1200V400A Verpackung:P4
Kurze Vorstellung
IGBT-Modul ,von Stärken .1200V 400A.
Merkmale
Typische Anwendungen
Absolut Maximal Kennwerte T F =25o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
BESCHREIBUNG |
Wert |
Einheit |
V CES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
1200 |
V |
V GES |
Spannung des Tor-Emitters |
±20 |
V |
ICN |
Implementierter Sammler Cu rrent |
400 |
A |
IC |
Kollektorstrom @ T F =25o C @ T F =75o C |
400 300 |
A |
ICm |
Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms |
800 |
A |
PD |
Maximalleistung Ablösung @ T j =175o C |
1500 |
W |
IGBT
Diode
Symbol |
BESCHREIBUNG |
Wert |
Einheit |
V RRM |
Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter |
1200 |
V |
IFN |
Implementierter Vorwärtskupfer rrent |
400 |
A |
IF |
Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent |
300 |
A |
IFM |
Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms |
800 |
A |
Modul
Symbol |
BESCHREIBUNG |
Wert |
Einheit |
T jmax |
Maximale Junction-Temperatur |
175 |
o C |
T - Was ist los? |
Betriebstemperatur der Sperrschicht |
-40 bis +150 |
o C |
T Stg |
Lagerungstemperaturbereich |
-40 bis +125 |
o C |
V ISO |
Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min |
2500 |
V |
IGBT Eigenschaften T F =25o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
|
V CE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung |
IC=300A,V GE =15V, T j =25o C |
|
1.50 |
1.95 |
V |
IC=300A,V GE =15V, T j =125o C |
|
1.60 |
|
|||
IC=300A,V GE =15V, T j =150o C |
|
1.65 |
|
|||
V GE (th) |
Gate-Emitter-Schwelle Spannung |
IC=16.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C |
5.3 |
5.8 |
6.3 |
V |
ICES |
Sammler Geschnitten – Aus Aktuell |
V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
IGES |
Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Interner Gate-Widerstand |
|
|
0.5 |
|
ω |
Cies |
Eingangskapazität |
V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V |
|
41.4 |
|
nF |
Cres |
Rückübertragungs- Kapazität |
|
1.16 |
|
nF |
|
QG |
Gate-Ladung |
V GE =15V |
|
3.11 |
|
μC |
t d (ein ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =500V,I C=300A, R G=1.5Ω,V GE =±15V, L.S. =25nH ,T j =25o C |
|
223 |
|
nS |
t r |
Aufstiegszeit |
|
32 |
|
nS |
|
t d ((aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
354 |
|
nS |
|
t f |
Herbstzeit |
|
228 |
|
nS |
|
Eein |
Einschalten Schaltvorgang Verlust |
|
6.24 |
|
mJ |
|
Eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
20.1 |
|
mJ |
|
t d (ein ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =500V,I C=300A, R G=1.5Ω,V GE =±15V, Ls=25nH,T j =125o C |
|
229 |
|
nS |
t r |
Aufstiegszeit |
|
36 |
|
nS |
|
t d ((aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
411 |
|
nS |
|
t f |
Herbstzeit |
|
344 |
|
nS |
|
Eein |
Einschalten Schaltvorgang Verlust |
|
11.0 |
|
mJ |
|
Eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
28.6 |
|
mJ |
|
t d (ein ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =500V,I C=300A, R G=1.5Ω,V GE =±15V, Ls=25nH,T j =150o C |
|
231 |
|
nS |
t r |
Aufstiegszeit |
|
38 |
|
nS |
|
t d ((aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
421 |
|
nS |
|
t f |
Herbstzeit |
|
352 |
|
nS |
|
Eein |
Einschalten Schaltvorgang Verlust |
|
12.2 |
|
mJ |
|
Eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
29.7 |
|
mJ |
|
|
ISC |
SC-Daten |
t P≤10μs, V GE =15V, T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V |
|
1600 |
|
A |
Diode Eigenschaften T F =25o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
|
V F |
Diodenvorwärts Spannung |
IF =300A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.35 |
1.80 |
V |
IF =300A,V GE =0V,T j =125o C |
|
1.35 |
|
|||
IF =300A,V GE =0V,T j =150o C |
|
1.35 |
|
|||
Qr |
Wiederhergestellte Ladung |
V R =500V,I F =300A, -di/dt=9700A/μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =25o C |
|
32.7 |
|
μC |
IRM |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
478 |
|
A |
|
Eerklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
22.1 |
|
mJ |
|
Qr |
Wiederhergestellte Ladung |
V R =500V,I F =300A, -di/dt=8510A/μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =125o C |
|
45.9 |
|
μC |
IRM |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
522 |
|
A |
|
Eerklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
32.7 |
|
mJ |
|
Qr |
Wiederhergestellte Ladung |
V R =500V,I F =300A, -di/dt=8250A/μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =150o C |
|
51.5 |
|
μC |
IRM |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
537 |
|
A |
|
Eerklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
37.4 |
|
mJ |
NTC Eigenschaften T F =25o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
R 25 |
Nennwiderstand |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Abweichung aus R 100 |
T C=100 o C,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Leistung Abgabe |
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B-Wert |
R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2– 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B-Wert |
R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2– 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B-Wert |
R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2– 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modul Eigenschaften T F =25o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
△p |
Druckabfall Kühlung Cir schönheit △V/ △t=10,0 dm 3/mINUTE ;T F =25o C;Kühlung Flüssigkeit=50% Wasser/50% Ethylenglykol |
|
100 |
|
mbar |
p |
Maximaler Kühldruck schönheit |
|
|
2.5 |
stab |
LCE |
Streuinduktivität |
|
14 |
|
nH |
R CC’+EE’ |
Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip |
|
0.80 |
|
mΩ |
R die |
Junction – bis – Kühlung Wasser (proIGBT ) Verbindungsflüssigkeit zur Kühlung (pro Di) ode) |
|
|
0.100 0.125 |
K/W |
M |
Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 6.0 |
N.M |
G |
Gewicht aus Modul |
|
1340 |
|
g |


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