VRRM,VDRM |
Typ & Umriss |
600V
800V
1000V
1200V
1400V
1600V
1800V
1800V
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MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 |
MFx1000-06-411F3
MFx1000-08-411F3
MFx1000-10-411F3
MFx1000-12-411F3
MFx1000-14-411F3
MFx1000-16-411F3
MFx1000-18-411F3
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MTx steht für jede Art von MTC, MTA, MTK
MFx steht für jede Art von MFC, MFA, MFK
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Merkmale
- Isolierte Montagesockel 3000V~
- Druckkontakttechnologie mit
- Erhöhter Leistungszyklusfähigkeit
- Platz- und Gewichtseinsparung
Typische Anwendungen
- AC/DC-Motorantriebe
- Verschiedene Gleichrichter
- Gleichstromversorgung für PWM-Inverter
Symbol
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Eigenschaften
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Prüfbedingungen
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Tj( ℃ ) |
Wert |
Einheit
|
Min |
TYP |
Max |
IT(AV) |
Mittlerer Einschaltstrom |
180° halbe Sinuswelle 50Hz
Einseitig gekühlt, THS=55 ℃
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125
|
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1000 |
A |
IT(RMS) |
RMS Durchlassstrom |
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|
1570 |
A |
Ich bin hier |
Wiederholender Spitzenstrom |
bei VDRM bei VRRM |
125 |
|
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55 |
mA |
ITSM |
Überschuss-Einschaltstrom |
VR=60%VRRM, t=10ms Halbsinus |
125 |
|
|
26.0 |
kA |
1 t |
I2t für Fusionskoordination |
125 |
|
|
3380 |
103A 2s |
VTO |
Schwellenspannung |
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125
|
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|
0.81 |
V |
rT |
Einschaltsteigungswiderstand |
|
|
0.21 |
mΩ |
VTM |
Spitzeneinschaltspannung |
ITM=3000A |
25 |
|
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2.05 |
V |
dv/dt |
Kritische Steigrate der Ausschaltspannung |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms |
Gate-Source 1.5A
tr ≤ 0,5 μs Repetitive
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125 |
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|
200 |
A/μs |
IGT |
Gate-Auslöseström |
VA= 12V, IA= 1A
|
25
|
30 |
|
200 |
mA |
- Ich weiß. |
Gate-Auslösespannung |
0.8 |
|
3.0 |
V |
IH |
Haltestrom |
10 |
|
200 |
mA |
IL |
Haltestrom |
|
|
1000 |
mA |
VGD |
Nicht-auslösende Gate-Spannung |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.20 |
V |
Rth(j-c) |
Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse |
Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
|
0.048 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper |
Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
|
0.018 |
℃ /W |
VISO |
Isolationsspannung |
50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V |
FM
|
Drehmoment der Endverbindung ((M12) |
|
|
12 |
|
16 |
N·m |
Das Drehmoment für die Montage ((M8) |
|
|
10 |
|
12 |
N·m |
Fernsehen |
Junction-Temperatur |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Tstg |
Lagertemperatur |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Gewicht |
|
|
|
3230 |
|
g |
Gliederung |
411F3 |