GD600SGU120C2S,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C

@ T C=70o C

830

600

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

1200

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T j =150o C

4032

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

V

IF

Diode kontinuierlich vorwärts rent

600

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

1200

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

150

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +125

o C

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 mIN

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

IC= 600 A, V GE =15V, T j =25o C

2.90

3.35

V

IC= 600 A, V GE =15V, T j =125o C

3.60

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=6.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.0

5.8

6.6

V

ICES

Sammler Geschnitten -Aus

Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

0.25

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

39.0

nF

Cres

Rückübertragungs-

Kapazität

2.55

nF

F G

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

6.30

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 600A, R G= 1. 1Ω,

V GE =±15V, T j =25o C

205

nS

t r

Aufstiegszeit

50

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

265

nS

t f

Herbstzeit

140

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

50.4

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

20.0

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 600A, R G= 1. 1Ω,

V GE =±15V, T j = 125o C

210

nS

t r

Aufstiegszeit

55

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

275

nS

t f

Herbstzeit

175

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

66.0

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

28.9

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =125o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

3900

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts

Spannung

IF = 600 A, V GE =0V,T j =25o C

2.25

2.70

V

IF = 600 A, V GE =0V,T j = 125o C

2.35

F r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt= 12kA/μs,V GE =±15V, T j =25o C

42.0

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

492

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

16.6

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt= 12kA/μs,V GE =±15V, T j = 125o C

80.4

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

672

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

37.9

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.18

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.031

0.070

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.051

0.114

0.035

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M4 Terminalverbindung Drehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

300

g