Kurze Einführung
IGBT-Modul , hergestellt von STARPOWER. 1200V 300A.
Merkmale
- NPT-IGBT-Technologie
- 10μs Kurzschlussfähigkeit
- Niedrige Schaltverluste
- Robust mit ultraschnellen Leistungen
- VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
- Niedrige Induktivitätsgehäuse
- Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
- Isolierte Kupferbasisplatte mit DBC-Technologie
Typisch Anwendungen
- Schaltmodus-Netzteile
- Induktionsheizung
- Elektrischer Schweißer
Absolut Maximum Kennwerte T C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Beschreibung |
GD300SGU120C2S |
Einheiten |
VCES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
1200 |
V |
VGES |
Spannung des Tor-Emitters |
±20 |
V |
IC |
Kollektorstrom @ TC=25℃
@ TC=80℃
|
440
300
|
A |
ICM |
Pulsierter Kollektorstrom tp=1ms |
600 |
A |
IF |
Diode Dauerstrom @ TC=80℃ |
300 |
A |
IFM |
Diodenmaximaler Vorwärtsstrom tp=1ms |
600 |
A |
PD |
Maximale Leistungsabgabe @ Tj=150℃ |
2272 |
W |
Tjmax |
Maximale Junction-Temperatur |
150 |
℃ |
Tstg |
Lagerungstemperaturbereich |
-40 bis +125 |
℃ |
VISO |
Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min |
4000 |
V |
Montage-Torque |
Signalterminal-Schraube:M4 |
1.1 bis 2.0 |
|
Schraube für die Antriebsspitze:M6 |
2,5 bis 5,0 |
N.M |
Montageschraube:M6 |
3,0 bis 5,0 |
|
Elektrische Eigenschaften von IGBT T C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben
Ausschaltmerkmale
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheiten |
V(BR)CES |
Kollektor-Emitter
Durchschlagsspannung
|
Tj=25℃ |
1200 |
|
|
V |
ICES |
Abschnittswert für den Sammler
Aktuell
|
VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25℃ |
|
|
5.0 |
mA |
IGES |
Gate-Emitter Leckstrom |
VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃ |
|
|
400 |
nA |
Einschaltmerkmale
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheiten |
VGE(th) |
Gate-Emitter Schwellenwertspannung |
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. |
4.4 |
5.2 |
6.0 |
V |
|
VCE (Sat)
|
Kollektor zu Emitter
Sättigungsspannung
|
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. |
|
3.10 |
3.55 |
V
|
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. |
|
3.45 |
|
Schaltmerkmale
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheiten |
t d (auf ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =600V,I C =300A, R G =3.3Ω,
V GE =±15V, T j =25 ℃
|
|
662 |
|
nS |
t r |
Aufstiegszeit |
|
142 |
|
nS |
t d (aus ) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
633 |
|
nS |
t k |
Herbstzeit |
|
117 |
|
nS |
E auf |
Einschalten Schaltvorgang Verlust |
|
19.7 |
|
mJ |
E aus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
22.4 |
|
mJ |
t d (auf ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =600V,I C =300A, R G =3.3Ω,
V GE =±15V, T j =125 ℃
|
|
660 |
|
nS |
t r |
Aufstiegszeit |
|
143 |
|
nS |
t d (aus ) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
665 |
|
nS |
t k |
Herbstzeit |
|
137 |
|
nS |
E auf |
Einschalten Schaltvorgang Verlust |
|
24.9 |
|
mJ |
E aus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
28.4 |
|
mJ |
C ies |
Eingangskapazität |
V CE =30V, f=1MHz,
V GE =0V
|
|
25.3 |
|
nF |
C - Die |
Ausgangskapazität |
|
2.25 |
|
nF |
C res |
Rückübertragungs-
Kapazität
|
|
0.91 |
|
nF |
|
I SC
|
SC-Daten
|
t P ≤ 10 μs, V GE =15 V,
T j =125 °C, V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V
|
|
2550
|
|
A
|
L CE |
Streuinduktivität |
|
|
|
20 |
nH |
|
R CC’+EE’
|
Modul Blei
Widerstand,
Anschluss zu Chip
|
|
|
0.18
|
|
mΩ
|
Elektrische Eigenschaften von Diode T C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheiten |
V K |
Diodenvorwärts
Spannung
|
I K = 300A |
T j =25 ℃ |
|
1.82 |
2.25 |
V |
T j =125 ℃ |
|
1.95 |
|
Q r |
Wiederhergestellt
Ladevorgang
|
I K =300A,
V R =600V,
R G =3.3Ω,
V GE =-15V
|
T j =25 ℃ |
|
29.5 |
|
μC |
T j =125 ℃ |
|
42.3 |
|
I RM |
Spitzenrückwärts
Rückgewinnungsstrom
|
T j =25 ℃ |
|
210 |
|
A |
T j =125 ℃ |
|
272 |
|
E erklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
T j =25 ℃ |
|
16.4 |
|
mJ |
T j =125 ℃ |
|
22.7 |
|
Thermische Eigenschaften ics
Symbol |
Parameter |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheiten |
R θ JC |
Junction-to-Case (pro IGB T) |
|
0.055 |
K/W |
R θ JC |
Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel |
|
0.092 |
K/W |
R θ CS |
Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung) (Lügen) |
0.035 |
|
K/W |
Gewicht |
Gewicht Modul |
300 |
|
g |
EN
