GD600HFX170C6S,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Sammler Aktuell @ T C=25o C

@ T C= 100o C

1069

600

A

ICm

Pulsierend Sammler Aktuell t p =1ms

1200

A

PD

Maximal Leistung Abgabe @ T j =175o C

4166

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1700

V

IF

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

600

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

1200

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Höchsttemperatur der Kreuzung natur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolation Spannung RMS , f=50 HZ , t=1 mIN

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE (sitz )

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

IC= 600A, V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC= 600A, V GE =15V, T j =125o C

2.25

IC= 600A, V GE =15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC= 12.0mA ,V CE =V GE ,T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Abschnittswert für den Sammler

Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V,

T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

1.1

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V, f=1 MHz ,

V GE =0V

72.3

nF

Cres

Rückübertragungs-

Kapazität

1.75

nF

F G

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

5.66

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V, IC= 600A, R G= 1.0Ω, V GE =±15V, T j =25o C

160

nS

t r

Aufstiegszeit

67

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

527

nS

t f

Herbstzeit

138

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

154

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

132

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V, IC= 600A, R G= 1.0Ω, V GE =±15V, T j = 125o C

168

nS

t r

Aufstiegszeit

80

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

585

nS

t f

Herbstzeit

168

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

236

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

189

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V, IC= 600A, R G= 1.0Ω, V GE =±15V, T j = 150o C

192

nS

t r

Aufstiegszeit

80

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

624

nS

t f

Herbstzeit

198

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

259

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

195

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

2400

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts

Spannung

IF = 600A, V GE =0V, T j =25o C

1.80

2.25

V

IF = 600A, V GE =0V, T j = 125o C

1.90

IF = 600A, V GE =0V, T j = 150o C

1.95

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V, IF = 600A,

-di /dt =6700A/μs, V GE =- 15V T j =25o C

153

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

592

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

76.5

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V, IF = 600A,

-di /dt =6700A/μs, V GE =- 15V T j =125o C

275

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

673

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

150

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V, IF = 600A,

-di /dt =6700A/μs, V GE =- 15V T j =150o C

299

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

690

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

173

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

δR/R

Abweichung aus R 100

T C= 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

- Ich weiß. wert

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

- Ich weiß. wert

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

- Ich weiß. wert

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

20

nH

R CC ’+EE ’

Modulleiterwiderstand, Endpunkt an Chip

1.10

mΩ

R thJC

Junction -bis -Gehäuse (pro IGBT )

Junction -bis -Gehäuse (pro Diode )

0.036

0.073

K/W

R thCH

Gehäuse -bis -Heizkessel (pro IGBT )

Gehäuse -bis -Heizkessel (pro Diode )

Hülle-Heatsink (pro Modul)

0.027

0.055

0.009

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montage Drehmoment , Schraube M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

GEWICHT VON Modul

350

g