GD450HFX120N6HY, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I CN

Implementierter Sammler Cu rrent

450

Ein

I C

Kollektorstrom @ T F =100 o C

300

Ein

I CRM

Repetitive Höhepunkt Sammler Aktuell tp begrenzt von T vjop

900

Ein

P D

Maximale Leistungsauslagerung ation @ T F =65 o C T vj =175 o C

1208

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholungspegel umgekehrter Spannung gE

1200

V

I FN

Implementierter Sammler Cu rrent

450

Ein

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

300

Ein

I FRM

Repetitive Höhepunkt Vorwärts Aktuell tp begrenzt von T vjop

900

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

d Kriechen

Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal

7.3 7.3

mm

d Klar

Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal

7.3 4.0

mm

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =300A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.25

1.70

V

I C =300A,V GE =15V, T vj =150 o C

1.35

I C =300A,V GE =15V, T vj =175 o C

1.40

I C = 450 A, V GE =15V, T vj =25 o C

1.40

I C = 450 A, V GE =15V, T vj =150 o C

1.65

I C = 450 A, V GE =15V, T vj =175 o C

1.70

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 15,6 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.8

6.4

7.0

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

1.67

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

81.2

nF

C - Die

Ausgangskapazität

1.56

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.53

nF

Q G

Gate-Ladung

V CE =600V,I C =450A, V GE =-8...+15V

5.31

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 450 A, R G = 1,5Ω, L S =20 nH ,V GE =-8V/+15V,

T vj =25 o C

361

nS

t r

Aufstiegszeit

63

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

729

nS

t f

Herbstzeit

150

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

57.8

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

34.7

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 450 A, R G = 1,5Ω, L S =20 nH ,V GE =-8V/+15V,

T vj =150 o C

406

nS

t r

Aufstiegszeit

81

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

825

nS

t f

Herbstzeit

235

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

80.6

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

45.9

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 450 A, R G = 1,5Ω, L S =20 nH ,V GE =-8V/+15V,

T vj =175 o C

420

nS

t r

Aufstiegszeit

84

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

844

nS

t f

Herbstzeit

241

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

88.9

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

47.5

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤6μs, V G

E =15V,

1800

Ein

T vj =175 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =300A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.60

V

I F =300A,V GE =0V,T vj =150 o C

1.50

I F =300A,V GE =0V,T vj =175 o C

1.45

I F = 450 A, V GE =0V,T vj =2 5o C

1.80

I F = 450 A, V GE =0V,T vj =150 o C

1.75

I F = 450 A, V GE =0V,T vj =175 o C

1.70

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 450 A,

-di/dt=7460A/μs,V GE =-8V, L S =20 nH ,T vj =25 o C

19.3

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

294

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

8.32

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 450 A,

-di/dt=5610A/μs,V GE =-8V, L S =20 nH ,T vj =150 o C

49.9

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

308

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

14.1

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 450 A,

-di/dt=5250A/μs,V GE =-8V, L S =20 nH ,T vj =175 o C

56.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

311

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

15.6

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R

Nenn Widerstand

T C =0 o C

T C =150 o C

1000

1573

ω ω

T Cr

Temperaturkoeffizient nt

0.38

%/K

T Sch

Selbst Heizung

T C =0 o C

I m =0,1...0,3mA

0.4

K/mW

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

5

nH

p

Maximaler Kühldruck schönheit

2.5

stange

R die

Junction -um -Kühlung Flüssigkeit (proIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D (in der Regel △ V/ △ t=2,67 L/ min ,T F =65 o C

0.083 0.105

0.095 0.121

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.6 5.4

4.4 6.6

N.M

G

Gewicht von Modul

220

g