GD300HFX170C6S,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C @ T C = 100o C

493

300

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

600

A

P D

Maximalleistung Ablösung @ T =175 o C

1829

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1700

V

I K

Diode kontinuierlich vorwärts rent

300

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

600

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =300A,V GE =15V, T j =25 o C

1.85

2.20

V

I C =300A,V GE =15V, T j =125 o C

2.25

I C =300A,V GE =15V, T j =150 o C

2.35

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 12,0 mA, V CE =V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

2.5

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

36.1

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.88

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

2.83

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =300A, R Gon =3.3Ω,

R Goff = 4,7Ω, V GE =±15V,

T j =25 o C

213

nS

t r

Aufstiegszeit

83

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

621

nS

t k

Herbstzeit

350

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

79.2

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

70.2

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =300A, R Gon =3.3Ω,

R Goff = 4,7Ω, V GE =±15V,

T j = 125o C

240

nS

t r

Aufstiegszeit

92

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

726

nS

t k

Herbstzeit

649

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

104

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

108

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =300A, R Gon =3.3Ω, R Goff = 4,7Ω,

V GE =±15V, T j = 150o C

248

nS

t r

Aufstiegszeit

95

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

736

nS

t k

Herbstzeit

720

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

115

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

116

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

1200

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V K

Diodenvorwärts Spannung

I K =300A,V GE =0V,T j =25 o C

1.80

2.25

V

I K =300A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

I K =300A,V GE =0V,T j = 150o C

1.95

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I K =300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE =-15V T j =25 o C

82.5

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

407

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

46.6

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I K =300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE =-15V T j =125 o C

138

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

462

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

92.2

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I K =300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE =-15V T j =150 o C

154

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

460

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

109

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

δR/R

Abweichung von R 100

T C = 100 o C, R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

1.10

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.082 0.129

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.029 0.046 0.009

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Gewicht von Modul

350

g