MTx600 MFx600 MT600, Thyristor/Diodenmodule, Wasserkühlung

V RRM ,V DRM

Typ und Gliederung

600V

MT2Beibe

MFx600-06-406F3

800V

MT2Beibe

MFx600-08-406F3

1000V

MT3B1B2B3

MFx600-10-406F3

1200V

MT3B1B2B3

MFx600-12-406F3

1400V

MT3B1B2B3

MFx600-14-406F3

1600V

MTx600-16-406F3

MFx600-16-406F3

1800V

MT3B1B2B3

MFx600-18-406F3

1800V

MT6203F3G

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( ℃ )

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180° halbe Sinuswelle 50Hz

Einseitig gekühlt, THS=55 。C

125

600

Ein

IT(RMS)

RMS Durchlassstrom

942

Ein

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

45

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

VR=60%VRRM, t=10ms halbes Sinus

125

16.0

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

125

1280

10³Ein ²s

VTO

Schwellenspannung

125

0.85

V

rT

Einschaltsteigungswiderstand

0.30

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von

25

1.90

V

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

Gate-Source 1.5A

tr ≤0.5μs Wiederholend

125

200

A/μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA=12V, IA=1A

25

30

200

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

V

IH

Haltestrom

10

200

mA

IL

Haltestrom

1000

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Einseitig gekühlt pro Chip

0.085

℃ /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

Einseitig gekühlt pro Chip

0.040

℃ /W

VISO

Isolationsspannung

50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max)

3000

V

FM

Drehmoment der Endverbindung ((M12)

12

14

N·m

Montagedrehmoment (M6)

4.5

6

N·m

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

℃

Tstg

Lagertemperatur

-40

125

℃

Wt

Gewicht

1580

g

Gliederung

406F3