Kurze Einführung
IGBT-Modul , hergestellt von STARPOWER. 1700V 600A.
Merkmale
- Niedriges VCE(sat) Trench IGBT-Technologie
- 10μs Kurzschlussfähigkeit
- VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
- Höchsttemperatur der Verbindung 175oC
- Niedrige Induktivitätsgehäuse
- Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
- Isolierte Kupferbasisplatte mit DBC-Technologie
Typisch Anwendungsbereiche
- Wechselrichter für Motorantrieb
- Mit einer Leistung von mehr als 50 W
- Ununterbrochene Stromversorgung
Absolut Maximum Kennwerte T C =25o C es sei denn sonstige angegeben
IGBT
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
V CES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
1700 |
V |
V GES |
Spannung des Tor-Emitters |
±20 |
V |
I C |
Sammler Aktuell @ T C =25o C
@ T C = 100o C
|
1069
600
|
A |
I CM |
Pulsierend Sammler Aktuell t p =1ms |
1200 |
A |
P D |
Maximum Leistung Abgabe @ T j =175o C |
4166 |
W |
Diode
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
V RRM |
Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung |
1700 |
V |
I K |
Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom |
600 |
A |
I FM |
Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms |
1200 |
A |
Modul
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
T jmax |
Höchsttemperatur der Kreuzung natur |
175 |
o C |
T - Was ist los? |
Betriebstemperatur der Sperrschicht |
-40 bis zu +150 |
o C |
T Stg |
Lagerungstemperaturbereich |
-40 bis zu +125 |
o C |
V ISO |
Isolation Spannung RMS , f=50 HZ , t=1 min |
4000 |
V |
IGBT Eigenschaften T C =25o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
|
V CE (sitz )
|
Kollektor zu Emitter
Sättigungsspannung
|
I C = 600A, V GE =15V, T j =25o C |
|
1.85 |
2.20 |
V
|
I C = 600A, V GE =15V, T j =125o C |
|
2.25 |
|
I C = 600A, V GE =15V, T j =150o C |
|
2.35 |
|
V GE (th) |
Gate-Emitter-Schwelle Spannung |
I C = 12.0mA ,V CE =V GE ,T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
I CES |
Abschnittswert für den Sammler
Aktuell
|
V CE =V CES ,V GE =0V,
T j =25o C
|
|
|
5.0 |
mA |
I GES |
Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell |
V GE =V GES ,V CE =0V,
T j =25o C
|
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Interner Gate-Widerstand |
|
|
1.1 |
|
ω |
C ies |
Eingangskapazität |
V CE =25V, f=1 MHz ,
V GE =0V
|
|
72.3 |
|
nF |
C res |
Rückübertragungs-
Kapazität
|
|
1.75 |
|
nF |
Q G |
Gate-Ladung |
V GE =- 15…+15V |
|
5.66 |
|
μC |
t d (auf ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =900V, I C = 600A, R G = 1.0Ω, V GE =±15V, T j =25o C
|
|
160 |
|
nS |
t r |
Aufstiegszeit |
|
67 |
|
nS |
t d (aus ) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
527 |
|
nS |
t k |
Herbstzeit |
|
138 |
|
nS |
E auf |
Einschalten Schaltvorgang
Verlust
|
|
154 |
|
mJ |
E aus |
Ausschaltsteuerung
Verlust
|
|
132 |
|
mJ |
t d (auf ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =900V, I C = 600A, R G = 1.0Ω, V GE =±15V, T j = 125o C
|
|
168 |
|
nS |
t r |
Aufstiegszeit |
|
80 |
|
nS |
t d (aus ) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
585 |
|
nS |
t k |
Herbstzeit |
|
168 |
|
nS |
E auf |
Einschalten Schaltvorgang
Verlust
|
|
236 |
|
mJ |
E aus |
Ausschaltsteuerung
Verlust
|
|
189 |
|
mJ |
t d (auf ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =900V, I C = 600A, R G = 1.0Ω, V GE =±15V, T j = 150o C
|
|
192 |
|
nS |
t r |
Aufstiegszeit |
|
80 |
|
nS |
t d (aus ) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
624 |
|
nS |
t k |
Herbstzeit |
|
198 |
|
nS |
E auf |
Einschalten Schaltvorgang
Verlust
|
|
259 |
|
mJ |
E aus |
Ausschaltsteuerung
Verlust
|
|
195 |
|
mJ |
|
I SC
|
SC-Daten
|
t P ≤10μs, V GE =15V,
T j =150o C ,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V
|
|
2400
|
|
A
|
Diode Eigenschaften T C =25o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheiten |
|
V K
|
Diodenvorwärts
Spannung
|
I K = 600A, V GE =0V, T j =25o C |
|
1.80 |
2.25 |
V
|
I K = 600A, V GE =0V, T j = 125o C |
|
1.90 |
|
I K = 600A, V GE =0V, T j = 150o C |
|
1.95 |
|
Q r |
Wiederhergestellte Ladung |
V R =900V, I K = 600A,
-di /dt =6700A/μs, V GE =- 15V T j =25o C
|
|
153 |
|
μC |
I RM |
Spitzenrückwärts
Rückgewinnungsstrom
|
|
592 |
|
A |
E erklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
76.5 |
|
mJ |
Q r |
Wiederhergestellte Ladung |
V R =900V, I K = 600A,
-di /dt =6700A/μs, V GE =- 15V T j =125o C
|
|
275 |
|
μC |
I RM |
Spitzenrückwärts
Rückgewinnungsstrom
|
|
673 |
|
A |
E erklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
150 |
|
mJ |
Q r |
Wiederhergestellte Ladung |
V R =900V, I K = 600A,
-di /dt =6700A/μs, V GE =- 15V T j =150o C
|
|
299 |
|
μC |
I RM |
Spitzenrückwärts
Rückgewinnungsstrom
|
|
690 |
|
A |
E erklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
173 |
|
mJ |
NTC Eigenschaften T C =25o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
R 25 |
Nennwiderstand |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Abweichung von R 100 |
T C = 100 o C ,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Leistung
Abgabe
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
- Ich weiß. wert |
R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
- Ich weiß. wert |
R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
- Ich weiß. wert |
R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3433 |
|
K |
Modul Eigenschaften T C =25o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
L CE |
Streuinduktivität |
|
20 |
|
nH |
R CC ’+EE ’ |
Modulleiterwiderstand, Endpunkt an Chip |
|
1.10 |
|
mΩ |
R thJC |
Junction -bis zu -Fallstudie (pro IGBT )
Junction -bis zu -Fallstudie (pro Diode )
|
|
|
0.036
0.073
|
K/W |
|
R thCH
|
Fallstudie -bis zu -Heizkessel (pro IGBT )
Fallstudie -bis zu -Heizkessel (pro Diode )
Hülle-Heatsink (pro Modul)
|
|
0.027
0.055
0.009
|
|
K/W
|
M |
Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montage Drehmoment , Schraube M 5 |
3.0
3.0
|
|
6.0
6.0
|
N.M |
G |
Gewicht von Modul |
|
350 |
|
g |
EN
