IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

GD400HFL120C2S

Einheiten

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Sammler-Strom @tc=25°C

@ Tc=80°C

730

400

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp= 1m

800

a)

Ichf

Diode kontinuierlich vorwärtsrent

400

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

800

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ Tj= 175°C

2778

w

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

°C

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

°C

tstg

Lagertemperaturbereich

-40 bis +125

°C

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min

4000

v

Montage Drehmoment

Schraube für die Antriebsspitze:M6

Montageschraube:M6

2,5 bis 5.0

3,0 bis 5.0

n.m.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

v(Br)CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

1200

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,tj=25°C

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V, tj=25°C

400

- Nein.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc= 16,0 mA, Vc=VGE- Ich weiß.tj=25°C

5.0

6.2

7.0

v

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=400A,VGE=15V, tj=25°C

1.90

2.35

v

Ichc=400A,VGE=15V, tj=125°C

2.10

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG= 4. 1Ω,

vGE=±15V,tj=25°C

910

NS

tR

Aufstiegszeit

200

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

848

NS

tf

Herbstzeit

110

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

33.5

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

39.5

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG= 4. 1Ω,

vGE=±15V,tj=125°C

1047

NS

tR

Aufstiegszeit

201

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

998

NS

tf

Herbstzeit

150

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

46.0

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

57.6

m

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

29.7

NF

c- Die

Ausgangskapazität

2.08

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

1.36

NF

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15 v,

tj=125°C,vCc=900V, vCEM≤ 1200 V

1800

a)

RGint

Interner Gate-Widerstand

0.5

Oh

Ich...c

Streuinduktivität

18

- Nein.

RCC’+EE’

Modul Blei

Widerstand,

Anschluss zu Chip

0.32

mΩ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=400A

tj=25°C

1.80

2.20

v

tj=125°C

1.85

QR

Wiederhergestellt

Gebühr

Ichf= 400A,

vR=600V,

RG= 4. 1Ω,

vGE=-15V

tj=25°C

26

μC

tj=125°C

49

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

tj=25°C

212

a)

tj=125°C

281

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

tj=25°C

23.4

m

tj=125°C

33.8

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

RθJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

0.054

K/W

RθJC

Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

0.093

K/W

Rθcss

Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung)(Lügen)

0.032

K/W

Gewicht

Gewicht- Das ist nicht wahr.Modul

350

G