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IGBT-Modul 1200V

IGBT-Modul 1200V

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GD400HTX120P4SD,IGBT-Modul,STARPOWER

1200V400A Verpackung:P4

Brand:
Stärken
Spu:
GD400HTX120P4SD
  • Einführung
  • Gliederung
  • Äquivalentschaltbild
Einführung

Kurze Vorstellung

IGBT-Modul ,von Stärken .1200V 400A.

Merkmale

  • Niedriges VCE(sat) Trench IGBT-Technologie
  • Niedrige Schaltverluste
  • 10μs Kurzschlussfähigkeit
  • VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
  • Höchsttemperatur der Verbindung 175oC
  • Niedrige Induktivitätsgehäuse
  • Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
  • Isolierte Kupferpinfin-Blechplatte mit DBC-Technologie

Typische Anwendungen

  • Hybrid- und Elektrofahrzeuge
  • Wechselrichter für Motorantrieb
  • Ununterbrochene Stromversorgung

Absolut Maximal Kennwerte T F =25o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

ICN

Implementierter Sammler Cu rrent

400

A

IC

Kollektorstrom @ T F =25o C @ T F =75o C

400

300

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

800

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T j =175o C

1500

W

IGBT

Diode

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

IFN

Implementierter Vorwärtskupfer rrent

400

A

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

300

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

800

A

Modul

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

IGBT Eigenschaften T F =25o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC=300A,V GE =15V, T j =25o C

1.50

1.95

V

IC=300A,V GE =15V, T j =125o C

1.60

IC=300A,V GE =15V, T j =150o C

1.65

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=16.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.3

5.8

6.3

V

ICES

Sammler Geschnitten Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

0.5

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

41.4

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

1.16

nF

QG

Gate-Ladung

V GE =15V

3.11

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =500V,I C=300A, R G=1.5Ω,V GE =±15V, L.S. =25nH ,T j =25o C

223

nS

t r

Aufstiegszeit

32

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

354

nS

t f

Herbstzeit

228

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

6.24

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

20.1

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =500V,I C=300A, R G=1.5Ω,V GE =±15V, Ls=25nH,T j =125o C

229

nS

t r

Aufstiegszeit

36

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

411

nS

t f

Herbstzeit

344

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

11.0

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

28.6

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =500V,I C=300A, R G=1.5Ω,V GE =±15V, Ls=25nH,T j =150o C

231

nS

t r

Aufstiegszeit

38

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

421

nS

t f

Herbstzeit

352

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

12.2

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

29.7

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

1600

A

Diode Eigenschaften T F =25o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF =300A,V GE =0V,T j =25o C

1.35

1.80

V

IF =300A,V GE =0V,T j =125o C

1.35

IF =300A,V GE =0V,T j =150o C

1.35

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=9700A/μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =25o C

32.7

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

478

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

22.1

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=8510A/μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =125o C

45.9

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

522

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

32.7

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=8250A/μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =150o C

51.5

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

537

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

37.4

mJ

NTC Eigenschaften T F =25o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

∆R/R

Abweichung aus R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2 1/(298.15K))]

3433

K

Modul Eigenschaften T F =25o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

p

Druckabfall Kühlung Cir schönheit

V/ t=10,0 dm 3/mINUTE ;T F =25o C;Kühlung Flüssigkeit=50% Wasser/50% Ethylenglykol

100

mbar

p

Maximaler Kühldruck schönheit

2.5

stab

LCE

Streuinduktivität

14

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.80

R die

Junction bis Kühlung Wasser (proIGBT ) Verbindungsflüssigkeit zur Kühlung (pro Di) ode)

0.100 0.125

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5 3.0

5.0 6.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

1340

g

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